12.6.4 Страничный режим, 64 Кбайт внешнего пзу, 64 Кбайт внешнего озу

80C251SB на рис. 12-18 показан в страничном режиме с внешним ПЗУ 64 Кбайт и с внешним ОЗУ 64 Кбайт. МК 80C251SB сконфигурирован так, что RD# стробирует адреса  7F:FFFFH, a PSEN# стробирует адреса  80:0000H (RD1 = 1 and RD0 = 1).

Эта система похожа на систему изображенную на рис. 12-13 на стр. 12-17 за исключением того, что она спроектирована в страничном режиме. Обе системы имеют одинаковую карту памяти (рис. 12-14 на стр. 12-18), и комментарии по адресации внешнего ОЗУ здесь также применимы.

Задание 2.а) Нестраничный режим, 128 Кбайт внешнего ОЗУ

(Example 3: RD1:0 = 01, 17-bit Bus, External RAM).

In this example, an 87C251SB/83C251SB operates in nonpage mode with a 17-bit external address

bus interfaced to 128 Kbytes of external RAM (Figure 13-21). The 87C251SB/83C251SB

is configured so that RD# functions as A16, and PSEN# is asserted for all reads. Figure 13-22

shows how the external RAM is addressed in the internal address space.

Схема на рис 12-15 представляет 87C251SB/83С251SB в нестраничном режиме с внешним ОЗУ 128 Кбайт. 87C251SB/83С251SB сконфигурирован так, что RD# функционирует как А16, а PSEN# служит стробом для всех адресов (RD1 = 0, RD0 = 1). В схеме на рис. 12-16 показано, как внешнее ОЗУ адресуется во внутренней области памяти. Нижние 1056 байт внешнего ОЗУ недоступны, так как обращения к нижним 1056 байтам в регионе 00: направляются ко внутреннему ОЗУ.

Задание 2.b) Страничный режим, внешняя флэш-память 128 Кбайт (Example 7:RD1:0 = 01, 17-bit Bus, External Flash).

Схема на рис 12 17 представляет 80C251SB с внешней флэш-памятью объемом 128 Кбайт. Отметим что порт 2 передает как старшие биты адреса (А15:0), так и данные (D7:0) а порт 0 только младшие биты адреса (А7:0).

80C251SB сконфигурирован с 17 битовым внешним адресом и одним сигналом чтения (PSЕN#).

128 Кбайт внешней флэш-памяти доступны страницами FE: и FF: во внутренней области памяти.

Задание 2.с) Страничный режим, 64 Кбайт внешней флэш-памяти, 32Кбайт внешнего ОЗУ

(Example 2: RD1:0 = 01, 17-bit Bus, External Flash and RAM).

In this example, an 80C251SB operates in page mode with a 17-bit external address bus interfaced to 64 Kbytes of flash memory for code storage and 32 Kbytes of external RAM (Figure 13-19). The 80C251SB is configured so that PSEN# is asserted for all reads, and RD# functions as A16 (RD1:0 = 01). Figure 13-20 shows how the external flash and RAM are addressed in the internal address space. Addresses 0420H–7FFFH in external RAM are addressed in region 00:.

On-chip data RAM (1056 bytes) occupies the lowest addresses in region 00:.

80C251SB на рис 12-19 показан в страничном режиме с 64 Кбайт внешней флэш-памяти для хранения программ и 32 Кбайт внешнего ОЗУ. 80C251SB сконфигурирован так, что сигнал PSEN# стробирует все циклы чтения, a RD# функционирует как А16 (RD1 = 0, RD0 = 1). Схема на рис. 12-20 показывает, как флэш-память и ОЗУ адресуются во внутреннюю область памяти. Внешнее ОЗУ доступно по внутренним адресам 00:0420Н-00:7FFFH. Первые 1056 байт внешнего ОЗУ не используются, так как обращения к ячейкам 00:0000Н-00:041FH направляются во внутреннее ОЗУ.

Задание 3.Страничный режим, 128 Кбайт внешней флэш-памяти, 128Кбайт

внешнего ОЗУ

(Example 1: RD1:0 = 00, 18-bit Bus, External Flash and RAM)

In this example, an 80C251SB operates in page mode with an 18-bit external address bus interfaced

to 128 Kbytes of external flash memory and 128 Kbytes of external RAM (Figure 13-17).

Figure 13-18 shows how the external flash and RAM are addressed in the internal address space.

On-chip data RAM (1056 bytes) occupies the lowest addresses in region 00:.

Figure 13-18. Address Space for Example 1

Задание 4. Нестраничный режим, 64 Кбайта внешнего ОЗУ

(Example 4: RD1:0 = 10, 16-bit Bus, External RAM)

In this example, an 87C251SB/83C251SB operates in nonpage mode with a 16-bit external address bus interfaced to 64 Kbytes of RAM (Figure 13-23). This configuration leaves P3.7/RD#/A16 available for general I/O (RD1:0 = 10). A maximum of 64 Kbytes of external memory can be used and all regions of internal memory map into the single64-Kbyte region in external memory (see Figure 4-6 on page 4-11). User code is stored in on-chip ROM/OTPROM/EPROM.

Address Space for Example 4

Информация для справок.

Смотрифайл «Руков251.ZIP [глава 12]» (русский язык) и фирменное руководство пользователя«Mcs251.pdf»в директории «Шеховцов» в компьютерном классе 34а.