- •6.19.1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором………………...
- •1. Предмет электроники, ее роль в науке и технике
- •2. Полупроводниковые приборы
- •2.1. Электрические свойства полупроводниковых материалов
- •2.2. Механизм электрической проводимости полупроводников
- •2.2.1. Собственная проводимость
- •2.2.2. Примесная проводимость
- •2.3. Электронно-дырочный переход (эдп)
- •2.3.1. Технология изготовления эдп
- •2.3.1.1. Сплавная технология
- •2.3.1.2. Диффузионная технология
- •2.3.2. Эдп при отсутствии внешнего напряжения
- •2.3.3. Эдп при прямом напряжении
- •Iдр iдиф,
- •Iдиф iдр,
- •Iпр iдиф.
- •2.3.4. Эдп при обратном напряжении
- •2.3.4.1. Механизм установления обратного тока при включении
- •3. Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •3.2. Параметры полупроводниковых диодов
- •4. Виды пробоев вентилей
- •4.1. Зеннеровский пробой
- •4.2. Лавинный пробой
- •4.3. Тепловой пробой
- •4.4. Поверхностный пробой
- •5. Основные типы полупроводниковых диодов
- •5.1. Устройство точечных диодов
- •5.2. Устройство плоскостных диодов
- •5.3. Условное обозначение силовых диодов
- •5.4. Конструкция штыревых силовых диодов
- •5.5. Лавинные диоды
- •5.6. Конструкции таблеточных диодов
- •5.7. Стабилитрон (опорный диод)
- •5.7.1 Основные параметры стабилитрона
- •5.7.2 Двухсторонние стабилитроны
- •5.8. Туннельный диод (тд)
- •5.9. Обращенный диод
- •5.9.1. Варикап
- •5.10. Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды
- •6. Транзисторы
- •Iдиф э Iдиф эр.
- •6.1. Распределение токов в структуре транзистора
- •6.2. Схемы включения транзисторов. Статические вах
- •6.3. Схема с общей базой
- •6.4. Схема с общим эмиттером
- •6.5. Схема с общим коллектором
- •6.6. Транзистор как усилитель электрических сигналов
- •6.7. Краткие характеристики схем включения. Область применения схем
- •6.7.1. Схема с общей базой
- •6.7.2. Схема с общим эмиттером
- •6.7.3. Схема с общим коллектором
- •6.8. Режимы работы транзистора
- •6.9. Пример транзисторного ключа
- •6.10. Малосигнальные и собственные параметры транзисторов
- •6.11. Силовые транзисторные модули
- •6.12. Параметры биполярных транзисторов
- •6.13. Классификация и система обозначений транзисторов
- •6.14. Полевые транзисторы
- •6.15. Вах полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •6.16. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •6.17. Характеристики транзисторов. Стоковые (выходные) характеристики
- •6.19. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt - транзисторы)
- •6.19.1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
- •6.19.2. Силовые модули на основе igbt-транзисторов
- •7. Тиристоры
- •7.1. Переходные процессы включения и выключения тиристора
- •7.2. Лавинные тиристоры (лт)
- •7.3. Специфические типы тиристоров. Оптотиристоры
- •7.4. Тиристоры с улучшенными динамическими свойствами
- •7.4.1. Тиристоры тд
- •7.4.2. Тиристоры тб (быстродействующие)
- •7.4.3. Тиристоры тч (частотные)
- •7.5. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •7.6. Полностью управляемые тиристоры (запираемые, выключаемые, двух операционные, gto- тиристоры)
5.3. Условное обозначение силовых диодов
Условное обозначение силовых диодов состоит из букв и цифр, указывающих его вид, подвид, модификацию, максимальный (предельный) ток в амперах, класс повторяющегося напряжения в сотнях вольт, группу по времени восстановления и пределы импульсного прямого напряжения.
- X -
1 2 3 4 5 6 7 8
1 – буква, указывающая вид и подвид (Д – диод, ДЛ – диод лавинный);
2 – порядковый номер модификации конструкции;
3 – цифра, кодирующая размер под ключ или диаметр таблетки;
4 – цифра, кодирующая исполнение корпуса диода. Если 1 – штыревой с гибким выводом, 2 – штыревой с жестким выводом, 3 – таблеточный, 4 – под запрессовку, 5 – фланцевый;
5 – средний прямой ток, А;
X – знак обратной проводимости;
6 – класс;
7 – группа по времени обратного восстановления;
8 – предел по импульсному прямому напряжению.
Например, Д161-200X-12-1,25-1,35 – диод штыревого исполнения с гибким выводом, номер модификации конструкции – 1, размер шестигранника под ключ для шестой группы – 32 мм, максимально допустимый средний прямой ток 200 А, обратной полярности, двенадцатого класса, с ненормируемым временем обратного восстановления и импульсным прямым напряжением в диапазоне 1,25-1,35 В.
5.4. Конструкция штыревых силовых диодов
При изготовлении диодов в пластинку из кремния диффузионным способом вводят с одной стороны акцепторную примесь из бора, с другой – донорную примесь из фосфора. При высокой температуре атомы бора и фосфора диффундируют в кремнии и образуют ЭДП. Толщина пластины составляет 0,40,5 мм; площадь ее обеспечивает плотность тока 0,51 А/мм2. Для защиты хрупкого p-n-перехода от тепловых и механических напряжений, пластину из кремния припаивают с обеих сторон к двум вольфрамовым пластинам, выполняющих роль термокомпенсаторов.
Выпрямительный элемент диода монтируется в герметичном корпусе, который защищает его от проникновения влаги, грязи.
Выводами диода являются основания корпуса (катод) и гибкий анодный вывод, проходящий через стальную крышку корпуса внутри стеклянного изолятора. Выводы диода припаиваются к вольфрамовым пластинам, ко второму концу гибкого вывода припаивают выводной гибкий шунт с наконечником (анод). Это облегчает сборку диода и не создает механических усилий на ЭДП.
Для увеличения интенсивности охлаждения диода к его корпусу прикрепляют алюминиевый или медный ребристый охладитель. В основании корпуса имеется стержень (штырь) с резьбой, который ввертывают в охладитель.
Диод может работать с номинальным током только при наличии охладителя и обдува его воздухом. На ЭПС принудительная система охлаждения со скоростью охлаждения воздуха 12 м/с.
На тяговых подстанциях эксплуатируются преобразователи типа ПВЭ-3, УВКЭ-1 с принудительной системой охлаждения – скорость охлаждения воздуха 10 м/с.
При таких скоростях исключается засорение охлаждающей системы, затраты мощности на принудительное охлаждение составляют менее 0,5% от мощности установки.
Диоды с жидкостным охлаждением вследствие ряда недостатков (трудоемкий монтаж, ухудшение теплообмена из-за отложения солей, необходимости подогрева охлаждающей системы в зимний период и т.д.) на тяговых подстанциях и ЭПС в настоящее время не применяют.
Преобразователи тяговых подстанций типа ПВКЕ, ПВЭ-5 и ТПЕД имеют естественное воздушное охлаждение.
Преобразователи типа В-ТПЕД и блоки БСЕ имеют радиаторы на базе тепловых трубок, система охлаждения – испарительно-конденсатная.
