Технология, по которой изготовлена солнечная батарея, влияет на её кпд

Считается, что в идеале солнечная батарея имеет близкий к 20 % КПД. Однако на практике и по данным специалистов сайта www.sun-battery.biz он примерно равен всего 10 %, при том, что для каких солнечных батарей больше, для каких то меньше. В основном это зависит от технологии, по которой выполнен p-n переход. Самыми ходовыми и имеющими наибольший процент КПД продолжают являться солнечные батареи, изготовленные на основе монокристалла или поликристалла кремния. Причем вторые из-за относительной дешевизны становятся все распространеннее. К какому типу конструкции солнечная батарея относится можно определить невооруженным глазом. Монокристаллические светопреобразователи имеют исключительно чёрно-серый цвет, а модели на основе поликристалла кремния выделяет синяя поверхность. Поликристаллические солнечные батареи, изготавливаемые методом литья, оказались более дешевыми в производстве. Однако и у поли- и монокристаллических пластин есть один недостаток — конструкции солнечных батарей на их основе не обладают гибкостью, которая в некоторых случаях не помешает.

Ситуация меняется с появлением в 1975 году солнечной батареи на основе аморфного кремния, активный элемент которых имеет толщину от 0,5 до 1 мкм, обеспечивая им гибкость. Толщина обычных кремниевых элементов достигает 300 мкм. Однако, несмотря на светопоглощаемость аморфного кремния, которая примерно в 20 раз выше, чем у обычного, эффективность солнечных батарей такого типа, а именно КПД не превышает 12 %. Для моно- и поликристаллических вариантов при всем этом он может достигать 17 % и 15 % соответственно.

Материал, из которого изготовлены пластины, влияет на характеристики солнечных батарей

Чистый кремний в производстве пластин для солнечных батарей практически не используется. Чаще всего в качестве примесей для изготовления пластины, вырабатывающей положительный заряд, используется бор, а для отрицательно заряженных пластин мышьяк. Кроме них при производстве солнечных батарей все чаще используются такие компоненты, как арсенид, галлий, медь, кадмий, теллурид, селен и другие. Благодаря ним солнечные батареи становятся менее чувствительными к перепадам окружающих температур.

Большинство солнечных батарей могут накапливать энергию, представляя собой системы

30. Тепловые приемники излучения

Термисторный полупроводниковый болометр содержит два включенных по мостовой схеме термистора, выполненных в виде тонких пленок (толщиной до 10 мкм) прямоугольной формы. Один из термисторов болометра является активным, т. к. непосредственно подвергается воздействию измеряемого излучения. Сопротивление этого термистора изменяется в результате нагрева при облучении электромагнитным излучением оптического или инфракрасного диапазона частот. Второй термистор служит для компенсации влияния изменения температуры окружающей среды. Компенсирующий термистор должен быть экранирован от измеряемого излучения. Активный и компенсационный термисторы помещают в герметичный корпус. Болометры имеют три внешних вывода - от активного и компенсационного термистора и от средней точки. Термисторы для болометров БКМ-1, БКМ-2, БКМ-4 делают на основе кобальто-марганцевых оксидных систем со стеклянными, кварцевыми подложками или без подложек.

Пленочные термисторы изготавливаются методом разлива предварительно приготовленной однородной суспензии из размельченных окислов с органической связкой или растворителем. После просушки пленку разрезают на куски нужных размеров и формы и обжигают при Т=1200С, на заготовку наносят контакты, обычно методом вжигания серебра при восстановлении его из серебряной пасты при Т=600С700С. От режима обжига и качества выполнения контактов в значительной степени зависит уровень шумов термисторов, что влияет на пороговую чувствительность болометра. Необходим стабильный источник питания и балластный резистор, чтобы тепловой нагрев не мог привести к сгоранию болометра.

Пироэлектрические приемники излучения. Пироэлектрический эффект проявляется в некоторых чувствительных к изменению температуры ферроэлектриках, включая триглицинсульфат TGS, SBN (Sr_1-x Ba_x NB₂O₆), LiNiO₃, PLZT (цирконаттитанатная керамика). В таких кристаллах наблюдается электрополяризация, приводящая к появлению напряжения на присоединенных к образцу контактах. Если температура постоянна, то внутренний заряд уравновешивается зарядом свободных электронов и поверхностными зарядами. При быстрых изменениях температуры изменяется и внутренний дипольный момент, обеспечивая появление разности электрических потенциалов. Этот эффект можно использовать для создания чувствительного к модулированному излучению фотоприемника, работающего при комнатной температуре.

