лекции, учебные пособия / лекции классификация и условные обозначения тизисторов (кулагин в.с.) / Классификация и условные обозначения тизисторов / 2

Тиристоры

Устройство четырехслойного прибора можно представить следующим образом (См. Рис.1)

Рис.1

Такую структуру можно представить эквивалентным соединением двух транзисторов (См. рис.2):

Рис.2

VT1 => n - р- n

VT2 => р - n- р,

которые имеют коэффициенты передачи тока эмиттера а₁ и а₂ соответственно.

При такой полярности напряжения источника Е переходы ШиПЗ будут смещены в прямом направлении, а П2 в обратном.

Ток через переход П2 будет иметь три составляющих:

• электронный I • α₁ (Транзистора VT1)

-дырочный I • α₂ (ТранзистораVT2)

• закрытого перехода I_K0 Рис.3

коэффициент размножения носителей

Если (α ₁ + α ₂) будет увеличена до 1, ток I будет ограничиваться только сопротивлением Ra внешней цепи, т.е. наступает пробой перехода П2.