- •6.19.1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором………………...
- •1. Предмет электроники, ее роль в науке и технике
- •2. Полупроводниковые приборы
- •2.1. Электрические свойства полупроводниковых материалов
- •2.2. Механизм электрической проводимости полупроводников
- •2.2.1. Собственная проводимость
- •2.2.2. Примесная проводимость
- •2.3. Электронно-дырочный переход (эдп)
- •2.3.1. Технология изготовления эдп
- •2.3.1.1. Сплавная технология
- •2.3.1.2. Диффузионная технология
- •2.3.2. Эдп при отсутствии внешнего напряжения
- •2.3.3. Эдп при прямом напряжении
- •Iдр iдиф,
- •Iдиф iдр,
- •Iпр iдиф.
- •2.3.4. Эдп при обратном напряжении
- •2.3.4.1. Механизм установления обратного тока при включении
- •3. Полупроводниковые диоды
- •3.1. Вольт-амперная характеристика (вах) диода
- •3.2. Параметры полупроводниковых диодов
- •4. Виды пробоев вентилей
- •4.1. Зеннеровский пробой
- •4.2. Лавинный пробой
- •4.3. Тепловой пробой
- •4.4. Поверхностный пробой
- •5. Основные типы полупроводниковых диодов
- •5.1. Устройство точечных диодов
- •5.2. Устройство плоскостных диодов
- •5.3. Условное обозначение силовых диодов
- •5.4. Конструкция штыревых силовых диодов
- •5.5. Лавинные диоды
- •5.6. Конструкции таблеточных диодов
- •5.7. Стабилитрон (опорный диод)
- •5.7.1 Основные параметры стабилитрона
- •5.7.2 Двухсторонние стабилитроны
- •5.8. Туннельный диод (тд)
- •5.9. Обращенный диод
- •5.9.1. Варикап
- •5.10. Фотодиоды, полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды
- •6. Транзисторы
- •Iдиф э Iдиф эр.
- •6.1. Распределение токов в структуре транзистора
- •6.2. Схемы включения транзисторов. Статические вах
- •6.3. Схема с общей базой
- •6.4. Схема с общим эмиттером
- •6.5. Схема с общим коллектором
- •6.6. Транзистор как усилитель электрических сигналов
- •6.7. Краткие характеристики схем включения. Область применения схем
- •6.7.1. Схема с общей базой
- •6.7.2. Схема с общим эмиттером
- •6.7.3. Схема с общим коллектором
- •6.8. Режимы работы транзистора
- •6.9. Пример транзисторного ключа
- •6.10. Малосигнальные и собственные параметры транзисторов
- •6.11. Силовые транзисторные модули
- •6.12. Параметры биполярных транзисторов
- •6.13. Классификация и система обозначений транзисторов
- •6.14. Полевые транзисторы
- •6.15. Вах полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •6.16. Полевые транзисторы с изолированным затвором
- •6.17. Характеристики транзисторов. Стоковые (выходные) характеристики
- •6.19. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (igbt - транзисторы)
- •6.19.1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором
- •6.19.2. Силовые модули на основе igbt-транзисторов
- •7. Тиристоры
- •7.1. Переходные процессы включения и выключения тиристора
- •7.2. Лавинные тиристоры (лт)
- •7.3. Специфические типы тиристоров. Оптотиристоры
- •7.4. Тиристоры с улучшенными динамическими свойствами
- •7.4.1. Тиристоры тд
- •7.4.2. Тиристоры тб (быстродействующие)
- •7.4.3. Тиристоры тч (частотные)
- •7.5. Симметричные тиристоры (симисторы)
- •7.6. Полностью управляемые тиристоры (запираемые, выключаемые, двух операционные, gto- тиристоры)
5. Основные типы полупроводниковых диодов
Полупроводниковые диоды подразделяют на группы по многим признакам. Бывают диоды из различных полупроводниковых материалов, предназначенные для низких или высоких частот, для выполнения различных функций и отличающиеся друг от друга по конструкции.
Классификация и условные графические обозначения диодов могут быть представлены на рис. 5.1. В зависимости от структуры различают плоскостные и точечные диоды. У точечных диодов линейные размеры, определяющие площадь p-n-перехода, равны толщине перехода или меньше ее. У плоскостных диодов эти размеры значительно больше его толщины.
5.1. Устройство точечных диодов
Точечные диоды выполнены в виде тонкой пластинки из полупроводника n- типа. Пластинку покрывают тонким слоем металла и припаивают к металлическому основанию. В противоположную сторону пластины упирается острие тонкой контактной пружины из вольфрамовой проволоки. Острый конец проволоки покрывают слоем индия или алюминия, который является акцепторной примесью и обеспечивает создание около острия области с p-типом проводимости.
Между этой областью и основной массой полупроводника образуется p-n- переход, площадью 10-12 мкм2. Диоды монтируют в стеклянном коваровом или металлическом герметичном корпусе. На концах его установлены коваровые трубки с выводами. Для улучшения вентильных свойств после сборки диоды подвергают электрической формовке путем пропускания импульсов тока. При формовке происходит частичное расплавление и диффузия атомов индия или алюминия в основной полупроводник.
Ковар – магнитный сплав железа с кобальтом и никелем, обладающий низким коэффициентом температурного расширения, близким к температурному коэффициенту расширения стекла.
Из-за малой площади контакта прямой ток точечных диодов невелик. По той же причине у них мала и межэлектродная емкость, что позволяет применять эти диоды в области очень высоких частот (СВЧ – диоды). В основном точечные диоды используют для выпрямления.
5.2. Устройство плоскостных диодов
В плоскостных диодах основным элементом является пластина из германия или кремния, в которой метод сплавления или диффузии создан плоский по форме p-n-перехода. В плоскостных германиевых диодах, получаемых сплавным методом, в пластинку из германия с n-проводимостью вплавляют каплю индия. При нагреве индия плавится и диффундирует в основной полупроводник, образуя в нем область с p-проводимостью. На границе между n- и p-областями создается ЭДП значительно большей площади, чем в точечном диоде, с гораздо большим прямым током.
Рис. 5.1. Классификация и условные графические обозначения диодов
В плоскостных кремниевых диодах в пластину с n-проводимостью вплавляют алюминиевый столбик, который создает область с p-типом проводимости. Для получения в кремнии сильно легированной зоны с n-проводимостью, одну из сторон пластинки перед операцией сплавления покрывают фольгой (или напыляют слой сурьмянистого золота). Такой p-n-переход может изменять свои электрические характеристики под влиянием атмосферных воздействий, влаги, загрязнения. Для защиты диода от внешней среды пластинку из полупроводника вместе с припаиваемыми к ней выводами устанавливают в металлический корпус, который затем герметизируют. Корпус так же защищает полупроводниковый элемент от повреждений и обеспечивает нормальную работу вывода в условиях вибрации, тряски и ударов.
В верхней части корпуса монтируют стеклянный изолятор, через который проходит выводная трубка.
Для лучшего отвода тепла в некоторых плоскостных диодах применяют охладители – это металлические пластинки из меди или алюминия, платы или специальные радиаторы.
Выпрямительный полупроводниковый диод – диод, предназначенный для выпрямления переменного тока.
Маломощные выпрямительные диоды и диоды, предназначенные для работы в высокочастотных и импульсных цепях, имеют конструкцию, аналогичную точечным диодам.
На тяговых подстанциях и электроподвижном составе (ЭПС) применяют мощные силовые кремниевые диоды.