Пироэлектрический приемник - конденсатор с двумя металлическими электродами, присоединенными к противоположным сторонам термочувствительного ферроэлектрического кристалла. Пироэлектрические приемники регистрируют только модулированный сигнал. При этом не требуют источник питания, т.к. они сами являются генераторами ЭДС.

Термоэлементы основаны на эффекте Зеебека, заключающемся в возникновении ЭДС в цепи состоящей из двух разнородных материалов. При нагревании их спая эффект Зеебека наблюдается как в металлах, так и в полупроводниках. У металлических термоэлементов термоЭДС, возникающая в единичном перепаде температуры находится в пределах от единиц до десятков мкВ/С, у полупроводников - на порядок выше.

Металлические термоэлементы изготавливают из меди, Al, Ni, Co, Zn, Bi, константана и серебра, а в полупроводниковых термоэлементах применяют Sb, Si, Te, Se. Конструкция термоэлемента - две проволоки (медь-константан и висмут-сурьма) диаметром 25мкм и длиной 34 мм, соединенные на одном конце. Этот конец образует термоэлементный спай, к которому подсоединяют чувствительную площадку - черненую золотую фольгу толщиной 0,5мкм. Свободные концы проволок контактируют с массивным металлическим держателем, что обеспечивает их неизменную температуру. Постоянная времени термоэлементов порядка нескольких сотых долей секунды, что ограничивает их применение в ИК системах с большой частотой модуляции принимаемого сигнала. Существуют некомпенсированные и компенсированные термоэлементы, точность работы последних не зависит от температуры окружающей среды. Компенсированный термоэлемент состоит из двух одинаковых спаев, включенных навстречу друг другу, один из спаев имеет непрозрачный экран. Оба спая помещены в стеклянный вакуумированный баллон, закрытый металлическим кожухом. На торцевой поверхности кожуха против чувствительной площадки активного слоя имеется отверстие, закрытое материалом, прозрачным для ИК излучения. В баллоне термоэлемента установлен газопоглотитель (геттер) многоразового действия, служащий для поддержания вакуума. Шумы термоэлемента не более, чем в 1,5 раза превышают тепловой шум проволочного резистора той же величены.

Развитие тонкопленочной технологии привело к появлению дешевых и надежных термопарных приемников, изготавливаемых напылением в едином техпроцессе.

Термисторы - это полупроводниковые резисторы с большим температурным коэффициентом сопротивления. Наибольшее распространение получили термисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления. Уменьшение сопротивления полупроводника с увеличением температуры может быть обусловлено увеличением концентрации носителей заряда или увеличением их подвижности, а также фазовыми превращениями.

Первое явление характерно для термисторов, изготовленных из ковалентных полупроводников (Ge, Si, карбид кремния, соединения типа А^IIIB^V и др.). Отрицательный температурный коэффициент сопротивления таких полупроводников наблюдается в области температур, когда не все примеси ионизированы или имеет место собственная электропроводность. И в том и другом случае зависимость удельного сопротивления полупроводника от температуры определяется в основном изменением концентрации носителей заряда, так как относительно слабым изменением их подвижности в данном случае можно пренебречь. При этом зависимость сопротивления полупроводника от температуры:

R = R₀ e^(/T)

 - коэффициент температурной чувствительности

R₀ - постоянная, характеризующая материал и размеры термистора

При полной ионизации примесей и отсутствии компенсации:

_n/2k,

_n - энергия ионизации примесей (доноров или акцепторов). Для компенсированного полупроводника при неполной ионизации примесей

  _n/k

Для случая собственной электропроводности: ( - ширина запрещенной зоны).

  /2k

Значительная часть термисторов, выпускаемых промышленностью, изготавливают из поликристаллических окисных полупроводников, в которых преобладает ионная связь. Электропроводимость этих материалов отличается от электропроводимости ковалентных полупроводников. Как правило, полупроводники являются окисью так называемых переходных металлов (от Ti до Zn в таблице Менделеева), для которых характерно наличие незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. В результате при образовании окисла при определенных условиях (наличие примесей, отклонение от стехиометрии) в одинаковых кристаллографических положениях оказываются ионы с разными зарядами. Обменом электронами между этими ионами объясняется электропроводимость окисных полупроводников. Так как энергия, необходимая для такого обмена невелика, все электроны (или дырки), которые могут переходить от одного поля к другому, можно считать свободными носителями заряда, а их концентрацию постоянной при температурах в рабочем для термистора диапазоне.

