Используется три поколения fm:

• память 1^го поколения: эта память стиралась вся целиком, появилась она в 1988 г.

Во Flash Memory встраивается внутренний регистр команд и специальный управляющий автомат, обеспечивающий внутренние режимы стирания и записи.

• память 2^го поколения: эта память допускает блочное стирание – Boot Block.

Блоки – переменного (разного) объёма. Один из них, как правило, имеет дополнительные аппаратные средства защиты от стирания, и для стирания требует дополнительных управляющих сигналов. Стирание и запись блоков может быть независимо друг от друга.

• память 3^го поколения: - это блочная память, но блоки одинакового размера.

Один из блоков аппаратно защищён, допускает стирание/запись как при 12 В программирования, так и при 5 В. При 5 В – режим записи/стирания получается длиннее.

Считывание возможно и при 3,3 В, и даже при 2,7 В, при этом потребление энергии снижается на порядок (дежурный режим), но при этом увеличивается время доступа t_дос к памяти.

Для защиты от случайного стирания используется дополнительный сигнал WP (Write Protect).

Памяти 1^го и 2^го поколений – обычно были несовместимы между собой. Память 3^го поколения обычно совместима, с точки зрения программного обеспечения.

Многоуровневые ячейки (mlc - Multi Level Cell).

В последнее время многие компании начали выпуск микросхем флэш-памяти, в которых одна ячейка хранит два бита. Технология хранения двух и более бит в одной ячейке получила название MLC (multilevel cell - многоуровневая ячейка). Достоверно известно об успешных тестах прототипов, хранящих 4 бита в одной ячейке. В настоящее время многие компании находятся в поисках предельного числа бит, которое способна хранить многоуровневая ячейка.

В технологии MLC используется аналоговая природа ячейки памяти. Как известно, обычная однобитная ячейка памяти может принимать два состояния - "0" или "1". Во флэш-памяти эти два состояния различаются по величине заряда, помещённого на "плавающий" затвор транзистора. В отличие от "обычной" флэш-памяти, MLC способна различать более двух величин зарядов, помещённых на "плавающий" затвор, и, соответственно, большее число состояний. При этом каждому состоянию в соответствие ставится определенная комбинация значений бит.

Во время записи на "плавающий" затвор помещается количество заряда, соответствующее необходимому состоянию. От величины заряда на "плавающем" затворе зависит пороговое напряжение транзистора. Пороговое напряжение транзистора можно измерить при чтении и определить по нему записанное состояние, а значит и записанную последовательность бит.

Тенденции развития Flash Memory связаны с:

• увеличением ёмкости;

• уменьшением потребления;

• уменьшением времени доступа к памяти;

• уменьшением времени записи;

• упрощением интерфейса и программирования.

Разновидности Flash Memory

1. FM в конструктиве с SIMM и DIMM.

Эта память может устанавливаться в те же гнёзда, что и динамическая память, но при обращении к этой памяти обычным образом (особенно при записи) она не распознаётся, как обычная.

Требует специальный драйвер для работы с такой памятью.

2. Синхронная FM может работать при тактовой частоте до 66 МГц, также как и статическая память.

3. FM в стандарте PCMCIA – это память в виде карт для портативных компьютеров. Она оптимизирована с точки зрения потребления мощности, напряжения питания, т.е. основных параметров.

4. FM с последовательным доступом по шине I²C – объём этой памяти почти не ограничен. Для использования достаточно 8-ми контактов.

В РС используется эта память в платах SIMM и DIMM, в которую записываются характеристики основной памяти.

5. FM для ключей защиты.

6. SD-card, RMC-card, MMC-card, Compact Flash, … - тут картинки на слайдах показать

Недостаток: Медленная запись в произвольные участки памяти, стоимость высокая.