- •Электроника
- •Екатеринбург
- •Содержание
- •Пояснительная записка
- •Практическое занятие 1 характеристики и параметры полупроводниковых диодов
- •1. Цель работы
- •2. Домашнее задание
- •Основные теоретические положения
- •5. Порядок проведения измерений
- •6. Обработка результатов измерений
- •7. Отчет по работе
- •8. Контрольные вопросы
- •2. Домашнее задание
- •3. Расчетная часть
- •4. Основные теоретические положения
- •5. Проведение измерений
- •5.1 Подготовка к работе
- •6. Обработка результатов измерений
- •8. Контрольные вопросы
- •Практическое занятие 3 характеристики и параметры полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом
- •Порядок выполнения работы
- •6. Обработка результатов измерений
- •Содержание отчёта
- •Контрольные вопросы
- •2. Подготовка к выполнению работы
- •3. Расчетная часть
- •4. Общие положения, термины и определения
- •5. Проведение измерений
- •5.1 Подготовка к работе
- •6. Обработка результатов измерений
- •8. Контрольные вопросы
- •Практическое занятие 5 Логические элементы цифровых микросхем
- •5. Порядок выполнения работы
- •7. Контрольные вопросы
- •Электроника
- •620109, Екатеринбург, ул. Репина, 15
6. Обработка результатов измерений
6.1 Построить графики вольт-амперных характеристик диодов в одних координатах согласно рисунка 6.
6.2 По графикам
– определить дифференциальное сопротивление диодов
rД = ΔUПР/ΔIПР. Для определения сопротивления rД построить на графике характеристический прямоугольный треугольник, как показано на рисунке 6. Вершины треугольника расположить на 500 и 1000 mА. ΔIПР = (1000mА – 500mА). Сопротивление определить для нормальной и повышенной температуры;
– определить статическое сопротивление диодов при прямом токе, равном 500 mА,
R0 = UПР/IПР.
Сопротивления определить для нормальной и повышенной температуры;
–
∆Utпр
Т
∆t
6.3 На полученных графиках построить также идеализированную ВАХ p-n-перехода.
7. Отчет по работе
Отчет по работе должен содержать следующие разделы:
– цель работы;
– справочные параметры исследуемых диодов, необходимые пояснения;
– схемы для получения прямой ветви ВАХ диодов; – таблицу с результатами измерений;
– графики ВАХ диодов для нормальной и повышенной температур; 12
– рассчитанные параметры;
– выводы по результатам проделанной работы.
8. Контрольные вопросы
- Что такое «полупроводниковый диод»?
- Дайте определение понятия «вольт-амперная характеристика полупроводникового диода».
- Поясните влияние температуры на прямую ветвь вольт-амперной характеристики p-n-перехода.
- Назовите составляющие обратного тока p-n-перехода и поясните их физический смысл.
- Что такое «пробой p-n-перехода»?
- Поясните смысл терминов «статическое сопротивление диода» и «дифференциальное сопротивление диода». Как можно найти указанные величины по результатам измерений.
- Почему эти сопротивления имеют разную величину.
- Объясните влияние объемного сопротивления базы на вольт-амперную характеристику p-n-перехода.
- Начертите схему для исследования прямой ветви вольт-амперной характеристики p-n-перехода.
- Объясните, почему прямое напряжение на диоде Шоттки меньше, чем на кремниевом диоде.
13
практическое занятие 2
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы
Экспериментальное определение вольт-амперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером при нормальной и повышенной температурах, определение параметров транзистора.
2. Домашнее задание
Изучите конструкцию, принцип действия, характеристики и параметры биполярного транзистора [1-6].
Ознакомьтесь с терминологией и буквенными обозначениями параметров биполярных транзисторов по ГОСТ 20003-74 по справочной литературе.
Выбрать транзистор из библиотеки «Motorol 1» или «National 2» заданного варианта таблица 4. Выпишите параметры транзистора, имеющиеся в закладке «Edit».
Продумайте методику проведения исследований.
Ответьте на контрольные вопросы