Запоминающие элементы
Известны конденсаторные ЗЭ разной сложности. В последнее время практически всегда применяют однотранзисторные ЗЭ – лидеры компактности, размеры которых настолько малы, что на их работу стали влиять даже ачастицы, излучаемые элементами корпуса ИС. Электрическая схема и конструкция однотранзисторного ЗЭ показаны на рис. 9.9.
Рисунок 9.9 – Схема и конструкция запоминающего элемента динамического ЗУ
Ключевой транзистор отключает запоминающий конденсатор от линии записи-считывания или подключает его к ней. Сток транзистора не имеет внешнего вывода и образует одну из обкладок конденсатора. Другой обкладкой служит подложка. Между обкладками расположен тонкий слой диэлектрика – оксида кремния SiO2. В режиме хранения ключевой транзистор заперт. При выборке данного ЗЭ на затвор подается напряжение, отпирающее транзистор. Запоминающая емкость через проводящий канал подключается к линии записи-считывания и в зависимости от заряженного или разряженного состояния емкости различно влияет на потенциал линии записи-считывания. При записи потенциал линии записи-считывания передается на конденсатор, определяя его состояние.