621.375 Усилители

=> 621.372.57 Активные четырехполюсники

=> 681.583 Усилители, сервоусилители (в системах регулирования)

Область применения обозначать при помощи : (знак отношения), например

621.375:621.317 Измерительные усилители

621.375.018.756 Импульсные усилители

621.375.024 Усилители постоянного тока. Усилители с гальванической (прямой) связью

621.375.026 Усилители мощности

621.375.4 Усилители на твердотельных (полупроводниковых) элементах. Диодные усилители. Транзисторные усилители

621.376.223 Полупроводниковые модуляторы

621.376.232.2 Диодные детекторы

621.376.234 Полупроводниковые (вентильные) детекторы

621.38 Электроника. Фотоэлектроника. Электронные лампы. Трубки.

Рентгенотехника. Ускорители частиц

621.382 Электронные элементы, использующие свойства твердого тела.

Полупроводниковая электроника

=> 537.311.322 Сопротивление и проводимость, удельное сопротивление и удельная проводимость в полупроводниковых материалах

=> 621.314.63 Сухие выпрямители. Выпрямители с запирающим слоем

=> 621.315.592 Полупроводники

621.382.032.27 Электроды полупроводниковых приборов

621.382.032.27 ≈ 621.3.032.27

621.382.2/.3 Электрические полупроводниковые приборы

621.382.2 Полупроводниковые (кристаллические) диоды

621.382.22 Точечные диоды

621.382.23 Плоскостные диоды

621.382.232 Плоскостные диоды с одним p-n-переходом

621.382.233 Плоскостные диоды с несколькими p-n-переходами

=> 621.382.333.32 Транзисторы с одним переходом

621.382.3 Полупроводниковые триоды (транзисторы)

621.382.32 Униполярные транзисторы (использующие только один тип носителей)

621.382.322 Аналоговые транзисторы (управляемые посредством стягивания тока в контакте). Канальные транзисторы

621.382.323 Полевые транзисторы (управляемые внешними полями)

621.382.33 Биполярные транзисторы (использующие оба типа носителей)

621.382.332 Транзисторы с запирающим слоем (без p-n-переходов)

621.382.332.2 Точечные транзисторы

621.382.332.3 Поверхностно-барьерные транзисторы

621.382.332.9 Прочие транзисторы с запирающим слоем (например, ниточные транзисторы)

621.382.333 Плоскостные транзисторы (с p-n-переходами). Диффузионные транзисторы. Тянутые транзисторы

621.382.333.3 Транзисторы (триоды)

621.382.333.32 Транзисторы с одним p-n-переходом (например, двухбазовые диоды)

621.382.333.33 Транзисторы с двумя p-n-переходами (например, дрейфовые транзисторы)

621.382.333.34 Транзисторы с более чем двумя p-n-переходами

621.382.333.4 Полупроводниковые тетроды

621.382.334 Транзисторы с контактами различного типа (например, одновременно с плоскостными и точечными. Спейсисторы)

681.586.72 Полупроводниковые датчики

681.586.728 Датчики Холла

Образец технико-экономического обоснования проекта

Образец раздела «Патентные исследования»

Методическое пособие по дипломному проектированию для руководителей и студентов пятого курса дневной формы обучения специальности 210104 - «Микроэлектроника и твердотельная электроника». – Брянск: БГТУ, 2012. –85 с.

САХАРОВ ЮРИЙ ГЕОРГИЕВИЧ

НЕКРАСОВА МАРИНА ЮРЬЕВНА

МАЛАХАНОВ АЛЕКСЕЙ АЛЕКСЕЕВИЧ

Научный редактор Хвостов В.А.

Редактор издательства Л.Н.Мажугина

Компьютерный набор Ю.Г. Сахаров

Темплан 2012 г., п.96

__________________________________________________________

Подписано в печать 16.03.07. Формат 60х84 1/16 Бумага офсетная. Офсетная печать. Усл.печ.л. 5,0. Уч.-изд.л. 1,33 Тираж 40 экз. Заказ Бесплатно.

Издательство Брянского государственного технического университета

241035, Брянск, бульвар 50-летия Октября, 7, БГТУ. 58-82-49.

Лаборатория оперативной полиграфии БГТУ, ул. Институтская, 16.