Санкт – Петербургский Государственный Институт Точной Механики и Оптики

Кафедра Физики

Лабораторная работа №13

Исследование свойств полупроводниковых приборов, созданных на основе электронно-дырочного перехода.

Выполнил: Распиздяй

Группа 246

Санкт –Петербург

2003

Цель работы:

Исследовать вольт-амперные характеристики купруксного и селенового диодов и определить их коэффициенты выпрямления.

Методика измерений:

Методика измерений предельно проста. На соединённые последовательно переменный резистор, диод и амперметр подаётся напряжение, измеряемое вольтметром. В дальнейшем, вся работа сводится к изменению величины сопротивления резистора и снятия показателей с амперметра и вольтметра, из которых и строятся вольт-амперные характеристики диодов, которые я приложил. Причём строятся не только для прямого, но и для обратного токов, протекающих через диод. Также прилагаю вольт-амперные характеристики диодов при температуре вышеупомянутых 50 градусов по Цельсию. Исходя из значений токов в прямом и обратном направлениях, строю зависимость коэффициента выпрямления от напряжения (графики прилагаю).

Из проделанной выше работы делаю вывод: селеновый диод обладает лучшими выпрямительными свойствами, чем купруксный. Но при этом купруксный диод, в отличие от селенового, не «боится» повышенной температуры (50 градусов), его вольт-амперные характеристики практически не изменились. Вышесказанное можно пронаблюдать взглянув на графики ВАХ и коэффициентов выпрямления.

Соседние файлы в папке л.р. 13 исследование свойств полупроводниковых приборов, созданных на основе электронно-дырочного перехода, 4 сем.