
- •Задание
- •Решение
- •Выбор размеров и материала каркаса и сердечника
- •Вычислим Lрасч по выбранным данным размеров ки Расчет катушки индуктивности
- •Расчет числа витков
- •Расчет оптимального диаметра провода
- •Учет влияния экрана
- •Расчет собственной емкости катушки
- •Расчет добротности катушки
- •Расчет температурного коэффициента индуктивности(тки)
- •Выбор емкости контура
- •Данные колебательного контура
- •Список использованных источников
Учет влияния экрана
При помещении КИ в экран ее индуктивность и добротность уменьшается. Экранированные КИ применяются, когда необходимо устранить паразитные связи, обусловленные внешним электрическим полем или влиянием полей других источников. Эффективность экранирования повышается при увеличении частоты переменного поля, толщины экрана и уменьшений удельного сопротивления материала экрана. К примеру, при толщине медного медного или алюминиевого экрана 0,4..0,5 на частоте более 1МГц плотность наводимого тока падает в 100 раз по сравнению с плотностью тока на поверхности экрана, что достаточно для эффективного экранирования.
При помещении КИ в Экран повышается еще и собственная емкость. Изменение параметров тем больше, чем ближе к ее виткам расположен экран.
Индуктивность экранированной катушки составляет:
(15)
L - индуктивность неэкранированной КИ
К – коэффициент связи между экраном и катушкой
Для однослойных и тонких многослойных катушек коэффициент связи определяется по формуле:
2 (16)
D – диаметр катушки
Dэ – диаметр экрана
η – коэффициент, зависящий от отношения длины катушки к ее диаметру (находим по графику)
По условию задачи нам дан экран алюминиевый.
Так как при помещении КИ в экран ее индуктивность понижается, значит мы должны выбрать такой диаметр экрана, чтобы при максимальной Lрасч без экрана (при полном введении сердечника) индуктивность экранированной Lэк катушки была не ниже (больше) 9,86 мкГн
Методом подбора значений в формулы (15) и (16) определяем, что Dэк – экрана должен быть не менее 17,8 мм. Выберем экран диаметром 20 мм и проведем дальнейшее вычисление
2=0,277
Так как наша индуктивность без экрана могла измениться (за счет сердечника) в диапазоне 6…14,2 мкГн, то после помещения КИ в экран диапазон станет другим. Вычислим его подставив значения в формулу (15) и получим
мкГн
мкГн
Итак, диапазон изменения индуктивности (за счет введения сердечника) в экранированной КИ станет в интервале 4,3…10,3 мкГн. Наша заданная индуктивность = 9,86 мкГн входит в данный диапазон, следовательно Dэк =20мм нас вполне устраивает.
Вычислим активное сопротивление, вносимое экраном в КИ, определяемое по формуле:
(17)
К – коэффициент связи между экраном и катушкой(формула 16)
N – число витков
Dk – диаметр катушки (см)
hэ – высота экрана (см)
f – частота (МГц)
ρ – удельное электронное сопротивление материала экрана
Удельные электрические сопротивления некоторых материалов даны в таблице в справочнике.
Пусть высота экрана (hэ) будет равна hэ=15мм=1.5 см
Вычислим
по формуле (17)
=4,27 Ом
Расчет собственной емкости катушки
Собственная
емкость однослойной катушки может быть
вычислена по формуле
(18)
-
диаметр катушки (см)
– отношение шага намотки (τ) к диаметру
провода d
– отношение длины намотки l0
к диаметру d
В нашем случае К=0,75 К1=1,1
Подставив значения в формулу (18) получим Cоб
Cоб=0,75*1,1*0,9=0,74 пФ
В нашем случае может иметь значение емкости между экраном и слоем обмотки которую можем вычислить по формуле:
(19)
Если посмотреть на расчетное сечение выбранного нами провода по таблице и сравнить с сечениями одножильного провода, то можно сказать, что выбранному нами обмотанному проводу соответствует провод с диаметром равным d=0,16. Найденное значение будем использовать для дальнейших вычислений.
Справочное значение εвозд = 8,85 * 10-12 Ф/м
Средний периметр Рср вычислим:
=45,55
мм
b=20-9=11
Подставляем полученные значения в формулу (19), предварительно переведя параметры в метровую систему счисления
пФ
Так как Ссоб и С в контуре в параллельной связи следовательно общая емкость равна сумме этих емкостей
С0= Ссоб + С
С0= 0,74+0,19=0,93 пФ
Собственная емкость С0 в КИ имеет значение при вычислениях сопротиления диэлектрических потерь и следовательно добротности КИ.