Расчет конструкции радиатора

Температура перехода

Т_п = Т_кор + R_{Т п,к}•Р_к = 55 + 4,5•2,4 = 65,8°С.

Т.к. температура перехода меньше 70°С, то надобность в радиаторе отпадает.

Пример расчета транзисторного гвв мощностью 0,7 Вт на рабочую частоту 121,5 мГц и класс излучения а3е

По заданной выходной мощности в антенном контуре 0,7 Вт определяем мощность выходного каскада по формуле:

Р₁ = Р_А/η_АК = 0,7/0,7 = 1 Вт,

где η_АК = 0,7 – к.п.д. антенного контура.

Для передатчиков, использующих класс излучения А3Е, расчет производится по величине максимальной мощности

Р_{1 макс} = Р₁(1 + m)² = 1(1 + 0,8)² = 3,24 Вт ,

где m = 0,75…0,8 – глубина модуляции.

Для обеспечения заданной мощности 3,24 Вт в указанном диапазоне частот выберем транзистор типа 2Т913В, параметры которого сведены в таблицу.

Параметры транзистора.

Предельно допустимые величины			fT МГц	Рк доп, Вт	Тепловые парамертры
UКЭ доп В	UБЭ доп В	IК0 доп (макс),А			Тп доп С	RП,К. С/Вт
55	3,5	1 (2)	1250	6,5	150	10

Продолжение таблицы

Параметры идеализированных характеристик					Высокочастотные параметры
rнас (вч),Ом	rб, Ом	rэ, Ом	E’Вх, В	0	Ск пФ	Cэ пФ	Lэ нГн	Lб нГн	Lк нГн
1,5	1	0,2	0,7	40	10,5	100	0,25	2,5	2

Расчет выходной цепи

Выбираем Е_к = 12 В и θ = 90°

1. Коэффициент использования по напряжению

=

При усилении модулированных колебаний для обеспечения минимальных нелинейных искажений УМ должен работать в недонапряженном режиме. В этом случае для дальнейшего расчета задается

ξ_н = (0,85...0,95) ξ _гр

2. Амплитуда первой гармоники коллекторного напряжения в недонапряженном режиме:

U_н = Е_к•ξ_н = 12•0,84•0,9 = 9 В

3. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока

I_к1 = 2Р₁/U_н = 2•3,24/9 = 0,72 А

4. Постоянная составляющая коллекторного тока:

I_к0 = I_к1/g₁(Θ) = 0,72/1,57 = 0,46 А < I_{к0 доп} = 1 А

5. Максимальная величина импульса коллекторного тока:

I_{к макс} = I_к0/α₀(Θ) = 0,46/0,318 = 1,44 А < I_{к макс доп} = 2 А

6. Мощность, потребляемая источником коллекторного питания:

Р₀ = I_к0Е_к = 0,46•12 = 5,52 Вт

7. К.П.Д. коллекторной цепи:

η = Р₁/Р₀ = 3,24/5,52 = 0,59

8. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:

Р_к = Р₀ – Р₁ = 5,52 – 3,24 = 2,3 Вт < Р_{к доп} = 6,5 Вт

9. Сопротивление нагрузки:

R_н = U_н/I_к1 = 9/0,72 = 12,5 Ом

10. Далее выполняется расчет режима несущей частоты в следующей последовательности:

I_к1нес = I_{к1 макс} / (1 +m) = 0,72/1,8 = 0,4 А; U_{н нес} = U_{н макс} / (1 + m) = 5 В; P_{0 нес} = P_{0 макс} / (1 + m) = 3,1 Вт; _нес = _макс / (1 + m ) = 0,33; P_{к нес} = Р_{0 нес} – Р_{1 нес} = 3,1 - 1 = 2,1 Вт  Р_{к доп}.

Затем рассчитываются мощности за период звукового сигнала (режим телефонной мощности)

Р_тел = Р_{1 нес}(1 + 0,5m²) = 1,32 Вт; Р_{0 тел} = Р_{0 нес} = 3,1 Вт;

η_тел = Р_тел / Р_{0 тел} = 0,43; Р_{к тел} = Р_{0 тел} – Р_тел = 1,78 Вт  Р_{к доп}.