- •Общая хар-ка процесса конструкторского проектирования эвм и систем. Понятие конструкции эвм. Конструкторская документация.
- •Общие принципы и этапы конструкторского проектир эвм.
- •Сист подход к технологии производства эвм.
- •Системный подход к конструированию эвм
- •Мат модель конструкции эвм и систем.
- •Конструирование эвм с учетом надежности. Основные показатели надежности эвм.
- •Методика расчета надежности невосстан и восстан эвм.
- •Оценка показателей надежн эвм как слож объекта. Надежность типовых конструкций эвм.
- •Повыш надежности эвм резервированием.
- •Тепловые расчеты конструкций эвм. Теплообмен в эвм. Способы переноса тепловой эн.
- •Определение теплового сопротивления типовой конструкции эвм. Принципы суперпозиции температурных полей и местного влияния.
- •Математические модели объектов схемно-топологического конструирования. Модель схемы в виде неориентированного мультиграфа.
- •Представление схемы гиперграфом и ультраграфом при моделировании объектов схемно-топологического конструирования.
- •Математические модели монтажного пространства типовых конструкций эвм.
- •Компоновка типовых элементов конструкций эвм. Постановка задачи. Критерии оптимизации и ограничения.
- •Последовательные и итерац алгоритмы разрезания схем при решении задач компоновки
- •Алгоритмы решения задачи покрытия и смешанные алгоритмы компоновки типовых констр эвм.
- •Постановка задачи размещ при конструир типовых элементов эвм. Критерии оптимизации
- •Последовательные алгоритмы размещения конструктивных элементов. Улучшение размещения перестановкой модулей.
- •Общая постановка задачи трассировки монтажа. Трасс проводного и печатного монтажа.
- •Производственный и технологический процессы, их структура, виды и типы организаций.
- •Технологич подготовка произвдства ес тпп.
- •Технологические системы и особенности их организации. Методы оптимизации.
- •Технология полупроводниковых имс. Группы технологич. Процессов.
- •Фотолитграфия при производстве микросхем.
- •Диффузионно-планарная структура п/п имс.
- •Технология гибридных пленочных микросх. Основные понятия и определения.
- •Требования к кремниевым пластинам при производстве имс.
- •Тонкоплен технология при производстве гис.
- •Толстопленочная технол при произв гис.
- •Сборка микросх.Операции, предшеств сборке.
Технология полупроводниковых имс. Группы технологич. Процессов.
П/п микросхемо - функциональный электронный узел - эл-ты и соединения кот конструктивно неразделимы и изготавливаются одновременно в едином ТП в объеме и поверхности общего кристалла.
Колво ТО может достигать 200, кот объед в частное ТП: 1.Заготовительные процессы. Их цель - получение монокристаллических слитков опред типа электрпровода заданным удельным сопрот, резку слитков на пластины с пом резцов. Обработка пов-ти с заданной микро- и макро- геом, а также отдельных деталей и узлов интегральной микросхемы. 2.Обрабатывающие – это осн группа здесь объединены все операции для формирвания группы микросхем в групповых пластинах и их контроля на функционирования (окисление, диффузия примесей, ионная имплантация, вакуумное напыление и фотолитография и так далее и тому подобное). 3.Сборочно-контрольный проц - разделение групповой пластины на отдельные кристаллы, монтаж кристаллов в корпуса, разводка выводов, герметизация, контроль, испытания, окраска, маркировка, упаковка и т.д и т.п
Фотолитграфия при производстве микросхем.
- это перенос рисунка схемы с фотошаблона на пов-ный слой п/п пластины.
Три стадии: *Экспонирование фотослоя через фотошаб и образование скрытого изобр. *Проявление и задубливание рис, формирование защитной фотомаски; *Травление поверхнстного слоя пластин на не защищ уч.
Различают позитивную I и негативную II: рис13
II. Под воздействием УФ фоторезистора переходит в нерастворимое сост и созданные послем, проявления защищенных участков соответствуют прозрачным участком фотошабл. Освещенные участки измен св-ва так, что могут быть удалены с пом растворов проявителей, а не засвеченные сохр рис фотошаблона.
А)после экспонирования Б)после проявления фотомаски В)после вытравления поверхностного слоя пластины и удаление фотомаски.
Диффузионно-планарная структура п/п имс.
В кач-ве исх заготовки – пластина монокристалл кремния равномерно лигированы (покрыты) акцепторной (приним донорские носит) примесью (дырочная электропроводимость). После того как на заготовку нанесен поверхностный слой оксид кремния (а). Методом фотолитографии в этом слое избирательно вытравливают участки прямоуг формы (б) и через образовавшиеся окна, путем терм диффузии вводятся примеси атомов донора (в). Процесс диф совмещ с терм окислением кремния в рез-те кот на пов-ти вновь образ сплошной слой оксида кремния. Т.о одновр создаются коллекторные области всех транзисторов, а так же изолир обл всех доноров и резисторов для свех кристаллов групповой пластины. Вторичным вскрытием окон меньших размеров (г) в оксиде кр и последующей диффузией примесей акцепторов (р), формируют P-обл, выполняющие роль баз. Транзисторов, анодов диодов, и резисторов (д). В рез-те очередного (третьего) цикла фотолитогр (е), дифф, а также окисления получаются обл эммитеров, катоды диодов, а также обл для последующего созд циклических контактов и коллекторным и изолирующим областям (ж). Для создания межэлементных соед (связей) в слое оксида кремния вновь вскрывают окна (з) и плотность пластины покрывают сплошным Ме пленкой Al при этом в местах, свободных от оксида кр, образ контакт с соот областями кремния. Заключительный этап фотолитографии (по пленки Al) создают сист месоед, а также контакты по периферии кристалла для коммутации с внешними выводами корпуса (к).
Пластину разрезают с пом скройбирования на кристаллы. Кристалл помещ в отдельные корпуса, ему добавляют «ножки», закрывают крышку корпуса и заполняют инертным газом, чтобы избежать окисления и др временных дефектов.
(а-к) – фотки картинок