
- •8) Контроль качества поверхности по картинам отражения когерентного света лазера
- •9) Эллипсометрические методы контроля
- •12) Растровая электронная микроскопия (рэм)
- •13) Рентгеновский микрозондовый анализ (рма)
- •14) Туннельная и атомно-силовая сканирующая микроскопия (принцип действия, перспективы)
- •11) Просвечивающая электронная микроскопия (пэм)
1) Состав задач и уровни микроскопических исследований
М
икроскоп
предназначен для наблюдения за объектами
близко расположенными. Особенности
микроскопов: Из-за того что, исследуемые
объекты имеют максимальные размеры
увеличения размеров объектов не улучшает
контрастности и яркости изображения,
хотя большой объектив и собирающий
больше света, но света проходящего
через края объектива дает изображение
не в тех точках, в кот оно получается с
помощью лучей идущих через центр
объектива. Для того чтобы изображение
было контрастным и четким объект
необходимо достаточно сильно освещать
и не стремиться к большому увеличению.
3) Явление поляризации и его использование в микроскопии (поляризационные микроскопы). В отличие от обычных микроскопов позволяют сущ-но расширить возможности микроскопии тем, что позволяют не только изучать не только геометрию объектов, но и оценивать их физ-хим св-ва. Из оптики известно, что обычный свет, излучаемый нагретыми телами, например солнцем, представляет собой наложение эл.магн. волн, каждый из которых перпенд-н вектору распр-ния волны и вектору МП. Излучает волну электр. заряд, движущийся с ускорением, например эл-н, движущийся вокруг ядра. Такой зяряд соотв-т эл. диполю, момент которого периодически меняется по величине. Соседний электрон атома тоже представляет собой диполь, момент которого повернут относительно момента 1го электрона. Т.о. даже отдельный атом может испускать серию эл-магн волн с различн. ориентацией эл. и магн. поля.При том, что напр-е распр-я волн будет одним и тем же. Если 2 диполя испускают эл\магн волны с различн. ориентацией вектора эл. напр-ти, но с одинаковой длинной волны, то в зав-ти от разности фаз этих двух волн вектора эл. поля суммируясь могут дать эл-магн волну, напр-ть которой будет в 2е больше, чем напр-ть поля, может быть =0, если векторный меняют свое направление в пространстве
Е
сли
в некот. точке m вдоль напр-я рапр-я волны
ЭП, создаваемое первым диполем может
быть представлено как Ex,
а ЭП второй – Ey,
то в этой точке в любой момент времени
эл. напр-ть будет = E0,
но напр-е веткора напр-ти будет меняться,
вектор напр-ти будет вращаться вокруг
напр-я распр-я волны. Такая эл.магн волна
наз-ся волной с круговой поляризацией.
Если у 1 и 2 волны амплитудные значения
различны, то пол-ция будет не круговой,
а эллиптической. Установлено, что при
падении наполяр. Излучения на плоскую
пов-ть под углом падения – углу Бюргерса
отраженная эл-магн волнабудет плоско
поляризованной, вектор поляризации
будет лежать в плоскости, отражающей
пов-ть. Т.о. получить поляр-й свет можно
с помощью одиночного диполя, но это не
реально. Часть света проникает в отр.
пов-ти. В преломленной волне свет не
будет полносью поляризованным, но
степень его поляризации возрастет.
Напр-ть эл. поля вектор которого перпен-н
пов-ти и перпен-н рапр-ю будет сущ-но
больше, чем вектор напр-ти, располож-й
|| отраж. пов-ти. Для получения плоско
поляр-го света исп-ют не отраж. волну,
а проходящую частично поляр-ю, т.к. доля
отраж. света слишком мала. Интенсивность
отраж. источника будет слишком мала.
Для того, чтобы поляр-ть проходящий
свет изготавл-т систему стекл. пластинок,
улож-х друг на друга с прослойкой жидкого
масла, коэф-т преломления которого
выше, чем у воздуха, но ниже, чем у мат-ла
пластинок.
2) Явление дисперсии ( зависимость n от λ) и выбор материалов для микроскопии Для оптических микроскопов вводится понятие разрешающая способность. Это понятие характеризует минимальное расстояние между 2 исследуемыми объектами, которые на рисунке видны раздельно, не сливаются. dmin=1,22λ/(2n∙sinα)
где α угол от объекта на край линзы, n коэф-т преломления стекла объектива.
По Релею разрешающая способность достигает максим значения тогда, когда центр светящегося изображения одной точки совпадает с первыми темными кольцом дифракционной картины, возникшей возле изображения 2 точки.
4)
Явление
интерференции и его использование в
микроскопии (интерференционные
микроскопы). При
положении ЭМ волн одинаковой частоты,
но с некоторым сдвигом фаз
результирующее поле определяется
следующим образом:
П
ри
изменении
в (0; π),
достаточно сильно меняется от min до
max. Если в исследуемой точке происходит
суперпозиция или сложение излучений
от n
источников, каждый из которых создает
колебания с амплитудой a
на форсированной частоте, то интенсивность
излучения от na2
до n2a2.
Если все n
источников имеют случайную фазу, то
есть не явл-ся когерентными, а освещенность
= na2.
Если источники явл-ся когерентными и
все значения
,
,
т.е. освещенность n2a2.
Этот эффект используется в интерференционных
микроскопах. Благодаря интерференции
отдельные участки исследуемого объекта
облучаются когерентным монохроматическим
светом. Пучок такого света можно создать
с помощью дифракционной решетки,
облучаемой точечным источником
немонохроматического света. Пучок
монохроматического света (МС), падая
на объект, меняет свою фазу в зависимости
от св-в объекта. В отраженном пучке
будут присутствовать колебания одной
фазы, созданные участками объекта с
низкой оптической ρ,
и колебания
с другой фазой, созданные участками
объекта с высокой оптической ρ.
