Министерство образования и науки РФ

Казанский Государственный Технический Университет им А. Н.Туполева

Институт радиоэлектроники и телекоммуникаций

Кафедра технологии радиоэлектронных средств

Курсовой проект

по дисциплине

"Технология микросхем"

Тема проекта:

Технологический процесс изготовления платы интегральной микросхемы – фильтра.

Выполнил:

студент группы 5410

Аюпов Э.И.

Руководитель:

Гайнуллина Н.Р.

Казань 2012

План-график

Выполнения курсового проекта по дисциплине

«Технология микросхем»

неделя	Содержание работы	% выполнения	Кол. баллов
2	Получение и анализ задания	10
3-4	Выбор метода напыления пленок и способа формирования рисунка элементов	20
5-6	Характеристика используемых материалов. Выполнение рабочего чертежа оригинала одного из слоев ГИМС.	30
7-8	Выполнение технологических расчетов. Составление маршрутной технологии изготовления платы ГИМС.	50
9-10	Составление операционной технологии получения одного из слоев ГИМС. Анализ конструкции и выполнение сборочного чертежа оснастки.	70
11-12	Оформление технологического процесса на картах.	80
13-14	Выполнение рабочего чертежа детали* оснастки.	90
15-16	Оформление пояснительной записки. Защита проекта.	100

*деталь должна быть сопрягающаяся, с указанием допусков (и № квалитета и цифра в мкм)

Содержание

Задание на курсовой проект 2

План-график 3

Содержание 4

Аннотация 5

Введение 6

Анализ задания, технологический контроль документации 8

Выбор технологического процесса 9

Схема технологического процесса 11

Выбор установки для напыления 14

Характеристики материалов 16

Технологические расчеты 17

Список литературы 20

Примечание:

Разработанный процесс на технологических картах 21

Топологический чертёж 31

Чертёж детали 32

Аннотация

Выполнена технологическая разработка платы фильтра в гибридном тонкопленочном варианте. Произведен расчет технологических параметров, исследована точность тонкопленочных резисторов. Разработан технологический процесс изготовления платы.

Введение

Микроэлектроника как современное направление проектирования и производства электронной аппаратуры различного назначения является катализатором научно-технического прогресса. Автоматизация производства, создание гибких перестраиваемых роботизированных микросхем, систем, развитие автономных систем немыслимо без применения интегральных микросхем, микропроцессоров и микросборок. Технология изготовления изделий микроэлектроники обеспечивает в первую очередь высокий уровень производительности труда, комплексную микроминиатюризацию электронной аппаратуры связи, автоматики, вычислительной техники и вбирает в себя передовой опыт и достижения многих отраслей и науки и техники: от физики взаимодействия атомных и ядерных частиц веществом до микрометаллургии и прецизионной химической технологии.

Наиболее перспективной в конструктивном и технологическом отношениях является радиоэлектронная аппаратура, основой которой служат функциональные микроэлектронные узлы – интегральные микросхемы.

Интегральной микросхемой (ИМС) называется микроэлектронное изделие, имеющее высокую плотность упаковки элементов соединений между ними, при этом все элементы выполнены нераздельно и электрически соединены между собой таким образом, чтобы с точки зрения испытаний, поставки и эксплуатации изделие рассматривалось как единое целое. Интегральная микросхема имеет малую массу, габариты и потребляемую мощность РЭА.

Гибридная пленочная интегральная микросхема – ИМС, которая наряду с пленочными элементами, полученными с помощью интегральной технологии, содержит компоненты, имеющие самостоятельное конструктивное оформление. В зависимости от метода нанесения пленочных элементов на подложку различают тонкопленочные (напыление в вакууме) и толстопленочные (трафаретная печать) гибридные ИМС. Гибридные ИМС имеют худшие технические показатели (размеры, массу, быстродействие, надежность), чем полупроводниковые ИМС. В то же время они позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного и даже мелкосерийного производства. Это объясняет менее жесткими требованиями к фотошаблонам и трафаретам, с помощью которых формируют пленочные элементы, а также применением менее дорогостоящего оборудования. В составе пленочных ИМС возможно получить резисторы с точностью 5%, а с применением подгонки – до десятых долей процента. Гибридно-пленочная технология позволяет реализовать практически любые функциональные схемы.