В виде дискретных приборов МОП -транзисторы выпускаются реже. Сток и исток представляют собой две сильно легированные области типа р (
или n ), которые созданы на п/п пластине (подложке) типа n (или р).
На поверхности пластины нанесен слой изолирующего материала (окисел, диэлектрик). Над истоком и стоком в изолирующем материале сделаны отверстия для создания омических контактов.
Затвор образован тонкой металлической пленкой, нанесенной между И и С на диэлектрик.
Полупроводниковую подложку можно использовать в качестве дополнительного управляющего электрода (обычно она соединяется с истоком).
а) Схема со встроенным каналом
При подключении источника питания в цепи нагрузки ток протекает даже при нулевом смещении на затворе.
Ic= β (UЗU-UЗО)2 в обл. насыщ. пороговое
(для р - канала надо -Uc, для n - канала +Uc)
При подаче па затвор отрицательного относительно истока смещения в канале возрастает концентрация основных подвижных носителей заряда -