Порядок выполнения работы

Для собранной схемы с параметрами: n-p-n транзистор, +Е_П = +5В, -Е_Б = -5В в дальнейшем предлагается воспользоваться алгоритмами выполнения лабораторной работы 2.

1. Получение передаточной характеристики (ХВВ) для ненагруженной схемы.

Повторите все пункты части 1 лабораторной работы 2.

2. Получение входной характеристики I_ВХ = f(U_ВХ).

Повторите все пункты части 2 лабораторной работы 2.

3. Получение выходной (нагрузочной) характеристики U¹_ВЫХ = f(I_НАГР).

Повторите все пункты части 3 лабораторной работы 2.

4. Получение выходной (нагрузочной) характеристики U⁰_ВЫХ = f(I_НАГР).

Повторите все пункты части 3 лабораторной работы 2. Примите во внимание изменения в схеме эксперимента:

• В пункте 1: в части окна «питание+» приложения VPS установите значение U_ВХ=U¹

• В пункте 3: убедитесь в наличии на выходе схемы напряжения логического нуля, U_ВЫХ≤U⁰

• В пункте 7: значение SUPPLY+ (U_ВХ) в этом эксперименте остается неизменным и равным U¹.

5. Измерение динамических параметров сигнала при отсутствии нагрузки на выходе схемы.

Повторите все пункты части 4 лабораторной работы 2.

6. Получение зависимости динамических параметров сигнала на выходе схемы в зависимости от величины емкостной нагрузки.

Повторите все пункты части 5 лабораторной работы 2.

7. Исследование влияния антинасыщающих диодов в цепи обратной связи на динамические параметры схемы для различных значений R1.

Содержание отчета

Бригадное задание

1. По экспериментальной ХВВ определить величины U⁰_ГР, U¹_ГР, вычислить U⁰_П и U¹_П и результаты записать в табл. 3.3.2. Сравнить с вычисленными значениями помехоустойчивости.

2. По экспериментально снятым входным характеристикам определить I¹_ВХ и I⁰_ВХ и вписать в табл. 3.3.1.

3. По экспериментальной выходной характеристике определить I⁰_{НАГРМАКС} и I¹_{НАГРМАКС}. Вычислить п, полученное на основании экспериментальных данных. Вписать в табл. 3.3.1. Сравнить с вычисленными значениями.

4. Указать на экспериментально снятой осциллограмме величины замеренных динамических параметров схемы. Вписать в табл. 3.3.3.

5. Построить зависимости сигнала t⁰¹, t¹⁰, t_p, t_зр⁰¹, t_зр¹⁰ от емкостной нагрузки и оценить ее влияние на максимальную частоту работы схемы.

6. Указать на осциллограмме влияние величины R1 на динамические параметры схемы (при наличии антинасыщающих диодов и без них).

Задание по уирс

Оформить результаты УИРС в соответствии с порядком выполнения УИРС, составленным при предварительной подготовке к работе. Сделать выводы по полученным результатам.

1. n_макc = f(R1).

2. n_МАКС = f (R2).

3. n_МАКС = f(R_K).

4. ΔU°_n =f(R1).

5. ΔU°_n = f(R2).

6. t⁰¹ = f(R2) – в схеме с антинасыщающими диодами.

7. t⁰¹ = f(R2) – в схеме без антинасыщающих диодов.

8. t¹⁰ = f(Rl) – в схеме с антинасыщающими диодами.

9. t¹⁰ = f(Rl) – в схеме без антинасыщающих диодов.

10. t_p = f(R1) – в схеме с антинасыщающими диодами и в схеме без этих диодов;

4.4.Лабораторная работа 4. Исследование работы инвертора ттл

Цель работы: экспериментальное изучение элементов транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).

Подготовка к лабораторной работе

Подготовка к работе состоит из изучения работы элементов ТТЛ и ознакомления с основными зависимостями и параметрами элементов ТТЛ.

В Табл. 4 .13 приведены параметры элементов ТТЛ различных серий. Подготовка к работе включает в себя составление отчета. На первом листе приводятся рисунок схемы модификации ТТЛ, которую предстоит исследовать (см. варианты заданий), и минимальный кодовый набор, необходимый для проверки правильности функционирования схемы.

Табл. 4.13. Параметры элементов ТТЛ различных серий

Параметр	Серия (модификация)
	К155	К131	К158	К531	К555
t10Змакс, нс	15	10	100	5	2
t01Змакс, нс	22	10	100	4,5	2
I0вх макс, мА	1,6	2,3	0,18	2	0,4
I0н макс, мА	16	23	1,8	20	4
I1вх макс, мА	0,04	0,05	0,012	0.05	0,02
I1н макс, мА	0,4	0,05	0,012	0,5	0,2
U0вых макс, В	0,4	0,35	0,3	0,5	0,5
U1вых макс, В	2,4	2,4	2,3	2,7	2,7
Pпотр.стат, мВт	22	44	2	19	10
f раб.макс, мГц	10	30	3	50	50
Сн.макс, пФ	200	200	200	200	200