6.4. Схема с общим эмиттером

На рис. 6.11 изображена схема с общим эмиттером (ОЭ).

Рис. 6.11. Схема включения транзистора с ОЭ

Схема с общим эмиттером (ОЭ) имеет следующие семейства характеристик:

– выходных I_К=f(U_КЭ) при постоянном значении тока базы.

– входных I_Б=f(U_ЭБ) при постоянном напряжении U_КЭ.

Напряжение на эмиттерном переходе П₁ определяет напряжение U_БЭ, а на коллекторном переходе П₂.

На выходных характеристиках выделяют три области (рис. 6.12).

Рис. 6.12. Семейство выходных характеристик схемы включения

транзистора с ОЭ

Напряжение на эмиттерном переходе П₁ определяет U_БЭ, а на коллекторном переходе П₂ – (U_КЭ – U_БЭ). На выходных характеристиках три области:

Первая область – начальная область, зависимость сильная I_К от U_КЭ,

Вторая область – слабая зависимость I_К от U_КЭ,

Третья область – тепловой пробой коллекторного перехода.

Характеристики начинаются из начала координат. При U_КЭ = 0, напряжение на коллекторном переходе будет равно напряжению U_БЭ. Коллекторный переход открыт, поток дырок из коллектора в базу и из эмиттера в коллектор компенсируется, ток коллектора I_К = 0. По мере возрастания напряжения U_КЭ по модулю, прямое напряжение на переходе П₂ снижается, его инжекция снижается и увеличивается ток I_К. На границе первой и второй областей прямое напряжение снимается с перехода П₂ и во второй области на переход действует обратное напряжение (U_КЭU_БЭ).

Входные характеристики изображены на рис. 6.13.

Рис. 6.13. Семейство входных характеристик в схеме включения

транзистора с ОЭ

При значении U_КЭ = 0 входная характеристика соответствует прямой ветви ВАХ p-n-перехода. При увеличении значения напряжения U_КЭ по модулю, характеристики смещаются за счет эффекта модуляции базы. При U_КЭ0 при U_БЭ=0, ток I_Б0 за счет обратного тока через p-n- переход.

6.5. Схема с общим коллектором

Схема с общим коллектором (ОК) имеет следующие семейства характеристик:

– выходных I_Э=f(U_ЭК) при постоянном значении тока базы;

– входных I_Б=f(U_БК) при постоянном напряжении U_ЭК.

Схема с общим коллектором показана на рис. 6.14.

Характеристики схемы схожи со схемой с общим эмиттером, так как характеристики снимаются при условии R_К=R_Э=0.

Рис. 6.14. Схема включения транзистора с ОК

6.6. Транзистор как усилитель электрических сигналов

Одна из основных областей применения биполярного транзистора - усиление электрических сигналов. Для использования транзисторов в качестве усилителя напряжения, тока или мощности, входной сигнал, которого надо усилить, подают на два каких-либо электрода, и с двух электродов схемы снимают усиленный сигнал. В усилительных схемах биполярные транзисторы работают в активном режиме, напряжение на их выводах содержит постоянную и переменную составляющую.

Таблица 6.1

Параметры включения основных схем транзисторов

Параметры	Схема с общей базой	Схема с общим эмиттером	Схема с общим коллектором
Rвх	Единицы-десятки Ом	Сотни Ом, единицы кОм	Десятки-сотни кОм
Rвых	Сотни кОм-единицы МОм	Единицы-десятки кОм	Сотни Ом, единицы кОм
kI	ki1, =0,920,999	Десятки-сотни, =101000	Десятки-сотни
kU	Десятки-сотни	Десятки-сотни	 1
kP	Десятки-сотни	Десятки-сотни-тысячи	Десятки-сотни