Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Шпоры (отличные) по МЭСА 7 семестр

.pdf
Скачиваний:
34
Добавлен:
10.05.2014
Размер:
946.18 Кб
Скачать

6.4

 

формально dε/dρ = s(ε).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Интеграл в последнем выражении - безразмерный траекторный пробег ρ,

 

 

 

ε0

 

 

 

 

 

 

(M1 + M2 )2

 

 

ε0

dε

 

dε

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R =

 

ρ

ρ =

 

 

=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a2n M

M

 

s(ε)

s

n

(ε) + s

(ε) , а так он связан

2

0

 

 

 

0

 

e

 

 

 

 

0

1

 

 

интеграл вычисляют через всякие там аппроксимации Юдина итд.

При ионном облучении интерес представляет проективный пробег Rр, величина которого есть проекция траект. пробега на направление движения иона при входе в образец

Rp = Rp2 среднекв. отклонение проект. пробегов

можно считать, что для легких ионов МэВ-ных энергий Rp <R>, т.к для таких ионов Sn << Sе и наиболее вероятны акты рассеяния на малые углы.

Аналогично Rp <R>, и для медленных тяжелых ионов, для которых γ > 1, так как в этом случае угол рассеяния меньше θmax.

Если флюенс облучения (число ионов попавших на единицу площади образца за время облучения [ион/см2]) равен F, то концентрация имплантированных ионов по глубине

образца ni(z) определяется выражением ni(z) = FP(z, E0) и при гауссовой функции распределения проективных пробегов

max

 

(z Rp )2

 

 

ni (z) = ni

exp

 

 

max

-макс. концент. имплантир. ионов при z = Rp,

 

 

2Rp2

,где ni

 

 

 

 

 

 

которая находится из условия нормировки

F = nimax

exp[(z Rp )2 / 2Rp2 ]dz = nimax

exp[(z Rp )2 / 2Rp2 ]dz +

 

−∞

0

+ nimax 0 exp[(z Rp )2 / 2Rp2 ]dz,

−∞

Второй интеграл описывает отраж. ионы, если считать, что коэффициент отражения << 1,

получаем

 

 

 

nimax = F

exp[(z Rp )2 / 2Rp2 ]dz =

 

F

, и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Rp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

n

(z) =

 

 

F

 

 

(z Rp )2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

exp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i

 

 

R

 

 

2R2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.1

Коэффициент отражения и зарядовый состав , модель Зигмунда,

эмпирические формулы коэффициента распыления , энергетическое и

угловое распределение распыленных частиц, ионное травление и расчет скорости, профиль ионной имплантации.

R = Nотр

коэффициент отражения N N0+ , где Nотр – все отраженные ионы с любыми энергиями и

в любом зарядовом состоянии, , облученного N0+ ионами первичного пучка.

Отраж. ионы имеют разный зарядовый состав. Характеристикой зарядового состояния - вероятность вылета в том или ином зарядовом состоянии (i) при данной энергии

W i (E) = Nотрi (E) / Nотр (E), причем W i =1

i

при энергиях отраженных ионов гелия > 100 кэВ практически все они отражаются в виде однократно заряженных положительных ионов, т.е. W+(E) = 1.

Эмиссия поверхностных атомов ТТ при бомбардировки поверхности потоком частиц. два явления распыления – физическое и химическое.

Физическое распыление связано с передачей кинетической энергии падающей частицы атомам мишени и выходом из облучаемого образца атомов, с энергией, достаточной для преодоления поверхностных сил связи.

Химическое распыление связано с использованием в качестве бомбардирующих ионов, способных химически взаимодействовать с компонентами мишени с образованием устойчивых соединений.

При упругом рассеянии ионов пучка на атомах образца, последние приобретают энергию отдачи 4γEcos2Φ/(1+γ)2, где Е – энергия иона перед рассеянием. При Е ~ кэВ энергия

отдачи будет превышать энергию связи атома в ТТ Ed, атом будет выбит из своего положения равновесия и начнет двигаться- первично выбитые атомы (ПВА).