И те, и другие создадут на экране
изображение точек объекта определенной
освещенности (интенсивности). Если на
этот же экран направить когерентные и
монохроматические излучения, такое,
что его фаза во всех точках экрана будет
одна и та же, то в результате наложения
этого потока с постоянной фазой и
потоков отраженных от объекта, имеющих
в разных точках экрана разную фазу, на
экране произойдет интерференция, и
картинка этой интерференции будет
различна для различных точек экрана.
В одних точках произойдет усиление
колебаний, в других – ослабление. Если
оператор смотрит на неподсвеченный
экран, различные точки которого светятся
светом разной фазы, то никаких различий
м/у ними он не увидит, т.к. различие в
фазах глаз не улавливает. Если оператор
смотрит на подсвеченный экран, на
котором из-за интерференции точки стали
либо темными, либо светлыми, он легко
фиксирует это различие м/у изображениями
точек.
5) Дефекты изображения при микроскопических исследованиях (астигматизм, аберрация, кома, хроматическая аберрация). Особенностью микроскопов явл-ся погрешность формы изображения, обусловленной дисперсией частоты, неидеальностью формы линз, методами приближения, используемыми в геометрической оптике. Разновидности погрешносетй: 1) сферическая аберрация (лучи не явл-ся параксиальными).
– определяет
степень искажения.
Устранить можно применением диафрагм, но при этот снижается светосила. При использовании устройств, позволяющих усилить сигнал и повысить контрастность, удается обеспечить необходимую контрастность и светосилу. Для собирающих линз – δ<0. В микроскопах δ --> 0 , благодаря использованию составных объективов, состоящих из выпуклых и вогнутых линз.
2) Астигматизм. Причиной явл-ся сферический характер световой волны, излучаемой каждой точкой объекта и кривизна линзы как в вертикальной, так и в горизонтальной оси. Проявляется астигматизм в том, что изображается точка не на главной оси, растягиваются в линию. Причем изображение точки формируется в 2-х плоскостях. Устранение этого достигается применением сложных составных объективов из выпуклых и вогнутых линз. 3) Кома и дисторсия. Кома – изображение точки похоже на прямую. Дисторсия – различие в изображениях, построенных лучами, проходящими через центральную часть линзы и периферию. 4)хроматическая аберрация. Коэффициент преломления n зависит от частоты [дисперсия].
зависимость коэф.
Преломления от длины волны. Величина
отрицательная.
Зависимость n от υ носит сложный характер.
8) Контроль качества поверхности по картинам отражения когерентного света лазера
Оптическая микроскопия используется для контроля неровности пластин кремния. Микронеровности не должны превышать 10-9 м. Лазер создает пучок света, кот расширяется калиматором. Далее свет проходит через полупрозрачное зеркало и отражается от исследуемой пластины кремния. Далее отраженный от пластины свет снова попадает на зеркало и затем на экран. Интерференция проходит между лучами отраженными от выступов и от впадин на пластине. Если бы шероховатости не было бы и пластина была бы хорошо отполирована, то изображение состояла бы из повторяющихся фрагментов, а не из фигур с неровными краями. В случае необходимости метод может использоваться для контроля многослойных структур. В этом случае интерферируют не лучи, отраженные от разных точек поверхности, а лучи, отраженные от всевозможных неоднородностей внутри пленки. По этой схеме может контролироваться форма области эмиттера внутри области базы и форма области базы внутри области коллектора. По этой же схеме контролируют наличие пыли и пузырьков в слое фоторезистора, так как это может привести к формированию ненужных отверстий в оксидной маске.
6) Микроскопы светлого поля, микроскопы темного поля По принцип построения изображения бывают микроскопы светлого поля, микроскопы темного поля.
В основном, это связано с физико-химическими явлениями, которые возникают при воздействии светового потока на объект. При этом световой поток также может быть подвержен изменению, как по форме, так и по своим физическим свойствам. В таком случае микроскопы можно разделить следующим образом.
Микроскопы светлого поля обеспечивают следующую картину — на светлом фоне более темное изображение объекта. Основные условия освещения: это обычный прямо проходящий свет, изменения в котором могут быть связаны только с длиной волны светового потока, определяемой применением в осветительной системе широкополосных светофильтров из обычного цветного стекла. Редко используются узкополосные специальные светофильтры (интерференционные). Классическая схема подобного микроскопа делает его базовым для обеспечения условий получения различных методов контрастирования.
Микроскопы с методом темного поля (Термин «темнопольный микроскоп») гарантируют такое изображение — на темном фоне можно наблюдать более светлое изображение объекта или ярко блестящий контур объекта. Основные условия освещения: а) в микроскопах проходящего света — обычный прямо проходящий свет полностью перекрывается до того, как попадает на объект; б) в микроскопах отраженного света — обычный свет, проходя через кольцевую диафрагму с непрозрачным диском, по размеру перекрывающим выходной зрачок объектива.
7) Флуоресцентная микроскопия. Флуоресцентные микроскопы могут быть отражаемого и проходящего света. Принцип их действия основывается на том, что исслед. Объект облучают коротковолновым светом (УФ). Под воздействием УФ света с наружных орбит атомов исслед. материала выбиваются электроны. На освобод. места с более высоких орбит сваливаются электроны, отдающие свой избыток энергии в окр. пространство на частоте υ2.
К
вант
hυ1,
выбивающий электрон, соответствует УФ
свету. Недостаток: под воздействием УФ
излучения образцы «отбеливаются».
Основные требования к таким микроскопам:
1) Источник УФ должен вызывать флуоресценцию.
2) λ возбуждаемого излучения должна быть короче λ флуоресценции.