лекции, учебные пособия / лекции полевые транзисторы (кулагин в.с.) / Полевые транзисторы / 9

Полевые транзисторы обладают низким уровнем собственных шумов.

- входное сопротивление - (затвор-исток)

затвор q эиде р - п - образован сопротивлением 10⁶ Ом - Ge

10⁹ Ом-Si

с изолиррванным затвором - 10¹² -10¹⁵- Ом, по постоянному току; независимо от величины и полярности Из

Параметры транзисторов с изолированным затвором определяются в значительной степени геометрическими размерами:

• толщину диэлектрика выбирают порядка 0,1-0,15 мкм;

• толщину металлической пленки затвора (Al, Au) порядка 0,2 -0,5 мкм;

• длину канала 5-10 мкм;

• ширину канала 100 - 1000 мкм

Многокаскадные усилители на МОП - транзисторах можно собрать без переходных цепей, что упрощает технологию и конструкцию. Поэтому МОП - транзисторы перспективны в микроэлектронике.

Мощные полевые транзисторы со статической индукцией (CИТ).

В начале 50-х годов Шокли и Нашидзава предложили полевые транзисторы (ПТ) с управляющим р - п переходом, которые имеют ВАХ, подобные электронной лампе- триоду. Такие ПТ получили название СИТ -транзистор со статической индукцией. Это название подчеркивало сходство физических процессов током стока у ПТ и током анода у электронной лампы.