Типовая диаграмма регенерации
а) б)
а) – стандартный классический вариант.
Выставляется только сигнал RAS.
Этот режим обычно называется ROR (RAS only refresh).
Адрес регенерируемой строки R выставляется заранее, до появления RAS. Порядок чередования строк при этом не важен.
б) – современный вариант регенерации – СВR.
Используется нестандартное чередование сигналов RAS и CAS. Сигнал CAS выставляется раньше, чем RAS (в нормальном режиме такого не бывает).
В таком режиме адрес регенерируемой строки уже находится во внутреннем счётчике микросхемы памяти, при этом контроллер памяти только формирует соответственные временные циклы регенерации.
Схемы регенерации при этом встроены в саму память.
В режиме б сигнал WE обязательно должен быть в «1» при регенерации.
Достоинства: экономия потребляемой мощности, т.е. при этом внутренние буферные схемы отключены и не потребляют мощности (при регенерации), но время на регенерацию всё равно затрачивается.
Типы динамической памяти
В стандартной памяти для обращения к произвольной ячейке необходимо достаточное время для сокращения времени обращения к последовательным ячейкам.
FPM (Fast Page Mode) – используется ускоренный страничный принцип считывания/записи.
EDO (Extended Data Out) – память с дополнительным регистром на выходе.
BEDO (Burst EDO) – расширенная EDO. Кроме регистра защёлки, на выходе используется внутренний счётчик колонок (столбцов).
SDRAM (Synchronus DRAM) - синхронная динамическая память. Быстродействующая, работающая на частоте системной шины до 100 МГц. Для работы памяти, в отличие от всех предыдущих, используется сигнал тактовой частоты, обеспечивающий внутреннюю синхронизацию работы элементов памяти.
ESDRAM (Enhanced SDRAM). Следующим оригинальным решением, увеличившим частоту работы SDRAM, явилось создание кэша SRAM на самом модуле динамического ОЗУ. Так появилась спецификация Enhanced SDRAM (ESDRAM). Это позволило поднять частоту работы модуля до 200 МГц. Назначение кэша на модуле точно такое же, что и кэш второго уровня процессора — хранение наиболее часто используемых данных.
DDR SDRAM (SDRAM II) — то же, но с удвоенной частотой передачи данных. Спецификация SDRAM II (или DDR SDRAM) не имеет полной совместимости с SDRAM. Эта спецификация позволяет увеличить частоту работы SDRAM за счет работы на обеих границах тактового сигнала, то есть на подъеме и спаде. Однако SDRAM II использует тот же 168-ми контактный разъем DIMM.
SLDRAM (SynchLink Interface DRAM) - Как и SDRAM II, эта спецификация использует обе границы тактового сигнала и имеет в себе SRAM. Однако благодаря протоколу SynchLink Interface эта память способна работать на частоте до 400 МГц.
RDRAM (Rambus DRAM) — Динамическое ОЗУ Rambus (RIMM) имеет синхронный интерфейс, существенным образом отличающийся от вышеописанного. Технология разработана компанией Rambus Inc. совместно с компанией Intel для получения архитектуры памяти следующего поколения, предназначенной для ПК. По сравнению с DDR SDRAM, при той же производительности RDRAM имеет более компактный интерфейс и большую масштабируемость. За счет использования обоих границ сигнала достигается частота работы памяти в 800 МГц.
Последующим расширением RDRAM является память Direct RAM (DRAM).
VRAM (Video RAM). Память, специально адаптированная для использования в видеоадаптерах.
Двухпортовая память — ПК может записывать данные (для изменения изображения) в то время, когда видеоадаптер непрерывно считывает содержимое VRAM для прорисовки его на экране.
Обычно необходимость в памяти такого типа возникает при работе с высокими разрешениями (более 1024 х 768 пикселов) в "глубоком" цвете (более 65536 цветов) и высокой частотой кадровой развертки (более 70 Гц).
"Оконное" ОЗУ (WRAM - Window RAM) также является двухпортовой, однако поддерживает более эффективную схему буферизации и другие усовершенствования, позволяющие повысить производительность на 25% по сравнению с VRAM. Оба описанных типа ОЗУ производительнее и дороже EDO, однако проигрывают SGRAM.