Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Аналоговая микросхемотехника-1.pdf
Скачиваний:
137
Добавлен:
10.05.2014
Размер:
1.97 Mб
Скачать

 

 

Рис. 4.19: Схема

 

 

вых =

1

* =

1

 

т ln

1

 

=

 

т

ln

п − 2 *

2

2

01

2

1

 

 

 

 

 

4.5Задачки

4.5.1Токовое зеркало

1.источник тока - вых

2.ист. тока. вых − −модетзадать(установить)нужноезначение

E питания

R

I вых

 

I вх

1

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.20: Токовое зеркало

 

бэ1 = бэ2; 1 = 2; к1 = к2; б1 = б2; 1 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вых

1

 

 

 

вых

=

к2

=

к1

;

=

к1

+ 2 ;

 

=

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вх

 

б

 

вх

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если >> 1, то 1 У токового зеркала должно быть высокое выходное сопротивление. Рассчитаем его величину:

б + э

вых = кэ б + э

э = э2; б = э1|| э1 = э2

17

 

 

 

 

 

б + э

 

 

 

 

э

 

 

– выполнено

 

 

 

вых = кэ

 

 

 

 

= кэ

 

 

кэ

 

 

 

 

б + э

2 э

2

 

 

 

 

 

 

 

 

э =

 

 

 

т

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

к; э =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

 

Рассмотрим второй критерий.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= п бэ1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вых

 

вх

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если бэ1 << п, то вых

п

– ОК!

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вых

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

п т ln

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если бэ1 . п, вых

к0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.5.2Усовершенствованное токовое зеркало Видлара

E питания

 

 

R

 

Iк3 = 2 Iб12

 

 

Iвх

 

 

2I б

 

Iвых

 

3

 

 

1

 

2

R2

U*/R2

Рис. 4.21: Усовершенствованное токовое зеркало

4.5.3Токовое зеркало Wilson’а

Wilson R

2I б

 

 

 

 

 

Ki = ?

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.22: Токовое зеркало Wilson’а

Расчет токового зеркала

вх = 1 + б3 1 = э1 б1 вых = ( б1 + б2) + к2 б3 2 = э2 б2 2 = 2 б2 1 = 1 б1

18

вх = 1 б1 + б3вых = б1 + б2 + 2 б23 б3 = б1 + б2 + 2 б2

б2

= б1

1 + 1

 

 

 

 

 

 

 

2

+ 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

=

 

 

б1 + б2 + 2 б2

 

= ... =

 

 

 

1

 

1 б1

+

1

( б1 + б2 + 2 б2)

 

1

+

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

2 + 1

 

 

 

 

 

3

 

3

 

4.5.4Усовершенствованое токовое зеркало Wilson’а

Wilson R

2I б

 

 

 

 

 

Ki = ?

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.23: Усовершенствованое токовое зеркало Wilson’а

4.5.5Токовое зеркало с многоэммитерным транзистором

E питания

R

Iвых

 

Iвх

1

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 4.24: Токовое зеркало с многоэммитерным транзистором Можно представить как кучу транзисторов с общим коллектором и базой. Поэтому вых = вх

19

В современной жизни чаще используют МОП-транзисторы, так как они дешевле.

4.5.6Схемы на МОП-транзисторах

E п

R1

R2

U вых

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

пол

 

 

 

B

 

 

 

1

 

 

 

C

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U2 ( синусоидальный )

 

 

Рис. 4.25: Токовое зеркало на МОПТ

2 подбирается так, чтобы 2 был в пологой области

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 с1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

2(

п

)

 

 

1

 

 

 

 

 

 

1

 

си > зи

 

0; = зи1 = 0 +

 

0 +

 

 

 

 

 

– уравнение относительно

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 =

1

( зи 0)2;

 

 

 

 

 

= зи 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 = 40кОм; п = 3В; 0 = 0.5В; 1 =

 

 

1 =

3.5мкм

150

мА

== 1.5

мА

 

 

0.35мкм

В2

 

В2

 

 

 

= 0.5 +

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6 −

 

 

= 0.5 + 0.1 − 0.03

 

 

 

 

 

 

 

 

1) 1 ̸= 0.5 + 0.27 0.8

60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= 0.8В; 2 =

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

( зи 0)2

=

 

 

 

 

(0.8 − 0.5)2 =

 

 

 

0.32 0.045 2

2

 

 

 

2

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

14мкм

 

 

 

 

 

 

мкА

 

 

мА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 =

 

 

 

 

 

2 =

 

 

 

 

 

 

150

 

 

 

 

 

= 6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.35

 

В2

В2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 = 0.045В26

мА

= 0.27мА = 270мкА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В пологой области.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

си > зи 0 = 0.8 − 0.5 = 0.3 ; си2 > 0.3

 

 

 

 

 

 

 

 

Выберем си2 = 0.5В (в пологой)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

п вых

=

 

;

 

=

 

п си2

=

3В − 0.5В

=

2.5В

250

 

9

кОм

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

2

 

 

 

 

 

 

 

с2

 

 

 

 

 

 

 

0.27мА

0.27мА 27

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= н; =

 

 

=

 

(

 

 

( зи 0)2) = 2( зи 0) = 2 2

 

зи

зи

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мА

 

 

 

 

 

 

мА

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

= 6

 

 

= 1.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В2

В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

20

Рассчет нижней граничной частоты

C

1

R1=40 кОм

Rвх

 

Рис. 4.26: Фиг-его знает какая схема

 

 

 

 

н−?; 1 = 0.055мА = 55мкА

 

 

1 = 1( зи1 0) = 1.5 *

0.3 = 0.45

мА

В

 

си =

 

си

=

 

зи

=

1

 

=

 

1

= 2.2кОм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.4

 

 

 

Если = 1нФ, то можно считать что 40к нету, = 2 1нФ = 2мкс

 

 

 

н

=

1

= 500

*

10−3

с

−1;

н

=

н

= 80

кГц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

Рассчет верхней граничной частоты

R2

C зс

R г

C зи

Рис. 4.27: Фиг-его знает какая схема

Нужно учесть эффект Миллера.

зи зс 0.1пФ; 2 >> 1

1 = г зи; 2 = = зс ГГ = 0.1кОм = Г = 0.1 * 0.1 * 16 = 0.16 0.2

в ≈ 0.8

21

Соседние файлы в предмете Микроэлектроника