3.4 Розрахунок базового кола кінцевого каскаду

За вхідною динамічною характеристикою (рисунок 3.2) визначаємо значення вхідного сигналу:

- напругу на базі в робочій точці спокою - ;

- струм бази в робочій точці спокою - ;

- амплітудне значення змінної складової бази - А ;

- амплітудне значення змінної напруги на базі – В;.

Визначаємо амплітудне значення вхідної напруги кінцевих транзисторів за формулою:

; (3.16)

В.

Рисунок 3.2 - Вхідна динамічна характеристика транзисторів кінцевого каскаду VT5, VT7

Визначаємо вхідний опір транзистора без урахування негативного зворотного зв’язку:

; (3.17)

Ом.

Визначаємо коефіцієнт підсилення за напругою:

, (3.18)

де q₂₁ – усереднена крутизна характеристики транзистора в кінцевому каскаді:

; (3.19)

Визначаємо вхідну потужність транзистора:

; (3.20)

Вт.

Визначаємо коефіцієнт підсилення за потужністю:

; (3.21)

.

7.3.5 Вибір складених транзисторів vt4, vt6 кінцевого каскаду

Визначаємо максимальні граничні параметри обраних складених транзисторів кінцевого каскаду за такими формулами:

• максимальний струм колектора транзистора VT4

(3.22)

А

• максимальну напругу колектор-емітер транзистора VT4

В (3.23)

• максимальну потужність розсіювання на транзисторі VT4

; (3.24)

Вт;

• гранична частота коефіцієнта передачі струму, кГц,

мГц; (3.25)

За розрахунковими параметрами , , , вибираємо тип транзистора. Розраховані параметри та параметри вибраного транзистора заносимо в таблицю 3.2

Таблиця 3.2 – Параметри складених транзисторів кінцевого каскаду

Параметри	InKmax3, A	UnKEmax3, B	PnKmax3, Вт	Тип транзистора	h21E3
Розрахункові граничні параметри	0.2	100	10	—	—
Параметри вибраних транзисторів VT4, VT6	0.3	90	150	КТ502Е n-p-n	15
	0.3	90	150	КТ503Е p-n-p	15

Визначаємо величину опору резисторів R6 i R7 з такого співвідношення:

R7=R12=5R_ВХ3 (3.26)

(3.27)

Ом

R12 = 590*5=2950Ом

Визначаємо потужність розсіювання на резисторах:

; (3.28)

I_K0 = (3.29)

А

Вт

Згідно із ГОСТ 9663 приймаємо найближче стандартне більше за величиною значення потужності розсіювання. P = 0.5 Вт

Значення потужностей та опорів резисторів вибираємо з спеціальних довідників.

R12= R7= С1-4 0.5 Вт 150 Ом ±5% за ГОСТ 9663-75

Визначаємо амплітудне значення змінного струму бази транзистора VT3

(3.30)

мА

Визначаємо постійну складову струму бази транзистора:

(3.31)

мА

Визначаємо амплітудну вхідної напруги ПП на складених транзисторах:

(3.32)

В

Визначаємо вхідній опір каскаду без урахування зворотного зв’язку:

(3.33)

Ом

Визначаємо вхідний опір каскаду з урахуванням зворотного зв’язку:

(3.34)

Ом

де F – глибина місцевого зворотного зв’язку в плечі:

(3.35)

де – усереднена крутизна характеристики транзистора VT2:

(3.36)

(3.37)

Ом

Вхідна потужність кінцевого каскаду для схем

(3.38)

мВт

Рисунок 3.3 – Вхідна динамічна характеристика складених транзисторів кінцевого каскаду VT4, VT6