
- •6.19.1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором………………...
- •1. Предмет электроники, ее роль в науке и технике
- •2. Полупроводниковые приборы
- •2.1. Электрические свойства полупроводниковых материалов
- •2.2. Механизм электрической проводимости полупроводников
- •2.2.1. Собственная проводимость
- •2.2.2. Примесная проводимость
- •2.3. Электронно-дырочный переход (эдп)
- •2.3.1. Технология изготовления эдп
- •2.3.1.1. Сплавная технология
- •2.3.1.2. Диффузионная технология
- •2.3.2. Эдп при отсутствии внешнего напряжения
- •2.3.3. Эдп при прямом напряжении
- •Iдр iдиф,
- •Iдиф iдр,
- •Iпр iдиф.
- •2.3.4. Эдп при обратном напряжении
- •2.3.4.1. Механизм установления обратного тока при включении
- •3. Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •3.2. Параметры полупроводниковых диодов
- •4. Виды пробоев вентилей
- •4.1. Зеннеровский пробой
- •4.2. Лавинный пробой
- •4.3. Тепловой пробой
- •4.4. Поверхностный пробой
- •5. Основные типы полупроводниковых диодов
- •5.1. Устройство точечных диодов
- •5.2. Устройство плоскостных диодов
- •5.3. Условное обозначение силовых диодов
- •5.4. Конструкция штыревых силовых диодов
- •5.5. Лавинные диоды
- •5.6. Конструкции таблеточных диодов
- •5.7. Стабилитрон (опорный диод)
- •5.7.1 Основные параметры стабилитрона
- •5.7.2 Двухсторонние стабилитроны
- •5.8. Туннельный диод (тд)
- •5.9. Обращенный диод
- •5.9.1. Варикап
- •5.10. Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды
- •6. Транзисторы
- •Iдиф э Iдиф эр.
- •6.1. Распределение токов в структуре транзистора
- •6.2. Схемы включения транзисторов. Статические вах
- •6.3. Схема с общей базой
- •6.4. Схема с общим эмиттером
- •6.5. Схема с общим коллектором
- •6.6. Транзистор как усилитель электрических сигналов
- •6.7. Краткие характеристики схем включения. Область применения схем
- •6.7.1. Схема с общей базой
- •6.7.2. Схема с общим эмиттером
- •6.7.3. Схема с общим коллектором
- •6.8. Режимы работы транзистора
- •6.9. Пример транзисторного ключа
- •6.10. Малосигнальные и собственные параметры транзисторов
- •6.11. Силовые транзисторные модули
- •6.12. Параметры биполярных транзисторов
- •6.13. Классификация и система обозначений транзисторов
- •6.14. Полевые транзисторы
- •6.15. Вах полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •6.16. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •6.17. Характеристики транзисторов. Стоковые (выходные) характеристики
- •6.19. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt - транзисторы)
- •6.19.1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
- •6.19.2. Силовые модули на основе igbt-транзисторов
- •7. Тиристоры
- •7.1. Переходные процессы включения и выключения тиристора
- •7.2. Лавинные тиристоры (лт)
- •7.3. Специфические типы тиристоров. Оптотиристоры
- •7.4. Тиристоры с улучшенными динамическими свойствами
- •7.4.1. Тиристоры тд
- •7.4.2. Тиристоры тб (быстродействующие)
- •7.4.3. Тиристоры тч (частотные)
- •7.5. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •7.6. Полностью управляемые тиристоры (запираемые, выключаемые, двух операционные, gto- тиристоры)
5.6. Конструкции таблеточных диодов
В таком диоде выпрямительный элемент помещен в металлокерамический корпус между двумя медными основаниями, обладающими повышенной теплоэлектропроводностью. В отличие от диодов штыревой конструкции его не припаивают к основаниям, а прижимают к ним через вольфрамовые пластины при сборке на заводе. Прижимные контакты позволяют снизить механические напряжения, возникающие в элементе при резких изменениях температуры. В результате этого, а так же благодаря двухстороннему отводу тепла, повышается стойкость диодов к перегрузкам. Вентили таблеточной конструкции зажимают контактными поверхностями между двумя половинками охладителей, изолированными друг от друга.
Выпрямительные установки тяговых подстанций и электроподвижных составов комплектуются лавинными диодами. При применении лавинных диодов отпадает необходимость в применении специальных средств защиты диодов от перенапряжения и сами диоды могут быть выбраны с меньшим запасом по напряжению по сравнению с не лавинными, имеющими тоже значение напряжения пробоя.
5.7. Стабилитрон (опорный диод)
Стабилитрон – полупроводниковый диод, предназначенный для стабилизации напряжения.
Особенностью стабилитрона является наличие обратной ветви ВАХ области электрического пробоя p-n-перехода (рис. 5.3, участок аб), на которой напряжение на диоде практически не меняется, что позволяет использовать диод для стабилизации напряжения.
Для изготовления стабилитронов используют кремний с высокой степенью очистки. Напряжение, при котором возникает пробой, зависит от ширины p-n- перехода и удельного сопротивления материала. Изменяя это сопротивление и параметры технологического процесса (температуру, степень насыщенности примесями) можно получить различные значения напряжения стабилизации.
Примерами использования стабилитронов могут служить:
схема стабилизации постоянного напряжения (рис. 5.4).
На схеме Rогр – ограничивающий резистор, служащий для ограничения тока через стабилитрон. При увеличении входного напряжения Uвх увеличивается ток стабилизации Iстаб и падение напряжения ∆U на резисторе Rогр. Напряжение на выходе Uвых, на стабилитроне и Rн, остается почти неизменным.
Рис. 5.3. Вольтамперная характеристика стабилитрона
Рис. 5.4. Схема стабилизации постоянного напряжения
При изменении Rн происходит перераспределение тока между сопротивлением нагрузки и стабилитроном, но напряжение на выходе не изменяется.
В кремниевых стабилитронах напряжение стабилизации возрастает с увеличением температуры, для компенсации этого изменения последовательно со стабилитроном включают терморезистор Rт, нелинейное сопротивление которого уменьшается с ростом температуры. Такое включение позволяет сделать напряжение стабилизации независимым от температуры;
датчик, реагирующий на изменение напряжения (рис. 5.5).
Рис. 5.5. Датчик, реагирующий на изменение напряжения
В системах автоматики стабилитроны часто используют в качестве датчика, реагирующего на изменение напряжения. Если входное напряжение Uвх возрастает выше определенного уровня, стабилитрон пробивается и через включенный последовательно с ним прибор (например, катушка реле), начнет протекать ток, при этом подается сигнал на срабатывание соответствующих устройств.