- •2.1.4.1. Сигналы адреса
- •2.1.4.2. Командные сигналы
- •2.1.4.3. Центральные сигналы управления
- •2.1.4.4. Сигналы прерывания
- •2.1.4.5. Сигналы режима пдп
- •2.1.4.6. Питание
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 2
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 3
- •2.2.1. Архитектура шины pci
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 4
- •2.2.4.1. Начало и продолжение транзакции
- •2.2.4.2. Окончание транзакции
- •2.2.4.3. Способы завершения транзакций
- •2.2.4.4. Цикл чтения
- •2.2.4.5. Цикл записи
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 5
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 6
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 7
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 8
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 9
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 10
- •Технологические решения
- •Основные производители:
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 11
- •В конструкциях в3у используются носители информации различного типа. В то же время носители информации существенно влияют на конструктивное решение устройства вп.
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 12
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 13
- •3.2 Физические компоненты интерфейса
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 14
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 15
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 16
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 17
- •Системные интерфейсы. Шина isa, ее архитектура, основные сигналы шины.
- •2.1.4.1. Сигналы адреса
- •2.1.4.2. Командные сигналы
- •2.1.4.3. Центральные сигналы управления
- •2.1.4.4. Сигналы прерывания
- •2.1.4.5. Сигналы режима пдп
- •2.1.4.6. Питание
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 18
- •2.1.2.3. Внешняя плата
- •2.1.4.1. Сигналы адреса
- •2.1.4.2. Командные сигналы
- •2.1.4.3. Центральные сигналы управления
- •2.1.4.4. Сигналы прерывания
- •2.1.4.5. Сигналы режима пдп
- •2.1.4.6. Питание
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 19
- •Управление градациями яркости и цветом
- •Национальный исследовательский ядерный университет (мифи)
- •Билет № 20
- •Philips выпускает гибкие дисплеи Readius для чтения
2.1.4.4. Сигналы прерывания
Группа сигналов прерывания используется для запроса на прерывание центрального процессора.
IRQ<15,14,12,11,10> [8/16] IRQ<9,7...3> [8]
2.1.4.5. Сигналы режима пдп
Эти сигналы поддерживают циклы пересылки данных при прямом доступе в память.
ПРИМЕЧАНИЕ: Каналы ПДП <3...0> поддерживают только пересылки 8-разрядных данных. Каналы ПДП <7...5> поддерживают пересылки только 16-разрядных данных.
DRQ<7...5,0> [8] [8/16] DRQ<3,2,1> [8]
Сигналы DRQ (DMA Request - запрос на ПДП) разрешаются ресурсами на материнской плате или внешними платами для запроса на обслуживание контроллером ПДП или для захвата шины. Сигнал DRQ должен быть разрешен до тех пор, пока контроллер ПДП не разрешит соответствующий сигнал -DACK.
ОСОБЕННОСТИ ДЛЯ ВНЕШНИХ ПЛАТ.
-DACK<7...5,0> [8] [8/16] -DACK<3,2,1> [8]
Сигналы -DACK (DMA Acknowledge - подтверждение ПДП) разрешаются контроллером ПДП как подтверждение сигналов запросов DRQ<7...5,3...0>. Разрешение соответствующего сигнала -DACK означает, что либо циклы ПДП будут начаты, либо внешняя плата захватила шину.
T/C [8] [8/16]
Сигнал T/C (Terminal Count - Окончание счета) разрешается контроллером ПДП тогда, когда по какому-либо из каналов ПДП будет окончен счет числа пересылок данных, то есть все пересылки данных выполнены.
2.1.4.6. Питание
Для питания внешних плат на шине ISA используются 5 напряжений питания постоянного тока: +5 В, -5 В, +12 В, -12 В, 0 В (корпус - Ground). Все линии питания заведены на 8-разрядный разъем, кроме одной линии по +5 В и одной линии корпуса на дополнительном разъеме.
№2
1. Разновидности внешней памяти
Внешней памятью ЭВМ называют устройства, предназначенные для долговременного хранения больших объёмов информации, которая не разрушается при отключении питания компьютера. Устройства внешней памяти (ВП) оперируют блоками информации. Эти блоки обычно имеют фиксированный размер, кратный степени двойки.
Все устройства ВП делятся на два класса:
Устройства прямого доступа.
Устройства последовательного доступа.
Прямой доступ (Direct access) подразумевает возможность обращения к блокам информации по их адресам в произвольном порядке. Устройствами прямого доступа являются дисковые накопители, флэш накопители.
Последовательный доступ является характерным для устройств, работа которых основана на использовании магнитной ленты - НМЛ, они же стримеры. Здесь каждый блок информации также имеет свой адрес, но для обращения к нему устройство должно найти некоторый маркер начала ленты (тома).
Конструктивно ВП может выполняться в виде:
Накопители на гибких магнитных дисках – НГМД.
Накопители на жёстких магнитных дисках с несъемными дисками (винчестеры) – НЖМД.
Накопители на жёстких дисках со сменными пакетами дисков – НМД.
Накопители на магнитных лентах (НМЛ) используют магнитную ленту шириной от 3,81 до 12.7 мм, которая конструктивно оформляется в виде катушек (бобин) или неразборных компакт кассет.
Накопители на съемных оптических дисках.
Накопители с несъемными оптическими дисками (винчестеры, жесткие диски).
Флэш – накопители.
Разновидности носителей:
Гибкие диски - майларовые диски (дискеты), на которые нанесён ферромагнитный слой. Первые накопители использовали дискеты диаметром 5,25 дюйма (133 мм). В настоящее время, все еще, используются дискеты с диаметром диска 3.5 дюйма с форматированной ёмкостью 1,44 Мбайт (Рис. 1, а).
Жёсткие диски, диаметр которых определяется конструкцией накопителя. Накопитель на жёстких дисках может содержать один или несколько дисков (Рис. 1, б).
Оптические диски имеют прозрачную поликарбонатную (пластиковую) основу, над которой расположен слой, хранящий информацию, покрытый защитным слоем (Рис. 2).
Флэш накопители изготавливаются в виде микросхем на основе полевых транзисторов с плавающим затвором, которые объединяются в различные конфигурации.
