Тунельний діод. Принцип дії. Вах. Маркіровка. Діоди надвисоких частот.
Тунельні діоди – це НПД в яких використовується тунельний пробій в ЕДП.
Тунельний пробій полягає в тім що при наявності вільних енергетичних рівнів в Р області з певною енергією Wp і наявністю електронів з рівнем енергії Wn в N області під дією сильного ел. Поля електрон може пройти через ЕДП (як через тунель), при умові що його енергія Wn=Wp (дорівнює енергії вільного рівня). Спільне електричне поле втягує електрони з N області на вільні енергетичні рівні в P область якщо їх енергії рівні.
Маркіровка:
Біполярний транзистор. Устрій. Принцип дії. Струми бпт. Маркіровка.
БПТ – це напівпровідникові прилади що складаються з двох ЕДП і можуть бути використані для підсилення потужності.
Структура
БПТ:
Принцип дії біполярного транзистора базується на використанні двох p-n переходів між базою та емітером і базою та колектором. В області p-n переходів виникають шари просторового заряду, між якими лежить тонка нейтральна база. Якщо між базою й емітером створити напругу в прямому напрямку, то носії заряду інжектуються в базу й дифундують до колектора. Оскільки вони є неосновними носіями в базі, то легко проникають через p-n перехід між базою й колектором. База виготовляється достатньо тонкою, щоб носії заряду не встигли прорекомбінувати, створивши значний струм бази. Якщо між базою й емітером прикласти запірну напругу, то струм через ділянку колектор-емітер не протікатиме.
Струми
на вході транзистора
Струми
на виході транзистора
Маркіровка транзисторів:
Перший елемент позначає вихідний матеріал із якого виготовлений транзистор: германій чи його сполуки — Г, кремній або його сполуки — К, сполуки галію — А. Другий елемент — підклас напівпровідникового приладу. Для біполярних транзисторів другим елементом є літера Т. Третій елемент — призначення приладу (таблиця). Четвертий елемент — число від 01 до 99, що позначає порядковий номер розробки типу приладу. Допускається тризначний номер — від 101 до 999, якщо номер розробки перевищує 99. П'ятий елемент позначення — літера російського алфавіту, що визначає класифікацію за параметрами приладів, виготовлених за єдиними технологіями.
Схеми ввімкнення БПТ з спільною базою, емітером, колектором. Особливості схем.
Схема ввімкнення СЕ підсилює напругу, струм, і тому має найбільший коефіцієнт підсилення за потужністю, тому саме ця схема найчастіше використовується.
Визначення положення робочої точки на сімействах вхідних і вихідних ВАХ транзистора.
ВАХ транзисторів.
Робоча точка – це така напруга то відповідний їй струм при яких вхідний сигнал = 0.
Напруга зміщення – напруга робочої точки.
Динамічний режим – це режим в якому на вихідному колі вмикають джерело живлення, а на вихідному джерело навантаження.
Вихідна
ВАХ:
Робоча точка – середина лінійного відрізку Ік-Uke (8-100)
Вхідна
ВАХ:
Режим роботи транзистора класу А, особливості, застосування.
Робоча точка (РТ) знаходиться на середині ділянки вхідної ВАХ, струм через транзистор протікає протягом всього періоду східного сигналу.
Перевага – мінімум нелінійних спотворень.
Недолік – низький ККД (практично 25-30%, теоретично 50%)
Режим роботи транзистора класу В, особливості, застосування.
Р.Т. розташовується на нижньому загибі вхідної ВАХ, тому струм у вхідному колі проходить протягом половини періоду. Форма струму імпульсна. Цей режим характеризується кутом відсічки вихідного струму. Він вимірюється половиною тієї частини вхідного сигналу протягом якого проходить струм через підсилювальний елемент.
Недолік – нелінійні спотворення, тому такий режим в звичайному каскаді не використовується.
Використовується в двохтактних кінцевих каскадах в яких 2 транзистори працюють почергово на спільне навантаження.