«Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы».

Методические указания на практическое занятие

Занятие проводится под руководством преподавателя в учебной лаборатории или компьютерном классе.

а. Подготовка к практическому занятию

При подготовке к практическому занятию студент используя рекомендованную на лекции литературу, конспекты лекций, результаты лабораторных работ, возможности сети Интернет и другие доступные источники должен:

1.изучить:

- полупроводниковые диоды;

- биполярные транзисторы;

- полевые транзисторы;

- тиристоры;

- полупроводниковые фотоэлектрические приборы;

- интегральные микросхемы;

- оптоэлектронные приборы;

- полупроводниковые и жидкокристаллические индикаторы;

- систему обозначения полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

б. Вопросы рекомендуемые студентам для изучения на практического занятия:

На практическом занятии студент должен в рабочей тетради конспективно охарактеризовать: - свойства p-n-перехода; - вольтамперные характеристики точечного и плоскостного диода средней мощности; - выпрямительные диод; - полупроводниковые стабилитроны; - варикапы; - структуры и условнографические обозначения биполярных транзисторов; - движение носителей заряда в транзисторе типа n-p-n; - h-параметры; - полевые транзисторы; - структура МДП-транзистора с индуцированным каналом; - выходные и передаточная ВАХ МДП-транзистора с индуцированным каналом; - структуру и двухтранзисторная схема замещения, вольтамперные характеристики и условно-графическое триодного тиристора; - фотоэлектрические приборы; - фоторезисторы; - фотодиоды; - фототранзисторы; - фототиристоры; - интегральные микросхемы; - гибридные интегральные микросхемы; - полупроводниковые интегральные микросхемы; - линейно-импульсные и логические интегральные микросхемы; - оптроны; - фотодиодный оптрон; - фототранзисторный оптрон; - фоторезисторный оптрон; - фототиристорный оптрон; - полупроводниковые индикаторы; - жидкокристаллические индикаторы; - система обозначений полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

в. Защита выполненного задания у преподавателя ведущего практические занятия.

Задание выполняется в личной рабочей тетради студента , аккуратно с необходимыми пояснениями и расчётами. Схемы должны быть выполнены в соответствии с требованиями стандартов.

К защите студент должен подготовить ответы на вопросы темы:

1.Движению каких носителей заряда из p-полупроводника в n-полупроводник не препятствует двойной электрический слой на границе двух полупроводников?

2.Существует ли связь между входными и выходными ВАХ биполярного транзистора с одной стороны, а также прямой и обратной ветвями ВАХ полупроводникового диода с другой стороны?

3.Как соотносятся между собой потенциалы истока и затвора полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом p-типа?

4.Как влияет на характеристики триодного тиристора увеличение тока через управляющий переход?

5.Будет ли в цепи, состоящей из последовательно соединённых фотодиода и источника ЭДС, существовать ток и , если будет, то будет ли он зависеть от освещённости фотодиода?

6.Что представляет собой резистор в полупроводниковой микросхеме?

7.В чём преимущества фототранзисторного оптрона по сравнению с фотодиодным?

8.Для чего в цепь питания светодиода от источника ЭДС включают резистор?

(защита работ студентами осуществляется в соответствии с графиком установленным преподавателем, но не позднее даты официально установленного зачёта по дисциплине деканатом и учебным отделом МГТУ).

Задание 8