4. Блокинг-генераторы, назначение, электрическая схема, принцип работы

Блокинг-генератор — генератор с глубокой трансформаторной обратной связью, формирующий кратковременные (обычно около 1 мкс) электрические импульсы, повторяющиеся через сравнительно большие интервалы. Применяются в радиотехнике и в устройствах импульсной техники. Выполняются с использованием одного транзистора или одной лампы.

Теоретически блокинг-генератор работает и при согласном и при встречном включении обмоток трансформатора, но это два разных генератора с разными режимами работы и с разными характеристиками.

Блокинг-генератор представляет собой релаксационную схему, содержащую усилительный элемент (например, транзистор), работающий в ключевом режиме, и трансформатор, осуществляющий положительную обратную связь. Достоинствами блокинг-генераторов являются сравнительная простота, возможность подключения нагрузки через трансформатор (гальваническая развязка),способность формировать мощные импульсы, близкие по форме к прямоугольным.

Среди многообразия случаев использования блокинг-генераторов можно выделить четыре главные:

формирователи импульсов;

сравнивающие устройства — компараторы;

импульсные автогенераторы;

делители частоты.

При использовании в качестве формирователей импульсов блокинг-генераторы работают в ждущем режиме. Важнейшими их характеристиками являются: чувствительность к запуску, длительность формируемых импульсов и её стабильность, предельно достигаемая частота срабатываний

5-6. Вольтамперная характеристика, p-n перехода при обратном включении

Вольтамперная характеристика реального диода проходит ниже, чем у идеального p-n перехода: сказывается влияние сопротивления базы. После точки А вольтамперная характеристикабудет представлять собой прямую линию, так как при напряжении Uа потенциальный барьерполностью компенсируется внешним полем. Кривая обратного тока ВАХ имеет наклон, таккак за счёт возрастания обратного напряжения увеличивается генерация собственных носителей заряда.

7. Входная и выходная вах биполярного транзистора

При = 0 входная характеристика транзистора соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики эмиттерного p–n-перехода (рис. 3.8, а). С увеличением ток базы уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении растет напряжение, приложенное к коллекторному p–n-переходу в обратном направлении. Из-за этого уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в базе, так как большинство носителей быстро втягиваются в коллектор

Характер выходных характеристик транзистора (рис. 3.8, б) определяется величиной напряжения , прикладываемого к коллекторному переходу .

В схеме с ОЭ это напряжение определяется разностью напряжений выходной и входной цепи транзистора. При этом входное напряжение прикладывается к коллекторному переходу в прямом, а напряжение выходной цепи – в обратном направлении.

Поэтому при напряжение на коллекторном переходе оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от до велика.

При дальнейшем увеличении напряжения крутизна выходных характеристик уменьшается, они располагаются почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит главным образом от величины тока базы .

Если эмиттерный переход транзистора перевести в непроводящее состояние,

т. е. подать на эмиттерный переход напряжение отрицательной полярности , то ток коллектора снизится до величины и будет определяться обратным (тепловым) током коллекторного перехода, протекающего по цепи база–коллектор. Область коллекторных характеристик, лежащих ниже характеристики, соответствующей , называют областью отсечки.