каскад смещений(КС)- некоторые ПВА при последующем упругом рассеянии на атомах образца могут передать атомам энергию, превышающ. Ed, при этом образуются вторично выбитые атомы, некоторые из которых смогут выбить из положения равновесия другие атомы ТТ. итд

углы отдачи имеют различн. значения →часть выбитых атомов будет иметь направление скорости к поверхности ТТ и если их энергия вблизи поверхности будет больше энергии связи на поверхности (энергии сублимации) Es ~5эВ, то результатом КС будут атомы, вылетевшие из ТТ- распыленные атомы, а процесс выбивания атомов – распыление.

коэффициент распыления

Y = Nрасп /N0+,

где N0+ – число ионов первичного

пучка,Nрасп – число распыленных атомов

Если КС успевает релаксировать до времени прихода в образец следующего иона пучка, то это режим ионного облучения, отвечающ. линейным КС. Считается что концентрация атомов, выбитых из положений равновесия невелика, и преобладают столкновения движущихся атомов с неподвижными.

7.2

Для ионов больших масс (М1 100) характерен режим нелинейных КС, когда

большинство атомов внутри некоторого объема находится в движении.

Расчет коэфф. расп. при облучении по нормали к поверхности в режиме линейных КС может быть выполнен по модели Зикмунда

1.Средний пробег иона в ТТ от одного столкновения до другого l = n01/3.

2.Столкновения иона происходят с каждым атомом М2 по ходу движения иона, поэтому переданная атому энергия E2 (dE/dl)n = Sn(E)n0 / n01/3 = Sn(E)n02/3.

3.Число выбитых из равновесия атомов в одном каскаде nсм = Е2/2Ed.

4.движениея выбитых атомов – изотропно, к поверхности движется nсм /3 атомов

тогда

N

расп

= N + nсм =

N0+

n2/3

Sn (E)

 

 

 

0

3

6

0

Ed

 

 

 

 

 

Вылететь из образца могут лишь атомы, образовавшиеся в линейных КС вблизи поверхности, поэтому в качестве Е можно взять энергию ионов в пучке Е0, n0 5 1022 ат/см3, n02/3

1,4 1015 , то

Y = 0,23

15 Sn (E)

Если более точно учесть направление движения атомов в КС,

10

 

 

 

зависящее от отношения масс f(М2/М1) и ввести Es = Ed/2, то

 

Ed

 

 

 

 

 

 

получится формула Зикмунда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

расчет по этой модели будет корректен для

Y = 0,42

f (M2 / M1)

Sn (E0 ) 1015

тяжелых ионов с Е0 = 5-10 кэВ и некорректен для

 

 

 

Es

 

легких ионов с Е0 > 1 кэВ, т.к для этих ионов

преобладают электронные потери, которые необходимо учесть

 

 

 

 

Полуэмпирическая формула Матсунами,

 

 

 

α(M

 

/ M

)S

 

(E

)

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

Y = 0,42

1015

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

1

 

n

0

1

 

 

th

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

[1+0,35se 0 )]Es

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0,155(M2

/ M1 )

0,73

 

 

M2

/ M1 50

 

 

 

 

α(M2 / M1 ) =

0,1+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

M2

/ M1 > 50

 

 

 

 

 

 

 

 

0,321+0,0332(M2 / M1 )

 

 

 

 

 

 

1,5[1+1,38(M1

/ M2 )h ]2

 

 

 

 

 

 

 

0,834

M2 > M1

Eth = ξEs ,

ξ =

 

 

 

 

 

 

 

,

Λ =

 

,

h = 0,18

M

 

< M

,

 

 

 

Λ

 

 

 

(1+ γ)2

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

se(ε0) – приведенная электронная тормозная способность при энергии Линдхарда, соответствующей энергии Е0.

Yj0At = n0Ah →скорость распыления

7.3

Y(E0) для любых пар ион/образец имеет максимум при энергии иона, которая

соответствует максимальному Sn(E0) для данной пары.

Y для большинства пар 1÷5 (кроме М1 100, когда режим нелинейных КС). Для легких (водород, гелий) Y ~ 10-2÷ 10-1.

Энергетический спектр dNрасп /dE при облучении Cu образца ионами Ar с энерг. 10 кэВ.

