11.2. Технология нелинейной локации

В процессе эксплуатации ЛН могут возникать ложные срабатывания, обусловленные присутствием в обследуемом помещении бытовых электронных приборов, таких как, например, электронные калькуляторы, электронные часы и т. п. На практике подобные срабатывания, вызванные электронными приборами, не имеющими отношения к средствам технической разведки, легко идентифицировать визуально в отличие от ложных срабатываний, вызванных металлическими объектами, не содержащими электронных компонентов. Качественный ЛН должен отличать полупроводниковые соединения от ложных.

Рассмотрим один из способов повышения достоверности обнаружения полупроводниковых устройств с помощью ЛН [34].

Антенна ЛН облучает объект для определения наличия в нем электронных компонентов. Когда высокочастотный сигнал облучает полупроводниковые соединения, он возвращается на гармонических частотах с определенными уровнями, благодаря нелинейным характеристикам соединения. Но ложные срабатывания также могут возникнуть из-за того, что места соединения двух различных металлов или коррозионные металлические конструкции также вызывают гармонический отраженный сигнал вследствие своих нелинейных характеристик. Такие соединения называются ложными.

Рис. 11.2. Вольт - амперные характеристики полупроводникового и ложного соединений

На рис.11.2 показаны вольт-амперные характеристики полупроводникового и ложного соединений. Из-за различного характера нелинейных характеристик полупроводникового и ложного соединений составляющие 2-й и 3-й гармоник в отраженном сигнале будут иметь различное соотношение. Когда ЛН облучает полупроводник, вторая гармоника отклика превосходит третью по интенсивности. При облучении ложного соединения имеет место обратная картина: отклик на 3-й гармонике имеет более высокий уровень, чем на 2-й.

Для повышения вероятности безошибочного определения полупроводника от ложного соединения качественный ЛН должен обладать свойством сравнения уровней откликов на второй и третьей гармониках. В этом случае ЛН должен иметь два приемника и как следствие – более высокую стоимость.

Для ЛН, имеющего возможность анализа 2-й и 3-й гармоник, очень важно, чтобы приемные тракты гармоник были частотно изолированы друг от друга и не оказывали взаимного влияния. Сравнение большого числа НЛ различного производства свидетельствует, что большинство из них не имеет хорошей частотной изоляции в приемных трактах. В результате этого чистый полупроводник может иметь более сильный отклик на третьей гармонике, в то время как ложное соединение – на второй. Следовательно, даже если прибор имеет возможность приема отклика на обеих гармониках, то достаточно сложно отличить настоящий полупроводник от ложного соединения.

11.3. Эффект затухания

Для более достоверного распознавания полупроводникового и ложного соединения можно использовать «эффект затухания». Если прослушивать демодулированный аудио отклик от настоящего полупроводника, то по мере приближения к нему антенны уровень шумов будет значительно понижаться, а по мере удаления антенны уровень шума начнет возрастать и постепенно приблизится к нормальному значению. Демодулированный аудио сигнал имеет наименьшее значение непосредственно над полупроводниковым соединением.

При приближении антенны ЛН к ложному соединению аудио уровень шума несколько изменится в ту или иную сторону. По мере удаления антенны ЛН аудио шум снова примет обычное значение.

Теория «эффекта затухания» основана на том факте, что если ЛН излучает немодулированный сигнал, то сигнал отклика на частотах гармоник также будет немодулированным и и характеризоваться затуханием.

Аудио демодуляция может быть реализована как в ЛН с непрерывным так и с импульсным излучением. Имеется несколько моделей ЛН отечественного производства, например, «NR 900 EM», в которых реализован режим «20К», который основан на «эффекте затухания» и применяется для определения типа соединений. Но данный метод не дает достаточно надежных результатов. Большинство ложных соединений достаточно надежно идентифицируются на основе «эффекта затухания» с применением обычной частотной модуляции непрерывного излучения.