
- •Общая хар-ка процесса конструкторского проектирования эвм и систем. Понятие конструкции эвм. Конструкторская документация.
- •Общие принципы и этапы конструкторского проектир эвм.
- •Сист подход к технологии производства эвм.
- •Системный подход к конструированию эвм
- •Мат модель конструкции эвм и систем.
- •Конструирование эвм с учетом надежности. Основные показатели надежности эвм.
- •Методика расчета надежности невосстан и восстан эвм.
- •Оценка показателей надежн эвм как слож объекта. Надежность типовых конструкций эвм.
- •Повыш надежности эвм резервированием.
- •Тепловые расчеты конструкций эвм. Теплообмен в эвм. Способы переноса тепловой эн.
- •Определение теплового сопротивления типовой конструкции эвм. Принципы суперпозиции температурных полей и местного влияния.
- •Математические модели объектов схемно-топологического конструирования. Модель схемы в виде неориентированного мультиграфа.
- •Представление схемы гиперграфом и ультраграфом при моделировании объектов схемно-топологического конструирования.
- •Математические модели монтажного пространства типовых конструкций эвм.
- •Компоновка типовых элементов конструкций эвм. Постановка задачи. Критерии оптимизации и ограничения.
- •Последовательные и итерац алгоритмы разрезания схем при решении задач компоновки
- •Алгоритмы решения задачи покрытия и смешанные алгоритмы компоновки типовых констр эвм.
- •Постановка задачи размещ при конструир типовых элементов эвм. Критерии оптимизации
- •Последовательные алгоритмы размещения конструктивных элементов. Улучшение размещения перестановкой модулей.
- •Общая постановка задачи трассировки монтажа. Трасс проводного и печатного монтажа.
- •Производственный и технологический процессы, их структура, виды и типы организаций.
- •Технологич подготовка произвдства ес тпп.
- •Технологические системы и особенности их организации. Методы оптимизации.
- •Технология полупроводниковых имс. Группы технологич. Процессов.
- •Фотолитграфия при производстве микросхем.
- •Диффузионно-планарная структура п/п имс.
- •Технология гибридных пленочных микросх. Основные понятия и определения.
- •Требования к кремниевым пластинам при производстве имс.
- •Тонкоплен технология при производстве гис.
- •Толстопленочная технол при произв гис.
- •Сборка микросх.Операции, предшеств сборке.
Методика расчета надежности невосстан и восстан эвм.
Невосстанавливаемые ЭВМ
Эти ЭВМ характеризуются след показателями надежн: *Интенсивность отказов. *Ср наработка на отказ. *Вероятность безотказной работы
λ(t) – интенсивность отказов.
Это усл плотность возникновения отказа к моменту времени t при условии, что до этого момента отказ не возникает.
λ(t)=f(t)/(1-∫[f(t)dt])
f(t)-плот распред наработки на отказ.
По результатам стат. испытаний:
λ(t)=[N(t)-N(t+∆t)]/N(t)∆t
N(t),N(t+∆t)-число объектов работосп к моменту t и t+∆t
∆t - длит интенсивности испытаний.
Укажем характер λ(t) для внезапных и постепенных отказов: рис4
0..t1 – время приработки
t1-t2 – нормальный период раб ЭВМ.
t2> - уч старения и износа деталей
Расчет периода аппаратуры создается на основании t1..t2, если соответствует экспонен закон плотности наработки до отказа: f(t)=λe^(-λt)
Средняя наработка до отказа это мат ож наработки до отказа tср=∫tf(t)dt или tср=1/λ
Вероятность безотк работы, т.е вероятность того, что не будет отказа в пределах заданной наработки.
P(t)=1-∫f(t)dt=∫f(t)dt
Для внезапных отказов: P(t)=e^(λt)
Восстанавливаемые ЭВМ
Характер след показат надежности.
w(t) - параметр потока отказов. Это плотность вероятности возникновения отказов в действительный мом вр.
w(t)=1/N∆τ *(∑mi(t+∆t)- ∑mi(t))
mi(t) и mi(t+∆τ)- число отказов каждого из N образцов ЭВМ в моменты времени t и t+∆τ
После периода приработки (0,t1) w(t)=const (t1..t2)
To –наработка на отказ
To=1/w(t) -вр после оконч периода приработки
Тсб – наработка на сбой. Это ср знач наработки ЭВМ между сбоями.
P(t,τ) - вер безотк работы. Это вероятность того, что не будет отказа в интервале t+τ
Tв – среднее время восстановления. Это мат ож времени восстан работоспособности ЭВМ.
Tв=∑(τi/m)
τi-вр, необход для обнаруж и устранения i-го отказа
m – число отказов
Для не восстан объектов случайной величиной явл наработка до первого отказа, а для восстан - вр работы между отказами и вр восстан работоспос.
Оценка показателей надежн эвм как слож объекта. Надежность типовых конструкций эвм.
Оц показ надежи ЭВМ как слож об
Сложный объект – это совок нескольких одновр функционирующих сист, причем отказы каждой сист приводят к отказу слож объ в целом.
Будем считать, что отказы отдельных подсистем независимы, тогда:
To=∑(Ti/ni) N – число типов элементов в ЭВМ
Ti – нараб на отказ элемента i-го типа
ni–число эл i-го типа отказ кот привод к отказу ЭВМ
При экспоненц з распредел нараб на отказ Ti=1/λi
λi- интенсивность отказа эл i-го типа
Для ЭВМ рассчитывают среднюю суммарную интенсивность отказов
Λ=∑λiy ki
Ny λiy - число устройств ЭВМ и их интенсивн отказов; ki–коэфф, учитывающий исправность устройства i-го типа в составе ЭВМ.
P(t,τ)=П Pi,ni(t,τ)
Pini – вер безотк работы в интервале времени t,t+τ n – элементов i-го типа
При экспоненц законе распределения
Pini(t,τ)=e^(τλini)
Оц надежности типовых конструкций
Исх данные: схема электрически-принцип, режимы работы всех деталей, знание интенсивности отказов всех типовых деталей, знание ср вр безотк работы и дисперсии для элементов, подверженных постеп отказам.
При оценке необходимо выявить те элементы конструкций, которые могут привести к отказу, это так наз компоненты ненадежн (КН). Для ЭВМ КН можно считать: комплектующие элементы, элементы монтажа (линии связи, сварные, паяные соед, разъемы печатных плат, металлизированные отверстия). Для всех этих компонент характерны внезапные отказы.
Состав структ схемы надежн. Элемент вкл в схему, если его отказу типов. конструкции. Далее оценим суммарную интенс отказов. Λ=∑λi*ni
N – число типов. элементов в структуре схем надежн.
λi, ni - интенс отказов и колво эл i-го типа
To=1/ Λ – Интенс отк комплектующих эл, их исх хар-ка надежности, зависит от таких внешних возд как температуры теплового удара, влажность, вибрация, линейное ускорение, радиация, давление.
λ=λ0*к1*к2*…кn – интенс в конечном итоге
λ0- интенс отк элементов при н.у.: t=298k 65% - относ влажность, коэфф электр нагрузки = 1
k1,..,kn – поправочные коэфф.
На нач этапах проектирования влияние внеш возд можно учитывать с помощью интегрального поправочного коэфф, кот вычисляется как k=λ/λ0
Пример: для современных ракет к =700, для самолетов к=100, аппаратуры к=20, стенд к=1.
Если ИС, то λ0=0.2*10-7, для R,C λ0=(0.1-0.3)*10-7, для паяных соединений λ0=0.5*10-9, для контактов разъема λ0=0.2*10-7, для печатных плат λ0=10-7