←Максимум спектра при энергии ~ 10 эВ,

При облучении образца по нормали к поверхности угловое распределение

распыленных атомов следует

закону dNрасп/d

= N*cosα

Нормировочная константа N* определяется из

Nрасп =YN0+ = (dNрасп / d)dΩ =

N *(π/ 2 cosαsin αdα2πdϕ = N *sin2 α 2

 

π/ 2

= πN *

и в итоге

 

0

 

 

0

 

 

 

0

 

 

dNрасп

=

Nрасп

cosα =

YN +

cosα

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

d

π

 

 

 

 

 

 

π

 

 

 

 

 

В случае наклонного облучения образца, можно считать, что кол-во распыленных атомов пропорц. траектории бомбардирующего иона и распыляются лишь атомы, выбитые из положения равновесия на расстояниях от поверхности не больших d.

если Nрасп (0) – кол-во распыленных при бомбардировке по нормали, а Nрасп (θ) – кол-во распыленных под углом θ к нормали,

то Nрасп (θ)/Nрасп (0) R0/d = (d /cosθ)/d = 1/cosθ

а коэффициент распыления Y (θ) = cosY θ

Ионное травление образца. -------------------------------------------------

Ионный пучок с плотностью j0 облучает на образце поверхность площадью А. Коэфф. расп. образца Y. За время обл. t из образца

удалится Nрас = Yj0At атомов, что соответствует толщине h. или объему Vрас = Ah. Ат. конц. образца n0, в объеме содержится N = n0Ah атомов.

vs = h/t = Yj0/n0

7.4

Если образец моноатомный с плотностью ρ, то n0 = NАρ/М2

 

 

скорость ионного травления

 

 

 

v = Yj0M2

=1,04 Yj0M2

2

3

 

s

NAρ

ρ

где j0 в мА/см , ρ в г/см

 

 

Ионное травление осуществляют с помощью ионов Ar с энергией 5-10 кэВ, так как именно при ней Sn(E0) для большинства материалов мишени имеет максимум, и Y(E0)

максимален.Например, при травлении Cu (ρ = 8,93 г/см3) ионами Ar с E~ 5 кэВ (Y = 5,5) и j~1 мА/см2 получается vs = 40Å/с и, за 1 час можно удалить слой ~ 15 мкм.

В случае полиатомных образцов используют метод среднего атомного номера.

Процесс распыления, когда Y 1 и флюенс облуч. F(см 6.4) велик, другой Упрощающие предположения:

- скорость распыления одинакова для имплантированных атомов и атомов материала образца -изменение объема из-за имплантации несущественно

происходит унос в-ва с пов-сти и начало координат сдвигается со скоростью vs. →профиль концентрации имплантированных ионов после времени облучения t будет(см 6.4!)

 

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j0

 

t

 

 

n(z,t) =

n(z +vst')dt'=

 

 

 

 

 

 

 

 

exp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2π R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

используем функцию ошибок

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

erf (x) =

 

2

 

 

x eu2 du

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

π 0

 

 

 

2

 

x2 eu2 du =

2

 

x2 eu2 du

 

2

 

 

x1 eu2 du = erf (x2 )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

π x

 

 

 

π 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

π 0

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(vst + z 2Rp )2 dt' 2Rp

замену переменной

(vst'+z Rp ) / 2Rp = u,

erf (x1). dt'= du2Rp / vs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(vst+zRp )/

 

Rp

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j0 2 Rp

 

 

j0

 

 

vst + z Rp

 

 

 

z Rp

 

n(z,t) =

exp(u

2

)du =

 

 

 

 

 

R

v

 

 

2v

 

erf

 

 

 

R

 

 

erf

 

 

 

R

 

 

 

 

 

 

2

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

s

 

 

 

 

 

 

s

( zRp )/ 2Rp

 

 

 

 

 

p

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p

Т.к j0/vs = n0/Y, F = j0t, то vst = YF/n0 , то профиль концентрации имплантированных ионов с учетом распыления

 

 

n

 

z R

p

+YF / n

 

z R

p

 

 

 

n(z, F / j0 ) =

erf

 

 

 

 

0

 

erf

 

 

 

 

 

при увеличении

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

R

 

 

 

2

 

 

 

 

времени облучения

 

 

 

 

p

 

 

R

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p

концентрация не

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

зависит от F Максимальная концентрация на поверхности образца на график места нет

 

 

 

 

Отраженные и вторичные электроны ЭЭэмиссии . Энергетический спектр и 8.1 угловые характеристики .Расчет удельных потерь энергии и траекторного

пробега.

