
- •5) Размерная классификация дефектов
- •6)Классификация дефектов по характеру разупорядочения кристаллической решетки,
- •7)Сущность ассоциированных дефектов, a и f – центры
- •13. Законы Фика для диффузии примесных атомов
- •1 0) Примеры взаимодействия дефектов
- •16) Радиационные дефекты.
- •14) Эффекты Френкеля и Киркендала
- •18) Ближний и дальний порядок. Квазикристаллы
13. Законы Фика для диффузии примесных атомов
Процесс диффузии заключается в самопроизвольном стремлении системы к выравниванию концентраций атомов. Атомы А перемещаются в том направлении, где их меньше. Перенос атомов в системе происходит в результате хаотических блужданий. Таким образом, в системе одновременно сосущест- вуют два вида движения частиц: хаотическое—тепловое и на- правленное—дрейф. Второе обязано некй движущей силе, действующей в системе. Такой силой может быть градиент: кон- центрации, температуры, электрического поля или в общем случае — химического потенциала. Макроскопическая теория диффузии рассматривает основ- ную задачу: проникновение растворяемого вещества с по- верхности твердого тела (растворителя) в его объем. Соот- ветственно решением этой задачи является распределение концентрации С (х, у, z, t, T), т.е. зависимость концент- рации диффундирующих частиц С от координат х, у, z, времени процесса t и температуры Т при поверхностной начальной концентрации С0. Модификацией этой задачи является другая: установить характер перераспределения начального распределения частиц в объеме С0(х, у, z) при действии одной или несколь ких движущих сил.При этом очевидны два обстоятельства. Первое состоит в том, что макротеория отвлекается от механизма диффузии, т.е. не анализирует способ перемещения атомов диффузанта в твердом теле. Отсюда: природа вещества, в котором протекает диффузия, будет присутствовать в макроскопических решениях в виде неких параметров, определяющих процесс. Для упрощения сделаем еще предположение о диффузии только в одном на- правлении х и независимости концентрации С от других координат у, z. Тогда количество вещества dq, диффундирующего за время dt через поверхность S, будет dq = —DS (дС/дх) dt, где dC/dx — градиент концентрации — движущая сила; D — параметр процесса, называемый коэффициентом диффузии. Он зависит от природы диффузанта и растворителя. Введем понятие плотности диффузионного потока j =
dq/Sdτ как количество диффундирующего вещества dq че- рез единицу поверхности тела в единицу времени. Для изо- тропной среды в одномерном случае получим j = -D (дС/дх). Это выражение носит название первого закона Фика} Знак минус в этом выражении показывает, что поток направлен из области с большей концентрацией в область с меньшей концентрацией. Изменение концентрации диффузанта во времени и в про- странстве описывает второй закон Фика:
Второй
закон Фика представляет собой уравнение
в частных производных, и для его решения
необходимо задать на- чальные и граничные
условия. Начальное условие С (х, у,
z, t) при
t
=
0 чаще всего принимается либо равным
нулю, либо постоянной С0.
При задании граничных условий, т.е.
условий на поверх- ности, обычно задают
концентрацию С (0, t)
или
поток (dC/dx). В результате решения уравнения
(2закон) получают рас- пределение
концентрации по толщине образца во
времени С (х, t)
или
для трехмерного случая: С (х, у,
z, t).
В
решениях
этих уравнений ве- личина имеет
размерность
длины и характеризует расстояние, на
котором концентрация диффундирующих
атомов спадает в е раз. Этот путь называют
диффузионной
длиной.
При диффузии по механизму вытеснения (5) атом сначала попадает в межузлие, а затем выталкивает ближайший сосед- ний атом из узла и становится на его место. Вытесненный в межузлие атом выталкивает следующего соседа и т.д. Под номером 6 на рис. 4.26 показан краудионный механизм1. Краудион представляет группу атомов, сжатую из-за присут-
ствия в их ряду лишнего атома. Диффузия происходит путем небольших смещений каждого атома этого ряда вдоль некото- рого направления. Диффузионный перескок атома, соседнего с вакансией, происходит следующим образом. Атом ν раз в секунду ударяется о барьер из атомов, окружающих вакантный узел. Если его энергия в какой-то момент времени будет достаточна для того, чтобы преодолеть этот барьер (рис. 1), то атом занимает вакантный узел V, перемещаясь в соседнюю кристаллографическую ячейку. При этом вакансия перемещается как бы ему навстречу (см. рис. 1).