Висновки

1. Під час виконання курсової роботи було вивчено загальну характеристику процесу епітаксії та методи її проведення. Епітаксія — це метод осадження монокристалічної плівки на монокристалічну підкладку, при якому кристалографічна орієнтація шару, який осаджують, повторює кристалографічну орієнтацію підкладки. Осаджена плівка називається епітаксійною плівкою або епітаксійним шаром. Епітаксія може відбуватися з газової (газофазна), рідинної (рідко) та твердої (твердофазна) фаз. Перевагою першого та другого методів над третім є простота виготовлення та менша трудозатрачуваність.

2. В залежності від матеріалу епітаксійного шару та підкладки розрізняють гомоепітаксію та гетероепітаксію. При гомоепітаксії хімічний склад шару і підкладки співпадають, наприклад, при осадженні кремнієвого шару на кремнієву підкладку. При гетероепітаксії хімічні склади епітаксіяльного шару та підкладки різні. Проте тип та основні параметри кристалічних решіток повинні бути однаковими.

3. Гетероепітаксія дозволяє отримувати гетеропереходи, які володіють специфічними електрофізичними характеристиками.

4. Епітаксія на діелектричних та металічних підкладках відкриває великі можливості для розробки нових типів мікросхем.

5. Гетероепітаксія кремнію на ізолюючих підкладках являється одним з перспективних напрямків в технології інтегральних мікросхем, так як в цьому випадку природним шляхом вирішується проблема ізоляції елементів схеми на підкладках. 

Список літератури

1. Готра З.Ю. Технологія електронної техніки: Навч. Посібник: у 2 т. / З.Ю. Готра. – Львів: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2010. – Т.1. – 888 с.

2. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ./ Под ред. А.В. Шальнова / И. Броудай, Дж. Мерей. — M.: Мир, 1983. — 494 с.

3. Ефимов И.Е. Основы микроелектроники: Учебник. 3-е изд., стер. / И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь.– СПб.:Издательство «Лань», 2008. – 384 с.

4. Закалик Л. І. Основи мікроелектроніки. Навчальний посібник. / Л.І. Закалик, Р.А. Ткачук.– Тернопіль: ТДТУ ім. І. Пулюя, 1998. –352 с.

5. Епітаксійні шари GaAs отримані газофазною хлоридною епітаксією з використанням галієвого джерела легованого ітербієм / С.І. Круковський, Д.М. Заячук, І.О. Мрихін та ін. //Фізика і хімія твердого тіла. – 2009. – Т. 10, №3. – С. 594-597.

6. Богданович Б.Ю. Технологии и методы исследования структур КНИ. / Б.Ю. Богданович. – М. : МИЭТ, 2003. – 288 с.

7. Андрєєв В.М. Кремниевые структуры для приборов микроелектроники. / В.М. Андрєєв, Д.В. Зинов'єв. – М.: МИЭТ, 2006 – 346 с.

8. Козлов Ю.Ф. Структура кремний на сапфире: технология, свойства, методы контроля, применение. / Ю.Ф. Козлов, В.В. Зотов. – М.: МИЭТ, 2004 – 287 с.

9. Палатник Л.С. Эпитаксиальные пленки. / Л.С. Палатник, И.И. Папиров. – М.: Наука, 1971 – 480 с.

10. Палатник Л.С. Механизм образования и структура конденсированных пленок. / M.Я. Фукс, В.M. Косевич. – M.: «Наука», 1972 —318 с.

11. Електромеханічні, терморезистивні і фотоелектричні перетворювачі на основі монокристалів системи Si-Ge / Р.І. Байцар, С.С. Варшава, Е.П. Красноженов та ін. // Журнал неорганічних матеріалів. – 1996. – Т.8, №7. – С. 789-793.

12. http://journals.ioffe.ru/ftp/2010/10/p1433-1435.pdf - Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно совершенных пленок кремния на сапфировой подложке, дата доступу: 20.11.2012 р.

13. A one dimentional SiGe superlattice grown by UHV epitaxy / E. Kasper, H.J. Herzog // Appl.Phys. – 1975. – V.1, №8. – P. 199.

14. Fabrication of n- and p-channel in-plane-gate transistors from Si/SiGe/Ge heterostructures by focused laser beam writing / M. Holzmann, P. Baumartner, C. Engel //Appl.Phys. Lett. - 1996.- V.6, №21 - P. 3025-3027.

15. Pseudomorphic growth of Ge_xSi_1-x on silicon by molecular beam epitaxy / J.C. Bean, T.T. Shang //Appl.Phys.Lett. – 1984. – V. 4, №44. – P.102.

16. Growth contol of Ge_xSi_1-x/Si strained layer superlattice by the RHEED intencity oscillation / T. Sakamoto, K. Sacamoto, H. Oyange //Journal Phys. Paris. – 1987. – V. 7, №48. – P.5-333.

17. Non-ideal current-voltage characteristics in MBE-grown Si_1-XGe_x/Si heterojunction bipolar transistors / V. Roberts, D. Allsopp //Semicond. Sci. And Technol. – 1996. – V. 9, №9. - P.1346-1353.

18. http://www.intel.com/cd/corporate/techtrends/emea/rus/376689.htm - Исследования в области диэлектриков High-k и металлических затворов, дата доступу: 23.11.2012 р.

19. http://citforum.ru/hardware/microcon/45_nm/ - 45 нм: все только начинается, дата доступу: 23.11.2012 р.

20. http://www.3dnews.ru/cpu/intel_penryn/ - Intel Penryn: первые 45 нм процессоры, дата доступу: 24.11.2012 р.