3.8 Розрахунок кола загального зворотного негативного зв’язку

Визначаємо величину R6 та R11 кола негативного зворотного зв’язку:

; (3.70)

(3.71)

кОм.

Вибираємо стандартне значення R6=1,6 кОм.

Вхідний опір підсилювача і коефіцієнт залежать від співвідношення R6/R11, тому його вибирають, виходячи із компромісу між коефіцієнтом підсилення і вхідним опором. Задаються значенням R6/R5=20 100.

При цьому повинна виконуватися умова:

; (3.72)

Звідси величина резистора R11 дорівнює:

; (3.73)

кОм.

Приймаємо стандартне значення опору відповідно до ГОСТ 9663.

R5=160 кОм.

Звертаючи увагу на те що потужність розсіювання на резисторах з кожним пунктом зменшувалась, візьмемо за номінал потужність в 0. 5 Вт згідно до ГОСТ 9663-75.

Записуємо значення резисторів згідно із стандартом:

R6 = МЛТ - 0.5 Вт – 1.6 кОм - 5%

R5 = МЛТ - 0.5 Вт - 160 Ом - 5%

3.9 Розрахунок елементів кіл зміщення і стабілізації режиму транзисторів кінцевого каскаду

Розраховуємо потрібну напругу зміщення для завдання вибраного положення точки спокою:

; (3.74)

В.

Потрібна напруга зміщення створюється на діоді, включеному в прямому напрямі. Практично рекомендується приймати число діодів кінцевого каскаду рівним числу транзисторів. У цьому випадку повинна дотримуватися нерівність:

; (3.75)

;

В.

Данним параметрам відповідає діод типу Д223.

3.10 Розрахунок результуючих характеристик підсилювача потужності з вхідним диференціальним каскадом

Визначаємо коефіцієнт підсилення за струмом за формулою:

; (3.76)

Коефіцієнт підсилення за напругою рівний:

; (3.76)

Вхідний опір диференціального каскаду з генератором стабільного струму:

; (3.77)

МОм

3.11 Розрахунок ємності конденсаторів підсилювача потужності

Визначаємо допустимі частотні спотворення для всіх конденсаторів. Для цього переводимо вказане в завданні до курсового проекту допустиме відхилення М_н із дБ в відношення напруги. Отримаємо:

М'_н=1.125

Розраховуємо ємність конденсаторів за формулами:

; (3.78)

нФ.

(3.79)

мкФ

(3.80)

мФ

Вибираємо конденсатори згідно ГОСТ 28883-90

С1 = К10-17 – 785 нФ 5%

С2 = К52-1 - 82 мкФ 5%

С3 = К50-35 - 5 мкФ 20%

ВИСНОВКИ

При виконанні я розрахував підсилювач низької частоти, вхідний каскад, який зібраний за схемою диференціального каскаду з генератором струму.

Спочатку я склав структурну схему підсилювача низької частоти. Потім на основі цієї схеми була розроблена принципова електрична схема підсилювача.

Всі розрахункові дані транзисторів підсилювача занесені до таблиць. Після чого за допомогою довідника було підібрано транзистори з параметрами, які задовольняють параметрам приведеним в таблицях, тобто розрахункових параметрів.

В результаті виконання курсового проекту я закріпив та поглибив свої теоретичні знання і їх використання при рішенні практичних задач. Також я ознайомився з сучасними схемами підсилювачів низької частоти, які забезпечують високі показники підсилення та набув навиків роботи з довідковою літературою.

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

1. Любімов А.Я. Методичні вказівки та завдання до виконання курсового проекту.

2. Гольцев В.Р., Богун В.Д., Хілєнко В.І. Електронні підсилювачі Учбовий посібник . – М. : Видавництво стандартів,1990.

3. Лавриенко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам.– К. : Техніка, 1980.

4. Федосеев Е.О. Усилительные устройства киноустановок. – М.: Мистецтво , 1979 Цикина А.В. Электронные усилители. – М.: Радио и связь, 1982.

5.Варакин Л.Е. Безтрансформаторные усилители мощности. Справочник. – М.: Радио и связь, 1984.

6. Войшвило Г.В. Современная техника усиления сигналов. – М.: Сов. радио, 1984.

7. Андреев Ф.Ф. Электронные устройства автоматики. – М.: машиностроение, 1978.

8. Гонтаренко Ч.М., Тиндюк О.А., Лаздіна С.А. Положення про курсове проектування. – Одеса 2002.

9. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1981.

10. Федосеева Е.О. Усилительные устройства киноустановок. – М.: Исскуство, 1979.

11. Цыпкина А.В. Проектирование транзисторних усилителей. – М.: Связь, 1976

НОРМАТИВНО-ТЕХНІЧНА ЛІТЕРАТУРА ТА ДОКУМЕНТАЦІЯ

Номер документа и год издания	Название документа
ГОСТ 9663-75	Резисторы. Ряд номинальных мощностей рассеяния.
ГОСТ 10318-80	Резисторы переменные. Основные параметры.
ГОСТ 15133-77	Приборы полупроводниковые. Термины и определения.
ГОСТ 18275-72	Аппаратура радиоэлектронная. Номинальные значения напряжений и силы токов питания.
ГОСТ 19880-74	Электротехника. Основные понятия. Термины и определения.
ГОСТ 20003-74	Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

Позначення	Найменування	Кіл-сть	Примітка
Конденсатори
С1	К10-17 - 200 пФ 5%	1
С2	К52-1 - 500 пФ 5%	1
С3	К50-35 - 1000 мкФ 20%	1
Резистори
R1=R2	МЛТ - 0.125 Вт - 212,1 кОм ± 5%	2
R3	МЛТ - 0.125 Вт - 20 кОм ± 10%	1
R4	МЛТ - 0.125 Вт - 510 Ом ± 5%	1
R5	МЛТ - 0.125 Вт - 220 Ом ± 5%	1
R6	МЛТ – 0.125 Вт - 106 кОм ± 5%
R8	МЛТ - 0.125 Вт - 64 кОм - 5%	1
R9	С2-23 - 0.125/0.25 вт - 5,6 кОм ± 1%	1
R10=R12	С5 – 16МВ - 5 0.22 Ом	2
Транзистори
VT1	КТ315Г	2
VT2	КТ503Е	1
VT4	КТ819Г	1
VT5	КТ815Г	1
VT6	КТ818Г	1
VT7	КТ814Г	1
Діоди
VD1-VD4	ГД107	4