Из-за сильного взаимодействия носителей заряда с ионами, подвижность носителей в окисном полупроводнике оказывается довольно низкой и экспоненциально возрастающей с ростом температуры, т.е. зависимость сопротивления окисного полупроводника такая же, как у ковалентных полупроводников (1), но коэффициент температурной чувствительности характеризует в этом случае изменение подвижности носителей заряда, а не изменение их концентрации.

В окислах ванадия V₂О₄ и V₂О₃ при температурах фазовых превращений (68С и -110С) наблюдается увеличение проводимости на несколько порядков. На основе этих окислов созданы термисторы с очень большим температурным коэффициентом сопротивления.

Металлический болометр. Металлы имеют положительный термический коэффициент сопротивления, т. е. их сопротивление увеличивается с ростом температуры. Они обладают меньшей чувствительностью, поэтому тепловой нагрев не способен привести к сгоранию металлического болометра. Применяемые металлы - никель Ni, висмут Bi, золото Ag и платина Pt. Пленка металла очень тонкая (напыление) для уменьшения теплоемкости чувствительного слоя и увеличения быстродействия приемника. Из-за сильного отражения металлами света необходимо наносить на их поверхность золотую или платиновую чернь, которая поглощает излучение. Как и термисторные, большинство металлических болометров работают при комнатной температуре.

Криогенные болометры. К ранним типам таких приборов относятся угольные болометры. Они состоят из угольного резистора на медной медной подложке, охлаждаемой жидким He. Благодаря большому температурному коэффициенту сопротивления и малой теплоемкости угольных резисторов, многие болометры имеют высокую чувствительность. В последнее время в качестве чувствительных элементов применяют Ge:Ga; Ge:In; Si:In, TeSe, IuSb. Достоинства этих болометров: Т_раб=4,2К, высокая чувствительность, широкая область спектральной чувствительности, низкий уровень шумов и хорошая воспроизводимость.

Сверхпроводящие болометры. Привлекли к себе интерес из-за сильной зависимости их сопротивления от температуры вблизи точки перехода сверхпроводящее состояние. Температура болометра поддерживается несколько меньше температуры перехода в сверхпроводящее состояние, поэтому небольшое ее повышение, обусловленное поглощением внешнего излучения вызовет очень большое изменение сопротивления и выходной сигнал будет очень большим. Наибольшую сложность вызывают обеспечение стабилизации температуры вблизи точки перехода в сверхпроводящее состояние и трудности, связанные со слабым поглощением ИК излучения в сверхпроводниках.

Сверхиндуктивные болометры используют эффект увеличения индуктивности сверхпроводящих тонких пленок при переходе через критическую температуру. Сверхпроводящие болометры на этом эффекте с применением пленки Al показал высокую чувствительность при Т=2К.

Криогенные, сверхпроводящие и сверхиндуктивные болометры используются для дальней ИК области спектра и особенно широко применяются в астрономии.

31. Внутренний фотоэффект наблюдается в полупроводниковых материалах при облучении их поверхности лучами света. Он заключается в том, что при поглощении энергии фотона атомом полупроводника может возникнуть пара «электрон – дырка», если этой энергии достаточно для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости, т. е. если поглощённая энергия превышает ширину запрещённой зоны. Интенсивность фотоионизации определяется энергией излучения, её потоком и спектром поглощения полупроводника.

Образование пар «электрон – дырка» обусловливает собственную электропроводность полупроводника, которая в данном случае является фотопроводимостью, причём собственная электропроводность может оказаться значительно больше проводимости примесной.

Внутренний фотоэффект широко применяется в различных фотоэлектрических приборах: фоторезисторах, фотодиодах, фототранзисторах и фототиристорах.

Фоторезисторы используют в своей работе эффект фотопроводимости. Фоторезисторы выполняются в самых различных конструктивных вариантах, различного назначения, по различным технологиям и с различными параметрами, но в общем виде это - чувствительный к излучению слой полупроводника, прикреплённый к изоляционной подложке, по краям которого смонтированы токоведущие электроды. Принципиально возможно две конструкции фоторезисторов: поперечная и продольная.

