- •Раздел 1. Приборы вакуумной электроники
- •Раздел 2. Полупроводниковые приборы
- •Тема 2.1. Полупроводниковые диоды.
- •2.1.1. Полупроводниковые диоды.
- •2.1.2. Классификация, назначение, характеристики и параметры.
- •Тема 2.2. Биполярные транзисторы
- •2.2.1. Устройство, уго, схемы включения и режимы работы биполярного транзистора.
- •2.2.2. Коэффициент передачи тока, зависимость его от температуры и электрического режима.
- •2.2.3. Модель Эберса-Молла.
- •2.2.4. Эквивалентные схемы в режиме малого сигнала.
- •2.2.5. Частотные и импульсные свойства бт.
- •2.2.6. Классификация, назначение и параметры бт.
- •Тема 2.3. Полевые транзисторы
- •2.3.1. Классификация полевых транзисторов (пт).
- •Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •2.3.2. Устройство и принцип действия, уго, статические характеристики и параметры пт с изолированным затвором со встроенным и индуцированным каналом.
- •Транзисторы с изолированным затвором
- •Раздел 3. Микроэлектроника
- •Тема 3.1. Технологические основы интегральных схем.
- •Цели легирования
- •Способы легирования
Тема 2.2. Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным слоям полупроводника с чередующимся типом примесной проводимости. По этому способу чередования различают npn и pnp транзисторы (n (negative) — электронный тип примесной проводимости, p (positive) — дырочный). В биполярном транзисторе, в отличие от полевого транзистора, используются заряды одновременно двух типов, носителями которых являются электроны и дырки (от слова «би» — «два»). Схематическое устройство транзистора показано на втором рисунке.
Электрод, подключённый к центральному слою, называют базой, электроды, подключённые к внешним слоям, называют коллектором и эмиттером. На простейшей схеме различия между коллектором и эмиттером не видны. В действительности же главное отличие коллектора — бо́льшая площадь p — n-перехода. Кроме того, для работы транзистора абсолютно необходима малая толщина базы.
Биполярный точечный транзистор был изобретен в 1947 году, в течение последующих лет он зарекомендовал себя как основной элемент для изготовления интегральных микросхем, использующих транзисторно-транзисторную, резисторно-транзисторную и диодно транзисторную логику.
2.2.1. Устройство, уго, схемы включения и режимы работы биполярного транзистора.
Принцип действия БТ на примере схемы включения с ОБ.
Усилительный каскад с общей базой (ОБ) — одна из трёх типовых схем построения электронных усилителей на основе биполярного транзистора. Характеризуется отсутствием усиления по току (коэффициент передачи близок к единице, но меньше единицы), высоким коэффициентом усиления по напряжению и умеренным (по сравнению со схемой с общим эмиттером) коэффициентом усиления по мощности. Входной сигнал подаётся на эмиттер, а выходной снимается с коллектора. При этом входное сопротивление очень мало, а выходное — велико. Фазы входного и выходного сигнала совпадают.
Особенностью схемы с общей базой является минимальная среди трёх типовых схем усилителей «паразитная» обратная связь с выхода на вход через конструктивные элементы транзистора. Поэтому схема с общей базой наиболее часто используется для построения высокочастотных усилителей, особенно вблизи верхней границы рабочего диапазона частот транзистора. Достоинствами схемы являются стабильные температурные и частотные свойства, то есть параметры схемы(коэффициент усиления напряжения, тока и входное сопротивление) остаются неизменными при изменении температуры окружающей среды. Недостатками схемы являются малое входное сопротивление и отсутствие усиления по току.
2.2.2. Коэффициент передачи тока, зависимость его от температуры и электрического режима.
Коэффициент передачи (также коэффициент преобразования) — отношение напряжения на выходе той или иной системы, предназначенной для передачи электрических сигналов, к напряжению на входе. В частном случае, когда значения выходного и входного сигнала являются однородными, коэффициент передачи называют коэффициентом усиления. KП = UВЫХ/ UВХ. Коэффициент передачи часто выражают в логарифмическом виде, как 20 lg (UВЫХ / UВХ), дБ.