пучки с энергией не превышающей 100 кэВ. Оценим релятивистскую поправку для них Екин = eU = mc2mec2, где U – ускоряющая разность потенциалов, m – релятивистская

масса электрона, c – скорость света. → m = me + eU/с2. но m = me / 1v2 / c2 и v = c1me2 / m2 . Импульс электрона

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

eU

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

eU

 

 

 

 

 

 

me

 

 

 

 

 

 

 

p = mv = me +

 

2

c

1

 

 

 

2 =

 

2

c

 

 

eU

2meeU 1+

2mec

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m

c2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Введем "потенциал покоя" электрона U0 в соответствие с mec2 = eU0 (= 0,511 МэВ) Тогда импульс

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

p =

 

1+

U

= p 1+

 

 

2m eU

 

,где ркл – классический импульс.

 

2U0

 

 

e

2U0

кл

 

 

 

 

 

 

При U = 100 кВ получаем р 1,05 ркл, релятивистскими поправками пренебрегаем.

При взаимодействии электрона с энергией Е, с ядром атома максимальная переданная ядру

энергия Е2max 4Е(me/m2) << Е. → рассеяние электронов пучка на ядрах атомов

образца происходит без изменения их кинетической энергии. направление движения электрона существенно измениться.

При взаимодействии с электроном максимальная переданная энергия равна Е и угол рассеяния - любойот 0 до π. В результате многократных актов рассеяния (как на ядрах, так и на электронах) скорость электрона может оказаться направленной из образца к поверхности.

Если энергия такого электрона больше работы выхода из образца, то электрон вылетит.

такие электроны, с энергией > 50 эВ- отраженные электроны, а характеристика процесса

коэффициент отражения электронов η = Nотр/N0,

где N0 – число электронов, попавших на образец за время облучения, Nотр – число всех электронов, вылетевших из образца, с энергиями больше 50 эВ.

отраженные электроны имеют непрерывный энергетический спектр, начинающийся с Е0 При торможении электрона из пучка в мишени вдоль его траектории возникают возбужденные электроны –получившиеся в результате передачи электроном из пучка энергии, превышающей энергию связи. они движутся из области образования во все стороны, и далее теряют энергию во взаимодействиях или уходят из ТТ. вторичными электронами называют электроны, вылетевшие из образца с энергиями меньше 50 эВ.

Коэфф. выхода вторичных электронов

δ = Nвтор/N0,

Nвтор – число электронов,

вылетевших с E < 50 эВ.

 

 

процесс выхода электронов из образца при облучении электр. пучком электрон-электронная эмиссия. характеризуется коэфф. эмиссии

8.2

Для металлов макс. значения σ = 0,5-1,8 при Е0 = 0,2-0,9 кэВ.

Для полупроводников σ = 1-1,5 при Е0 = 0,3-0,8 кэВ.

Для диэлектриков σ = 2-5 при Е0 = 0,2-0,5 кэВ.

←вид энергетического спектра электронов ЭЭэмиссии при облучении образца электронами с энергией Е0.

Площадь под кривой = полное число отраженных и вторичных электронов. Наибольший вклад в электрон-электронную эмиссию дают вторичные электроны, которым соответствует пик в области малых энергий (1-5 эВ). На фоне непрерывного спектра при определенных энергиях наблюдаются небольшие пики, обусловленные Оже-электронами, но о них потом.

Зависимости η и δ от атомного номера материала образца при Е0 = 30 кэВ.→

При облучении образца по нормали к угловое распределение эмитированных электронов dN/d = N*cosα, N* определяется аналогично 7.3 для ненормальных падений тоже в 7.3

δ(θ) = δ/cosθ.

