Электронография

92. Какова точность определения межплоскостного расстояния электронографическим методом?

Точность определения межплоскостных расстояний на кольцевых эл-граммах не превышает 10^-3 А, т.к. регистрируются линии с малыми (до 2°-3°) углами дифракции. Из-за размытости рефлексов на точечных эл-граммах точность измерения периодов еще ниже.

93. Для чего используется эталон при расчете электронограмм?

Эталон используют для определения постоянной эл-графа С=λ_элL, где L – расстояние от объекта до экрана, λ_эл - длина волны эл. излучения.

94. Что такое постоянная электронографа? От чего она зависит?

Постоянная эл-графа С=λ_элL, где L – расстояние от объекта до экрана, λ_эл - длина волны эл. излучения. Зависит от ускоряющего напряжения (от которого зависит длина волны) и L.

95. Как определить постоянную электронографа?

Постоянная электронографа определяется при съемке эталонных веществ (например, MgO, NaCl) с известными d/n при тех же условиях (U,λ), что и исследуемый образец. C находят из уравнения: d/n=C/R, R определяют из эксперимента.

96. Почему в электронографии уравнение Вульфа-Брегга имеет специальный вид?

Уравнениие В-Б: d/n= λ_элL/R=C/R. Т.к. λ_эл мало, то 2sinθ≈2θ≈2tgθ=tg2θ. tg2θ=R/L, а, значит, 2dsinθ=nλ переходит в dR/L=nλ или d/n=λL/R=C/R

97. Почему эл-граммы являются неискаженными проекциями обратной решетки?

Эл-грамма, полученная от монокристалла, представляет собой систему точек. Точечная эл-грамма, которая, как следует из рисунка, является неискаженной увеличенной проекцией нулевой плоской сетки ОР, перпендикулярной первичному пучку. (Сфера отражения из-за малости λ_эл имеет очень малую кривизну и вблизи узла (000) может считаться плоскостью).

98. Почему фазовый анализ быстропротекающих процессов легче проводить с помощью дифракции электронов?

Дифракционная картина регистрируется быстро на фотопленку или визуально наблюдается на экране. Время регистрации – секунды или доли секунд – благодаря большой интенсивности интерференцион. максимумов.

99. Почему фазовый анализ тонких пленок легче проводить с помощью дифракции электронов?

Малая проникающая способность электронов и малая толщина в-ва, необход. для создания дифрак. картины достаточной интенсивности. Для электронного излучения при U=100кВ глубина проникновения (2-5)*10^-4 мм, миним. толщина, необходимая для создания дифр. картины: 10^-6 – 10^-5 мм.

100. Почему фазовый анализ материалов, содержащих тяжелые и легкие атомы, легче проводить с помощью дифракции электронов?

Атомная функция рассеяния для электронов слабее зависит от z (заряд ядра), чем для рентген. лучей. Можно определять структуру (особенно положение С и N) карбидов и нитридов металлов (Fe, Ni, Nb и даже W).

101. Какая информация необходима для проведения качественного фазового анализа в электронографии? Как ее можно получить?

Необходимо снять электронограмму образца, затем при тех же условиях снять эл-грамму эталона и определить постоянную эл-графа. Зная после этого С и определяя R из кр-ия Вульфа-Брегга d/n=C/R, получают d/n и определяют фазу.