- •6.19.1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором………………...
- •1. Предмет электроники, ее роль в науке и технике
- •2. Полупроводниковые приборы
- •2.1. Электрические свойства полупроводниковых материалов
- •2.2. Механизм электрической проводимости полупроводников
- •2.2.1. Собственная проводимость
- •2.2.2. Примесная проводимость
- •2.3. Электронно-дырочный переход (эдп)
- •2.3.1. Технология изготовления эдп
- •2.3.1.1. Сплавная технология
- •2.3.1.2. Диффузионная технология
- •2.3.2. Эдп при отсутствии внешнего напряжения
- •2.3.3. Эдп при прямом напряжении
- •Iдр iдиф,
- •Iдиф iдр,
- •Iпр iдиф.
- •2.3.4. Эдп при обратном напряжении
- •2.3.4.1. Механизм установления обратного тока при включении
- •3. Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •3.2. Параметры полупроводниковых диодов
- •4. Виды пробоев вентилей
- •4.1. Зеннеровский пробой
- •4.2. Лавинный пробой
- •4.3. Тепловой пробой
- •4.4. Поверхностный пробой
- •5. Основные типы полупроводниковых диодов
- •5.1. Устройство точечных диодов
- •5.2. Устройство плоскостных диодов
- •5.3. Условное обозначение силовых диодов
- •5.4. Конструкция штыревых силовых диодов
- •5.5. Лавинные диоды
- •5.6. Конструкции таблеточных диодов
- •5.7. Стабилитрон (опорный диод)
- •5.7.1 Основные параметры стабилитрона
- •5.7.2 Двухсторонние стабилитроны
- •5.8. Туннельный диод (тд)
- •5.9. Обращенный диод
- •5.9.1. Варикап
- •5.10. Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды
- •6. Транзисторы
- •Iдиф э Iдиф эр.
- •6.1. Распределение токов в структуре транзистора
- •6.2. Схемы включения транзисторов. Статические вах
- •6.3. Схема с общей базой
- •6.4. Схема с общим эмиттером
- •6.5. Схема с общим коллектором
- •6.6. Транзистор как усилитель электрических сигналов
- •6.7. Краткие характеристики схем включения. Область применения схем
- •6.7.1. Схема с общей базой
- •6.7.2. Схема с общим эмиттером
- •6.7.3. Схема с общим коллектором
- •6.8. Режимы работы транзистора
- •6.9. Пример транзисторного ключа
- •6.10. Малосигнальные и собственные параметры транзисторов
- •6.11. Силовые транзисторные модули
- •6.12. Параметры биполярных транзисторов
- •6.13. Классификация и система обозначений транзисторов
- •6.14. Полевые транзисторы
- •6.15. Вах полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •6.16. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •6.17. Характеристики транзисторов. Стоковые (выходные) характеристики
- •6.19. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt - транзисторы)
- •6.19.1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
- •6.19.2. Силовые модули на основе igbt-транзисторов
- •7. Тиристоры
- •7.1. Переходные процессы включения и выключения тиристора
- •7.2. Лавинные тиристоры (лт)
- •7.3. Специфические типы тиристоров. Оптотиристоры
- •7.4. Тиристоры с улучшенными динамическими свойствами
- •7.4.1. Тиристоры тд
- •7.4.2. Тиристоры тб (быстродействующие)
- •7.4.3. Тиристоры тч (частотные)
- •7.5. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •7.6. Полностью управляемые тиристоры (запираемые, выключаемые, двух операционные, gto- тиристоры)
2. Полупроводниковые приборы
2.1. Электрические свойства полупроводниковых материалов
Атомы всех веществ состоят из ядра, вокруг которого по замкнутым орбитам движутся электроны. Электроны могут двигаться вокруг ядра по строго определенным (разрешенным) орбитам.
Энергия каждого электрона может принимать лишь определенные значения, зазываемые уровнями энергии, или энергетическими уровнями.
Электрон, вращающийся на самой близкой к ядру орбите, обладает минимальной энергией, а вращающийся на самой удаленной – максимальной.
Переход электрона с одной орбиты на другую связан с изменением его энергетического уровня. Чтобы перевести электрон на более высокий энергетический уровень (удалить от ядра), необходимо затратить определенное количество энергии (квант или фотон). При обратном переходе электрона с более удаленной орбиты на более близкую к ядру его энергия излучается в виде кванта.
В соответствии с зонной теорией твердого тела энергетические уровни объединяются в зоны (рис. 2.1). Электроны внешней оболочки атома заполняют ряд энергетических уровней, составляющих валентную зону. Валентные электроны участвуют в электрических и химических процессах. В металлах и полупроводниках большое число электронов находится на более высоких энергетических уровнях, которые составляют зону проводимости (ЗП). Электроны проводимости совершают беспорядочное движение внутри тела, переходя от одних атомов к другим. Электроны проводимости обеспечивают высокую электропроводность металлов. У металлов валентная зона (ВЗ) примыкает к зоне проводимости. У полупроводников валентная зона отделяется от зоны проводимости запрещенной зоной, т.е. уровнями энергии, на которых электроны находиться не могут. Ширина запрещенной зоны (ЗЗ) W определяется энергией, необходимой для перевода одного электрона с низшего разрешенного уровня на высший. Размерность – эВ (1эВ - это энергия, необходимая для перемещения электрона в электрическое поле между точками с разностью потенциалов в 1 В).
а
б
в
Рис. 2.1. Зонные энергетические диаграммы, характеризующие
распределение электронов по энергетическим уровням. Проводник (а),
полупроводник (б), диэлектрик (в)
Электрическая проводимость того или иного твердого вещества определяется шириной запрещенной зоны.
В зоне проводимости электроны теряют связь с ядром атома и становятся свободными, способными под влиянием внешнего электрического поля перемещаться между атомами вещества.
В проводнике зона проводимости и валентная зона примыкают друг к другу, а иногда могут перекрывать друг друга. При обычных температурах электроны легко переходят из одной зоны в другую. Число электронов в запрещенной зоне велико. Эти электроны, двигающиеся беспорядочно, под воздействием разности потенциалов, могут начать двигаться упорядоченно, создавая электрический ток.
В полупроводнике электрическая проводимость меньше, чем у металлов, но больше, чем у диэлектриков. Наличие в полупроводнике при обычных условиях некоторого числа свободных электронов делает их похожими на металлы.
В диэлектрике широкая запрещенная зона может достигать 8эВ. Чтобы электрон смог преодолеть запрещенную зону, нужно сообщить ему значительную энергию. Однако при попытке сообщить ее, произойдет пробой диэлектрика, т.е. разрушение (непоправимое) кристаллической структуры. У диэлектриков мало электронов в зоне проводимости.
При достаточном охлаждении полупроводник становится диэлектриком, а при нагреве или освещении его - проводником. Электрическая проводимость полупроводника сильно зависит от наличия примесей.