η от θ зависит слабо

Угловое распределение отраженных электронов вытягивается вдоль направления угла зеркального отражения. →

удельные потери энергии электронов при их движении в твердом теле и траекторный пробег.

Приближение непрерывного торможения:

-Электрон теряет энергию вдоль всей траектории непрерывно;

-Энергия электрона в любой точке траектории однозначно определяется длиной пройденного пути.

дифф. сечение передачи энергии электронам ТТ (передачей энергии ядрам атомов, можно пренебречь см.5.3) проинтегрировать по всем возможным переданным энергиям

dE

 

E2 max

= −n*

E2dσ *(E2 )

dl

 

E2 min

 

 

В нашем случае n* = n0Z2 = NAρZ2/M2. Пот-ал взаимод. между электронами кулоновский,

dσ* = (πe4/E)dE2/E22 (см 3.2),

E2max = Е, E2min = (средняя энергия ионизации

атома образца).

 

8.3

 

dE

(E) = −

πZ2e4n0

ln

E

= −

πNA ρZ2e4

ln

E

получим

dl

E

Iˆ

M2

Iˆ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

то же, но с учетом возбуждения электронной подсистемы атома -формула Бете

dE

(E) = −

Z

e4n

ln

1,16E

= −

N

 

ρZ

e4

ln

1,16E

dl

2

0

Iˆ

 

A

2

 

Iˆ

 

E

 

 

M2

 

 

Понятие тормозной способности для электронного пучка не вводится.

траекторный пробег в рамках всех этих штук

l = 0

dl

 

E

dE

 

 

 

M 2

 

 

 

 

 

E

 

 

 

EdE

 

 

 

 

 

 

 

dE = −0

 

 

=

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

NAρZ2e

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E0 dE

 

0 dE / dl

 

 

 

0 ln 1,16E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iˆ

 

 

 

 

 

 

 

для удобства вычисления используют безразмерные переменные

 

 

 

 

ε = bE ,

 

гдеb =1,16;

 

 

 

 

dE

 

NAρZ2e4

 

ln ε

 

 

 

Iˆ

 

 

 

 

 

 

 

 

dl = −

 

 

 

 

M2

 

 

 

 

 

 

r = Kl,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(Iˆ / b

 

 

 

пробег

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ˆ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

NAρZ2e

4

b

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где K =

 

 

.

dE

 

 

 

 

 

 

 

ε

 

 

 

b NAρZ2e

4

dε

 

 

 

Iˆ

 

 

 

 

 

 

 

b

 

 

 

=

 

 

 

 

M2

 

 

2

 

 

dl =

 

 

 

 

 

 

Iˆ

M2

 

dr

 

 

 

 

 

 

 

Iˆ2

 

 

 

M2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

b2

NAρZ2e4

 

 

 

 

 

 

 

 

r = 0

drdε = −0

 

 

 

dε

 

 

 

 

ε

 

 

 

 

 

 

 

dε/dr = –lnε/ε

 

 

 

 

=

0 εdε

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε0

dε

ε0 (dε/dr)

 

 

 

0 lnε

 

 

 

 

При

r =

ε

ε0 ε*

0 формула Бете неприменима →интегрировать от ε* > 1. замена переменной х = ε2,

εdε

 

 

 

 

 

d2 )

2

dx

 

 

 

Значение ε* выбирается так, чтобы

 

 

 

ε0

 

 

 

 

ε0

 

2

2

li(ε*2) = 0, что соответствует ε* =

lnε

 

=

 

lnε2

= 2

 

 

= li(ε

 

) li(ε* )

1,208.

 

lnx

0

 

 

 

 

 

 

ε*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ε*

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

траекторный пробег (в мкм) электронов в

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

меди от начальной энергии (в кэВ).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

010

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

30

 

40

50

 

9.1

Сечение ударной электронной ионизации, Оже-электроны, Оже-переходы,

переходы Костера-Кронига, излучательные переходы,линии характ.

 

рентгеновского излучения, вероятности рентгенфлуоресценции и Оже-перех.

