Группа IV

собственные полупроводники (Кремний Si, Германий Ge, Серое олово α-Sn)

составной полупроводник (Карбид кремния SiC, Кремний-германий SiGe)

Группа III-V

2-х компонентные полупроводники (Антимонид алюминия AlSb, Арсенид алюминия AlAs, Нитрид алюминия AlN, Фосфид алюминия AlP, Нитрид бора BN, Фосфид бора BP, Арсенид бора BAs, Антимонид галлия GaSb, Арсенид галлия GaAs, Нитрид галлия GaN, Фосфид галлия GaP, Антимонид индия InSb, Арсенид индия InAs, Нитрид индия InN, фосфид индия InP)

3-х компонентные полупроводники (AlxGa_1-xAs, InGaAs, InxGa_1-xAs, InGaP, AlInAs, AlInSb, GaAsN, GaAsP, AlGaN, AlGaP, InGaN, InAsSb, InGaSb)

4-х компонентные полупроводники (AlGaInP, InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP, AlGaAsP, InGaAsP, AlInAsP, AlGaAsN, InGaAsN, InAlAsN, GaAsSbN)

5-ти компонентные полупроводники (GaInNAsSb, GaInAsSbP)

Группа II-VI

2-х компонентные полупроводники (Селенид кадмия CdSe, Сульфид кадмия CdS, Теллурид кадмия CdTe, Оксид цинка ZnO, Селенид цинка ZnSe, Сульфид цинка ZnS, Теллурид цинка ZnTe)

3-х компонентные полупроводники (CdZnTe, CZT, HgCdTe, HgZnTe, HgZnSe)

Группа I-VII

2-х компонентные полупроводники (Хлорид меди, CuCl)

Группа IV-VI

2-х компонентные полупроводники (Селенид свинца, PbSe, Сульфид свинца, PbS, Теллурид свинца, PbTe, Сульфид олова, SnS, Теллурид олова, SnTe)

3-х компонентные полупроводники (PbSnTe, Tl₂SnTe₅, Tl₂GeTe₅)

Группа V-VI

2-х компонентные полупроводники (Теллурид висмута, Bi₂Te₃)

Группа II—V

2-х компонентные полупроводники (Фосфид кадмия, Cd₃P₂, Арсенид кадмия, Cd₃As₂, Антимонид кадмия, Cd₃Sb₂, Фосфид цинка, Zn₃P₂, Арсенид цинка, Zn₃As₂, Антимонид цинка, Zn₃Sb₂)

Другие

(CuInGaSe, Силицид платины, PtSi, Иодид висмута(III), BiI₃, Иодид ртути(II), HgI₂, Бромид таллия(I), TlBr, Иодид меди(II), PbI₂, Дисульфид молибдена, MoS₂, Селенид галлия, GaSe, Сульфид олова(II), SnS, Сульфид висмута, Bi₂S₃)

Разные оксиды (Диоксид титана, TiO₂, Оксид меди(I), Cu₂O, Оксид меди(II), CuO, Диоксид урана, UO₂, Триоксид урана, UO₃)

Органические полупроводники

(Тетрацен, Пентацен, Акридон, Перинон, Флавантрон, Индантрон, Индол, Alq3)

Магнитные полупроводники

Ферромагнетики (Оксид европия, EuO, Сульфид европия, EuS, CdCr₂Se₄, GaMnAs, Pb_1-xSn_xTe легированный Mn2+, GaAs легированный Mn2+, ZnO легированный Co2+)

Антиферромагнетики (Теллурид европия, EuTe, Селенид европия, EuSe, Оксид никеля, NiO)

Использование в радиотехнике

Полупроводниковый диод

Полупроводниковый диод состоит из двух типов полупроводников — дырочного и электронного. В процессе контакта между этими областями из области с полупроводником n-типа в область с полупроводником p-типа проходят электроны, которые затем рекомбинируют с дырками. Вследствие этого возникает электрическое поле между двумя областями, что устанавливает предел деления полупроводников — так называемый p-n переход. В результате в области с полупроводником p-типа возникает некомпенсированный заряд из отрицательных ионов, а в области с полупроводником n-типа возникает некомпенсированный заряд из положительных ионов. Разница между потенциалами достигает 0,3-0,6 В.

Связь между разницей потенциалов и концентрацией примесей выражается следующей формулой:

Где — термодинамическое напряжение, — концентрация электронов, — концентрация дырок, — собственная концентрация.

В процессе подачи напряжения плюсом на p-полупроводник и минусом на n-полупроводник внешнее электрическое поле будет направлено против внутреннего электрического поля p-n перехода и при достаточном напряжении электроны преодолеют p-n переход, и в цепи диода появится электрический ток (прямая проводимость). При подаче напряжения минусом на область с полупроводником p-типа и плюсом на область с полупроводником n-типа между двумя областями возникает область, которая не имеет свободных носителей электрического тока (обратная проводимость). Обратный ток полупроводникового диода не равен нулю, так как в обоих областях всегда есть неосновные носители заряда. Для этих носителей p-n переход будет открыт.

Таким образом, p-n переход проявляет свойства односторонней проводимости, что обуславливается подачей напряжения с различной полярностью. Это свойство используют для выпрямления переменного тока.