В первом случае электрическое поле, прикладываемое к фоторезистору, и возбуждающий свет действуют во взаимно перпендикулярных плоскостях (рис. 6.8, а), во втором - в одной плоскости. В продольном фоторезисторе возбуждение осуществляется через электрод прозрачный для светового излучения. Поперечный фоторезистор представляет собой почти омическое сопротивление до частот порядка десятков - сотен мегагерц. Продольный фоторезистор из-за конструктивных особенностей имеет значительную электрическую ёмкость, которая не позволяет считать фоторезистор чисто омическим сопротивлением на частотах сотни - тысячи герц.

В качестве исходного материала фоторезистора чаще всего используется теллуристый кадмий ( ), селенистый теллур ( ), сернистый висмут ( ), сернистый кадмий ( ) и др.

Рис. 6.8. Фоторезистор (а), поперечная конструкция фоторезистора (б); условное графическое обозначение (в)

Для защиты от атмосферных воздействий верхняя поверхность фотослоя покрыта прозрачным лаком. Вся сборка может быть помещена в защитный корпус, в котором сделано окно для прохождения излучения. Он может включаться как в цепь постоянного тока, так и переменного (рис. 6.9).

При облучении фоторезистора возрастает его проводимость, и соответственно возрастает ток. Выходное напряжение, пропорциональное потоку излучения, снимается с сопротивления нагрузки  .

Рис. 6.9. Схема включения фоторезистора

Фотодиод представляет собой полупроводниковый фотоэлектрический прибор, содержащий p-n-переход, и использующий явление внутреннего фотоэффекта. Фотодиоды имеют различную конструкцию, различное назначение и различные параметры, но в большинстве случаев структура фотодиода бывает такой, как показано на рис. 6.13, б. На принципиальных схемах фотодиод изображается символом, показанным на рис. 6.13, в.

Рис. 6.13. Конструкция фотодиода (а), структура (б) и условное графическое обозначение фотодиода (в)

Фотодиод можно использовать в двух различных включениях: фотодиодном и фотогальваническом.

Фотогальваническое включение (рис. 6.14) предполагает использование фотодиода как источника фотоЭДС, поэтому в настоящее время его называют полупроводниковый фотоэлемент.

Рис. 6.14. Фотогальваническое включение

Рассмотрим процесс возникновения фотоЭДС в фотодиоде (рис. 6.15). В отсутствие освещения фотодиода концентрация носителей в его обеих областях будет равновесной, а следовательно никакой разности потенциалов между областями не будет. Если же осветить полупроводник лучами света, то в результате поглощения энергии фотонов будут образовываться пары «электрон – дырка». Дырки в области p являются основными носителями, поэтому поле   p-n-перехода будет их отталкивать от границы раздела, а вот образовавшиеся свободные электроны, являясь в области p неосновными носителями, будут переброшены полем через границу раздела в область n, где они являются основными. Аналогично, в области n из образовавшихся носителей «электрон – дырка» только дырки, являясь неосновными носителями, будут переброшены через границу раздела в область p, а образовавшиеся свободные электроны только пополнят количество основных носителей в области n, увеличив их концентрацию.

Рис. 6.15. Процесс генерации свободных носителей заряда

Таким образом, за счёт поглощённой световой энергии в полупроводнике образуются пары носителей; неосновные носители перебрасываются в соседнюю область электрическим полем p-n-перехода, а основные носители остаются в своей области; концентрация носителей возрастает и становится сверхравновесной, т. е. суммарный электрический заряд основных носителей в обеих областях полупроводника уже не уравновешивается противоположным зарядом ионов примеси, и следовательно в области p появляется суммарный положительный заряд, а в области n – суммарный отрицательный заряд, которые обусловят возникновение разности потенциалов между областью p и областью n. Эту разность потенциалов называют фотоЭДС. Если теперь создать внешнюю электрическую цепь между областями p и n, то по ней потечёт электрический ток – фототок под действием возникшей фотоЭДС.

Следует отметить, что из всех образовавшихся в результате поглощения лучистой энергии носителей не все будут участвовать в образовании светового тока, а только те, которые попадают в зону действия электрического поля потенциального барьера, ограниченную (рис. 6.15) областью δ. Остальные неосновные носители, образовавшиеся вне этой зоны, скорее всего, рекомбинируют, снижая эффективность использования световой энергии. Отсюда становится ясной целесообразность конструктивного исполнения фотодиода, когда освещают не обе области полупроводника, а только одну, зато очень тонкую, когда практически все образовавшиеся под действием освещения неосновные носители будут разделены р-n-переходом

Фототранзистор - это полупроводниковый фотоэлектрический прибор с двумя p-n-переходами. Устройство и принцип действия фототранзистора такие же, как и биполярного транзистора. Отличие же заключается в том, что внешняя часть базы является фоточувствительной поверхностью, а в корпусе имеется окно для пропускания света (рис. 6.21).

