
- •2.Место и роль плазменных процессов в технологии микроэлектроники.
- •4.Сечение процесса. Функция распределения электронов по энергиям и определяющие ее параметры. Л1(§1.3, подробности про ур. Больцмана можно опустить), лекции
- •5. Гибель (рекомбинация) нейтральных и заряженных частиц. Л1(§1.4, в конце. Вся математика нужна!), лекции
- •6.Транспорт активных частиц плазмы. Амбиполярная диффузия.
- •7.Транспорт активных частиц плазмы. Плавающий потенциал.
- •15. Способы генерации плазмы. Сравнительная характеристика различных систем.
- •16. Плазменное травление: область применения, типовые реакторы, зависимости скорости от внешних параметров процесса.
- •17 Радикальное травление: область применения, типовые реакторы, зависимости скорости от внешних параметров процесса
- •18 Ионно-плазменное травление: область применения, типовые реакторы, зависимости скорости от внешних параметров процесса.
- •19 Реактивное ионно-плазменное травление: область применения, типовые реакторы, зависимости скорости от внешних параметров процесса.
- •20 Стимулированное травление: область применения, типовые реакторы, зависимости скорости от внешних параметров процесса.
- •21 Методы контроля параметров плазмы и процессов плазменного травления.
5. Гибель (рекомбинация) нейтральных и заряженных частиц. Л1(§1.4, в конце. Вся математика нужна!), лекции
Под рекомбинацией заряженных частиц понимают столкновение носителей противоположного знака, приводящее к их взаимной нейтрализации.( Гетерогенная рекомбинация (реакции частиц на стенках реактора) Доминирует в системах низкого давления)
Кинетика объемной (т. е. протекающей в объеме плазмы) рекомбинации заряженных частиц характеризуется коэффициентом αR , который представляет собой коэффициент в уравнении
Предположив, nn−n и обозначив концентрацию при t = 0 через n0 , решение уравнения можно получить в виде
Из последнего уравнения следует, что коэффициент рекомбинации можно найти, если известна скорость убыли числа носителей заряда в газе после прекращения ионизации. При рекомбинации двух противоположных зарядов их полная внутренняя энергия уменьшается, то есть процесс идет с выделением энергии. Так, например, в случае атомарных ионов величина выделившейся энергии равна разности энергий ионизации положительного иона и сродства к электрону отрицательного иона. В силу требований сохранения импульса и момента количества движения, переход энергии, выделяющейся при рекомбинации, в кинетическую энергию образующихся частиц почти невозможен. Поэтому рекомбинация заряженных частиц может протекать по одному из следующих механизмов: 1. С передачей энергии третьему телу:A+ +B- +C→A+B+C*. 2. С излучением кванта света:A+ +B- →A+B+hν.3. С возбуждением образующихся частиц: A+ + B- → A* + B. 4.Диссоциативная рекомбинация: AB+ + C- → A + B + C.
Под рекомбинацией нейтральных частиц понимают процессы взаимодействия свободных атомов и/или радикалов, приводящие к образованию стабильных молекул.( Гомогенная рекомбинация (реакции частиц в объеме плазмы) Доминирует в системах высокого давления)
Подобно рекомбинации заряженных частиц, такие процессы также идут с выделением энергии, поэтому механизмы рекомбинации обусловлены способностями системы диссипировать эту энергию. Основным механизмом объемной рекомбинации в условиях ННГП является трехчастичный процесс A B M →AB M , где третья частица ( M ) служит «приемником» избыточной энергии, стабилизируя образующуюся молекулу. Поскольку одновременное столкновение трех частиц при низких давлениях является маловероятным, предполагается, что данный процесс имеет комплексный характер:
Анализ формальной кинетики реакций показывает, что скорость образования стабильной молекулы АВ RAB может быть найдена следующим образом:
В
области высоких давлений в пределе
имеем k3nM
k1
,
поэтому выражение для RAB
преобразуется к виду RAB
k2nAnB
.
В области низких давлений k3nM
k1
,
поэтому
что
формально соответствует элементарному
трехчастичному процессу k4
(над
стрелкой)ABM→ABM
.
В разрядах низкого давления доминирующую роль играет гете-рогенная рекомбинация, протекающая на стенках разрядной камеры. В общем случае гетерогенная рекомбинация может протекать по двум механизмам. Первый из них, механизм Лангмюра-Хиншельвуда, предполагает взаимодействие между двумя адсорбированными частицами (рис. 1.4.5,а) и может быть представлен следующим образом:
где
символ S
отвечает поверхности, а A
: S
и B
: S
- адсорбированные состояния частиц.
Эквивалентное кинетическое уравнение
для скорости процесса может быть записано
как R
kRnAnB
,
то есть реакция имеет второй кинетический
порядок по концентрации частиц в газовой
фазе. Наиболее часто реализуемым в
условиях ННГП является второй механизм
- механизм Или-Ридила, - когда адсорбированный
атом взаимодействует непосредственно
с частицей, приходящей на поверхность
из газовой фазы:
Уравнение
скорости процесса для частиц сорта A,
например, может быть записано как R
kR
nB:S
nA
,
при этом nB:S
nsθB
где
ns
-
поверхностная плотность центров
рекомбинации, определяемая типом и
состоянием поверхности, а θВ
-
доля центров рекомбинации, заполненных
адсорбированными частицами сорта B
. В предположении о «насыщенной»
поверхности (все центры рекомбинации
заняты адсорбированными частицами, θВ
=
1) скорость рекомбинации описывается
кинетическим уравнением первого порядка
R
kR
nA
.