 

Сечение ударной электронной ионизации

ударная электронная ионизация -при взаимод. электронов пучка с электронами атомов ТТ, переданная им энергия больше энергии связи Есв электрона в атоме и на одной из оболочек атома образуется вакансия . Сечение этого процесса σи ищем в малоугловом приближении:

0| |р1|, где р0 – импульс электрона до рассеяния, р1 – после рассеяния. |р| = 2р0sin(θ/2). Сила, действующая между взаимодей-ствующими электронами, F = e2/r. Т.к dp = Fdt, то

сила

действует

вдоль оси z'.

в СЦМ(см 2.1) рассеяния частицы приведенной массы

ось z' будет совпадать с прямой, соединяющей силовой центр с точкой наибольшего сближения→.

Изменение импульса можно записать в виде

p = (dp)z' = F cosαdt = F cosα(dt / dα)dα

сохраняется момент количества движения mev0ρ = mer2(dα/dt), → dt/dα = r2/v0ρ.

 

α2 e2

 

 

r2

 

e2

 

 

 

p = r2 cosα

 

 

dα =

 

 

(sin α2

ρv

 

ρv

 

 

α1

 

 

 

 

0

 

 

 

0

 

 

 

α2 = α0, α1 = –α0

 

 

и α0 = 90о θ/2

p =

2e2

sin α

0

=

2e2

cos

θ

 

2e2

ρv

ρv

2

ρv

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

0

Энергия, переданная атомному электрону

 

Е0 энергия электрона из пучка перед

 

 

 

взаимодействием с атомным электроном.

 

ρ2 = (е4/Е0)/Т

 

dρ = –(е4/Е0)(/Т2)

sin α1)

T =

(p)2

=

4e4

 

=

e4

 

2m

2m ρ2v2

ρ2 E

0

 

 

 

 

e

 

e

0

 

 

dσи =

 

2πρdρ

 

=

πe4

dT

Tmin = Eсв , Tmax = E0 интегрируем

 

 

 

 

E0

T 2 ,

 

 

 

 

 

9.2

σи =

E0

πe

 

dT

=

πe

 

 

1

 

 

 

4

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

E0

T

 

E0

Eсв

 

 

 

 

 

Eсв

 

 

 

Если E0 >> Eсв, то σи = πе4/E0Eсв = πе4/(Eсв)2х,

При х 1 ударная электронная ионизация невозможна и σи = 0.

при больших х величина σи ~ 1/х σи(х) должно иметь максимум.

σи(х) имеет максимум при E0 = (3-4) Eсв

1

E0

где х = E0/Eсв.

квантовые числа:

главное квантовое число n = 1, 2, 3, …7 –

определяет основное значение энергии электрона в атоме, которое в первом приближении есть –13,6Z 2/n2 эВ;

орбитальное квантовое число l при заданном n принимает значения 0, 1, 2, …, n – 1, определяет угловой орбитальный момент электрона;

квантовое число углового момента j при заданном l принимает значения l ± 1 ,

характеризует полный угловой момент электрона.

магнитное квантовое число mj при заданном j принимает все полуцелые от - j до + j , определяет проекцию полного углового момента электрона на заданное направление. Электроны с одинаковым n, образуют оболочку. Макс. число электронов в оболочке 2n2, Электронные оболочки обозначают→:

Состояния с различн. l

↓:

 

 

n

1

2

3

4

5

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

символ

K L M N O

P

l

0

1

2

3

 

4

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

символ

 

s

p

d

f

 

g

h

Число состояний с одинаковыми n, l и j равно 2j + 1

спектороскопические обозначения↑

 

 

 

 

 

 

 

 

Рентгеновские обозначения подоболочек

K,L1,L2,L3,M1,M2,M3,M4,M5

 

 

Оже-процесс

вылетевший электрон – Оже-электрон

переход обозначается KL1L1 первом место -подоболочка, где произошла ударная ионизация, второе –подоболочка, с

которой произошел переход электрона на новую вакансию, третье –подоболочка с которой электрон вышел из атома.

обозначение Оже-перехода включает конечное состояние атома в спектроск. обозначениях. Этот переход оставляет пустой 2s и полностью заполненную 2р, поэтому полное обозначение

перехода

KL1L1 (2s02р6).