Рис. 6.21. Конструкции фототранзисторов (а); структура (б) и условное графическое обозначение фототранзистора

Иногда фототранзистор имеет только два вывода: эмиттерный и коллекторный.

Принцип действия фототранзистора заключается в следующем. В затемнённом состоянии и отсутствии входного сигнала на базе транзистор закрыт и в его коллекторной цепи протекает небольшой обратный ток коллекторного перехода. При освещении базовой области лучами света там происходит возникновение пар «электрон – дырка». Неосновные носители (в нашем случае дырки) подхватываются полем коллекторного перехода и перебрасываются в область коллектора, а в базе остаётся нескомпенсированный заряд электронов – основных носителей – который приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и к инжекции дырок из эмиттера в базу. Это приведёт к увеличению коллекторного тока, как если бы на вход транзистора был бы подан входной сигнал, вызвавший такую же инжекцию носителей. Но здесь вместо входного электрического сигнала был использован световой сигнал. Коллекторный ток  , где   – коэффициент передачи транзистора по току;   – фототок, возникший в базовой области под действием светового входного сигнала. Таким образом, чувствительность фототранзистора в   раз больше чувствительности фотодиода.

Схемы включения его, так же, как и биполярного транзистора, могут быть с общей базой, общим эмиттером, с общим коллектором. В качестве примера на рис. 6.22 приведена схема включения с общим эмиттером.

Рис. 6.22. Включение фототранзистора по схеме с общим эмиттером

По такому же принципу, как и управление фототранзистором, можно управлять и тиристором. Такой прибор называется фототиристором.

Вместо управляющего электрода сигнал управления в виде потока лучистой энергии (рис. 6.24) подаётся в специальное окно в корпусе прибора, что приводит к тем же явлениям, как если бы был подан электрический сигнал управления на управляющий электрод. Все остальные характеристики такого тиристора аналогичны характеристикам обычного тиристора с электрическим управлением.

Рис. 6.24. Конструкция фототиристора (а ); структура фототиристора (б) и его условное графическое обозначение (в)

На рис. 6.25 представлена вольт-амперная характеристика фототиристора.

34.

35. Фоторезистор - простейшая полупроводниковая структура с одним типом проводимости, у которого под действием падающего потока излучения происходит изменение проводимости за счет образования в объеме полупроводника носителей заряда (электронов и дырок) и перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости (фоторезисторы с собственной фотопроводимостью), из валентной зоны на примесный уровень или из примесного уровня в зону проводимости (фоторезисторы с примесной фотопроводимостью)

36. Электронно-оптический преобразователь (ЭОП) - электровакуумный прибор, предназначенный для усиления яркости оптического изображения, создаваемого оптической системой, а в отдельных случаях и для преобразования спектрального состава излучения (например, инфракрасного изображения в видимое . Простейший однокамерный ЭОП состоит из фотокатода, системы формирования электронного изображения (электронно-фокусирующей системы) и люминесцентного экрана. При низком уровне освещенности наблюдаемых объектов яркость изображения последних на экране простейших однокамерных ЭОП недостаточна для наблюдения глазом. В этих случаях применяют многокамерные ЭОП, в которых достигается эффект усиления яркости за счет последовательного соединения друг с другом нескольких камер, каждая из которых представляет собой простейший однокамерный ЭОП.

Серьезным недостатком ЭОП упомянутых выше конструкций является неравномерное разрешение по полю экрана (на краях экрана ЭОП разрешение в 58 раз ниже, чем в центре), а также большие габаритные размеры (особенно у многокамерных ЭОП). Неравномерность разрешения по полю обусловлена трудностью обеспечения равномерной фокусировки электронного изображения при расположении фотокатода на экрана ЭОП в параллельных плоскостях. Как известно, оптимальные условия для фокусировки электронного изображения имеют место в том случае, когда фотокатод и экран выполняются на сферических поверхностях. Это конструктивное решение возможно в ЭОП, у которых на входе н выходе имеются волоконно-оптическиские пластины (ВОП), состоящие из множества тонких (диаметром 1020 мкм) стеклянных волокон, оптически изолированных друг от друга. Наружные поверхности ВОП выполнены плоскими, а внутренние - сферическими, на одной из которых нанесен фотокатод, а на другой - экран. ЭОП с ВОП на входе и выходе имеют равномерное разрешение по всему полю зрения.

