Билет №3.
Энергетическая зонная диаграмма полупроводника.
Между зоной проводимости Еп и валентной зоной Ев расположена зона запрещённых значений энергии электронов Ез. Разность Еп−Ев равна ширине запрещенной зоны Ез. С ростом ширины Ез число электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление возрастает.
Ширина запрещенной зоны равна и определяется энергией ковалентной связи.
С повышением температуры ширина запрещенной зоны уменьшается.
Рассеяние носителей заряда в полупроводниках.
Рассеяние
– изменение направления и абсолютной
величины скорости электрона в результате
его взаимодействия с несовершенством
периодического потенциала кристаллической
решетки. Для количественной характеристики
рассеяния служит l
величина длина свободного пробега τ –
среднее время между актами рассеяния.
Билет №4.
Корпускулярно-волновой дуализм. Гипотеза Луи де Бройля.
Корпускулярно-волновой дуализм — принцип, согласно которому любой объект может проявлять как волновые, так и корпускулярные свойства. Любая материальная частица может выражаться как корпускул.
Французский физик Луи де Бройль в 1923г. Выдвинул знаменитую идею, которая стала одной из основопологающей. Электрон (как и любая частица) должен иметь волновые свойства на ряду с корпускуляром. Согласно гипотезе, длина волны связанная с любой материальной частицей.
(1);
;
;
;
Из
(1) следует
т.
волновое число
Кинетические явления в полупроводниках.
Всего теоретически возможно существование более 500 кинетических явлений:
1)Электропроводность - способность тела проводить электрический ток, а также физическая величина, характеризующая эту способность и обратная электрическому сопротивлению.
Ток обусловлен направленным движением носителей заряда.
,
q
– модуль заряда электрона.
2)Эффект Холла — явление возникновения поперечной разности потенциалов (называемой также холловским напряжением) при помещении проводника с постоянным током в магнитное поле. Открыт Эдвином Холлом в 1879 году в тонких пластинках золота.
3)ТермоЭДС
Билет №5.
Понятие эффективной массы электрона в кристалле.
В физике твёрдого тела, эффективной массой частицы называется динамическая масса, которая появляется при движении частицы в периодическом потенциале кристалла. Можно показать, что электроны и дырки в кристалле реагируют на электрическое поле так, как если бы они свободно двигались в вакууме, но с некой эффективной массой, которую обычно определяют в единицах массы покоя электрона me (9.11×10−31 кг). Она отлична от массы покоя электрона.
Определение
Эффективная
масса определяется из аналогии со вторым
законом Ньютона
.
С помощью квантовой
механики можно показать, что для
электрона во внешнем электрическом
поле E:
где
—
ускорение,
—
постоянная
Планка,
—
волновой
вектор, который определяется из
импульса
как
=
,
—
закон
дисперсии, который связывает энергию
с волновым вектором
.
В присутствии электрического поля на
электрон действует сила
,
где заряд обозначен q.
Отсюда можно получить выражение для
эффективной массы
:
Для свободной частицы закон дисперсии квадратичен, и таким образом эффективная масса является постоянной и равной массе покоя. В кристалле ситуация более сложна и закон дисперсии отличается от квадратичного. В этом случае только в экстремумах кривой закона дисперсии, там где можно аппроксимировать параболой можно использовать понятие массы.
Эффективная масса зависит от направления в кристалле и является в общем случае тензором.
Электропроводность.
Электропроводность - способность тела проводить электрический ток, а также физическая величина, характеризующая эту способность и обратная электрическому сопротивлению.
Ток обусловлен направленным движением носителей заряда.
, q – модуль заряда электрона.
