2.Характеристики и основные параметры диодов.

Основной характеристикой полупроводникового диода является вольтамперная, представляющая собой зависимость тока, протекающего через диод, от величины и полярности приложенного к нему напряжения.

Вольтамперная характеристика диода имеет две ветви. Ветвь, расположенная в первом квадранте, соответствует прямому (пропускному) включению диода, а расположенная в третьем квадранте – обратному (см. рис 2).

По в.а.х. можно оценить основные возможности диода:

Рис.2. Вольтамперная характеристика

в

ыпрямительного диода:

1 – при повышенной температуре;

2 – при нормальной температуре;

3 – при пониженной температуре.

как изменяются прямой и обратный токи от приложенного напряжения;

дифференциальное и статическое сопротивление диода;

зависимость тока через диод от температуры и т.д.

Чем круче и ближе к вертикальной оси прямая ветвь и ближе к горизонтальной обратная ветвь, тем лучше выпрямительные свойства диода. При достаточно большом обратном напряжении у диода наступает пробой, т.е. резко возрастает обратный ток. Нормальная работа диода в качестве элемента с односторонней проводимостью возможна лишь в режимах, когда обратное напряжение не превышает пробивного.

Токи диодов зависят от температуры (см. рис. 2). Если через диод протекает постоянный ток, то при изменении температуры падение напряжения на диоде изменяется приблизительно на 2 мВ/°С. При увеличении температуры обратный ток увеличивается в 2 раза у германиевых и в 2,5 у кремниевых диодов на каждые 10°С. Пробивное напряжение при повышении температуры понижается.

Одним из важнейших параметров диода является дифференциальное сопротивление (сопротивление диода переменному току)

(1)

Оно определяется по в.а.х. Если сопротивление определяется на прямолинейном участке характеристики или когда небольшая погрешность не имеет существенного значения, то можно от бесконечно малых перейти к конечным приращениям

.

(2)

Статическое сопротивление диода постоянному току также определяется по вольтамперной характеристике. В справочниках обычно приводят величины R_при R_обр,

(3)

Иногда выпрямительные свойства полупроводниковых приборов оценивают с помощью коэффициента выпрямления

приU=±1В.

(4)

Важным параметром является общая емкость диода, равная сумме барьерной и диффузионной емкостиp-nперехода и емкости корпуса

.

(5)

Диффузионная емкость связана с инерционным накоплением избыточных зарядов. С увеличением частоты С_дифуменьшается, так как уменьшается накапливаемый заряд, не успевающий следовать за изменением напряжения. Барьерная емкость от частоты не зависит. В справочниках обычно указывается значение барьерной емкости диода при определенном значении обратного напряжения. В зависимости от площадиp-nперехода и его толщины барьерная емкость полупроводниковых диодов имеет значения от десятых долей до сотен пикофарад.

Обратное максимально допустимое напряжение

Uобр.макс »0,8Uпроб,

(6)

где U_проб– напряжение теплового или электрического пробоя (от десятков до сотен вольт).

Максимально допустимая мощность, рассеиваемая диодом, Вт,

Pмакс= (t°п.макс-t°о)/(Rtп.к+ Rtк.о),

(7)

где

t°_п.макс– максимально допустимая температураp-nперехода (указывается в справочниках),°С;

t°_о– температура окружающей среды,°С;

R_tп.ки R_tк.о– тепловые параметры, определяемые экспериментально и называемые тепловыми сопротивлениями.

С повышением температуры окружающей среды максимально допустимая мощность диода уменьшается, т.к. при этом ухудшаются условия охлаждения p-nперехода.

Кроме перечисленных параметров часто используются: I_пр– прямой ток;U_пр– прямое падение напряжения на диоде;I_{пр.макс}–максимально допустимый прямой ток;I_обр– обратный ток, а также группа параметров, характеризующих механическую прочность прибора и климатические условия его эксплуатации.