Усиление яркости изображения ЭОП может достигаться не только за счет увеличения числа каскадов усиления (камер), но и за счет применения микроканального усиления.

Фокусировка электронного изображения в ЭОП может осуществляться также с применением магнитной фокусирующей системы или смешанной электростатической и электромагнитной фокусировки. В этих случаях эффективность фокусировки по полю экрана выше, чем при чисто электростатической фокусировке. Для регистрации быстропротекающих процессов (ядерных, процессов развития разряда в газе и др.) используются импульсные ЭОП. Действие этих основано на применении в конструкции изделия электронного затвора (системы плоскопараллельных отклоняющих пластин, на которые подается импульсное запирающее напряжение) и системы пластин круговой развертки изображения по экрану. При совместном действии затвора и пластин круговой развертки ЭОП работает в режиме высокоскоростного фоторегистратора. На экране ЭОП получается последовательность из нескольких кадров, расположенных по кругу. С помощью таких ЭОП может быть получено временное разрешение до 3 10^-12 с.

37.

Рис. 1. Конструкция вакуумного фотоприемника: 1 - блок фоточувствительного элемента; 2 - держатель; 3 - система токовводов; 4 - колпак; 5 - гетеронасосы

39.

40. ФОТОКАТОД

       

катод фотоэлектронных приборов, эмиттирующий эл-ны под действием электромагн. излучения УФ, видимого и ИК диапазонов (см. ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ). Ф. представляет собой пластинку или (чаще) тонкую плёнку фотоэмиссионного материала на непрозрачной или прозрачной подложке; в первом случае Ф. освещается с фронтальной стороны, во втором — он полупрозрачен и освещается со стороны подложки. Основные параметры Ф.: интегральная чувствительность (отношение фототока в мкА к падающему световому потоку в лм от стандартного источника излучения), спектральная чувствительность S? на длине волны ? в мА/Вт или квантовый выход Y=1,24S?/?, равный отношению числа эмиттированных электронов к числу падающих квантов излучения. Спектральная характеристика Ф. S? (?) ограничена со стороны длинных волн порогом фотоэффекта ?0 и имеет вид кривой с максимумом на длине волны ?м. Кроме того, Ф. характеризуется плотностью темнового тока, создаваемого термоэлектронной эмиссией.

Спектральные характеристики квантового выхода Y основных типов фотокатодов (сплошные линии) и 3-х типов фотокатодов с отрицательным электронным сродством (пунктир), представляющих собой эпитаксиальные плёнки сильно легированных акцепторами полупроводников типа АIIIВV, активированные монослоем Cs или Cs,O; 1) CsTe; 2) Cs3Sb; 3) K2CsSb; 4) Na2KSb; 5) Na2KSb—Cs; в) Bi—Ag—О—Cs; 7) Ag—O—Cs; 8) ОЭС-Ф на основе GaAsP—Cs; 9) GaAs—Cs, O; 10) InGaAsP—Cs, O.

Применяются след. типы Ф.: Cs2Te и RbTe, чувствительные в ближнем УФ диапазоне и нечувствит. в видимой обл. (рис.); сурьмяно-цезиевый Ф. (Cs3Sb) и бищелочные Ф. (Na2 KSb, K2CsSb), чувствительные в коротковолновой части видимого спектра с ?=600 —650 нм; многощелочной Ф. (Na2KSb — Cs), чувствительный во всём видимом диапазоне и ближней ИК области спектра (?м=500 нм, ?0=900—940 нм); серебряно-кислородно-цезиевый Ф. (Ag—О—Cs), обладающий наиболее протяжённой в ИК область спектра спектральной характеристикой (?0»1,2—1,5 мкм), но невысокой чувствительностью и сравнительно большим темновым током.

Т. н. Ф. с отрицательным сродством к электрону характеризуются значительно более высокой и равномерной чувствительностью с порогом ?0, зависящим от состава и достигающим 1,7 мкм, а также низким уровнем темнового тока, но более сложной технологией (сверхвысокий вакуум, эпитаксия, высокочистые исходные материалы и меньшей стабильностью.

11.13.15.18.23.24.28.32.-метода

33-лекции