- •В. К. Усачев в. М. Чернов Лабораторный практикум по физической электронике
- •Лабораторная работа № 1 определение параметров многоэлектронных ламп введение
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Обработки результатов
- •П ринцип действия релаксационного генератора на тиратроне
- •Порядок выполнения работы
- •Упражнение 1 снятие пусковой характеристики
- •Упражнение 2 определение экспериментальной зависимости периода колебании от напряжения на сетке
- •Контрольные вопросы
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Описание лабораторной установки
- •Контрольные вопросы
- •Список рекомендуемойлитературы
- •Лабораторная работа № 6 определение характеристик фотоэлектронного умножителя
- •Описание установки
- •Порядок внполнения работы
- •Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Список рекомендуемой литературы
- •Лабораторная работа № 7 изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации
- •Описание метода и установки
- •Задание
- •Контрольные вопросы
- •Список рекомендуемой литературы
- •Лабораторная работа № 8 изучение явления термо-э.Д.С. В металлах и полупроводниках
- •Описание установки
- •Задание
- •Контрольные вопросы
- •Список рекомендуемой литературы
- •Содержание
- •454021 Челябинск, ул. Братьев Кашириных,129
- •451021 Челябинск, ул. Молодогвардейцев, 57б
Порядок выполнения работы
1. Изучить схему лабораторной установки.
2. Собрать схему.
Для измерения анодного тока и тока накала используются универсальные вольтметры В7-21А. Установить приборы В7-21А в режим измерения тока. Для измерения анодного напряжения используется осциллограф С1-107. включенный в режим мультиметра.
3. Установить ток накала .
4. Установить тумблер анодного напряжения в положение " – ".
5. Изменяя анодное напряжение через 0.02 В, снять зависимость анодного тока от в пределах 0 ~ -0.5 В.
6. Построить зависимость тока анода от напряжения на аноде в координатах
.
Примечание: так как на микроамперметре падает напряжение, то его надо учитывать. Поэтому в зависимости надо использовать не измеренное значение U, а , где .
для предела 10 мкА,
для предела 100 мкА,
для предела 1 мА.
7. Аппроксимируя полученную зависимость прямой, определить наклона ее к оси абсцисс и вычислить температуру катода Т. .
8. Построить интегральную функцию распределения термоэлектронов по скоростям :
, где .
Здесь - число электронов при , его можно определить экстраполяцией графика N(v) до нуля. Кривая имеет вид (рис.3).
9. Используя полученную интегральную кривую, построить дифференциальную функцию распределения электронов по скоростям
.
Для этого, как показано на рисунке, разбить ось абсцисс на равные интервалы и определить на оси ординат для каждого значения соответствующее число термоэлектронов .
Результаты расчетов свести в таблицу.
Контрольные вопросы
1. Как связана плотность тока эмиссии с температурой? Назовите основные эмиссионные константы.
2. Каким законам подчиняется ток в диоде при положительном и отрицательном напряжении на аноде?
3. Объяснить, почему и как по вольтамперным характеристикам диода при отрицательном напряжении на аноде можно найти закон распределения термоэлектронов по скоростям?
4. Каков физический смысл интегральной и дифференциальной кривых распределения? Какова связь этих кривых с вероятностными характеристиками?
5. На чем основан метод определения температуры катода?
СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Гапонов В.И. Электроника. 4.1. М.: Физматгиз. 1960.
2. Добрецов Л.П., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука. 1966.
3. Кикоин И.К.,Кикоин И.К. Молекулярная физика. М.: Физматгиз. 1976.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 5
ДИНАТРОННЫЙ ЭФФЕКТ.
ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕТРОДА И ПЕНТОДА
ВВЕДЕНИЕ
Существенными недостатками триода являются большая проходная емкость и малое внутреннее сопротивление.
Для устранения этих недостатков сконструирована четырехэлектродная лампа - тетрод, в котором кроме управляющей имеется вторая или экранирующая сетка. Назначение экранирующей сетки - уменьшение проходной емкости и повышение коэффициента усиления и внутреннего сопротивления
О днако существенным недостатком тетрода является динатронный эффект – «провал» в анодной характеристике (рис.1).
Динатронный эффект вызван вторичной электронной эмиссией с анода. Вторичные электроны, вылетевшие с анода, попадают на вторую сетку и анодный ток уменьшается. В диодах и триодах вторичная электронная эмиссия с анода тоже существует, но это не вызывает уменьшения анодного тока, так как вторичные электроны, вылетевшие с анода, возвращаются на него. Ведь анод имеет наибольший положительный потенциал. В тетроде же возможны случаи, когда потенциал второй сетки больше потенциала анода.
Протекающие в тетроде процессы, соответствующие участкам 1-4 характеристики (см. рис.1), следующие.
На участке 1 кинетическая энергия электронов, подлетающих к аноду при В, мала для возникновения заметной вторичной электронной эмиссии с анода, хотя . На участке 2 при кинетическая энергия электронов, достигающих анода возрастает настолько, что появляется большое число вторичных электронов. А так как на этом участке поле является ускоряющим в сторону второй сетки, то электроны захватываются этой сеткой и анодный ток уменьшается.
Наиболее сильно выражен динатронный эффект на границе участков 2 и 3. В конце участка 3 напряжение , поле между анодом и второй сеткой становится тормозящим для вторичных электронов. На участке 4 все вторичные электроны возвращаются на анод.
Динатронный эффект оказывает вредное влияние, так как может приводить к возникновению паразитной генерации из-за наличия на участке 2 отрицательного дифференциального сопротивления, к дополнительному расходу мощности в цепи экранирующей сетки, к существенным нелинейным искажениям.
Устранить динатронный эффект в тетроде можно созданием потенциального барьера для вторичных электронов между анодом и второй сеткой. Эта задача решается различными методами, на основе которых были созданы лучевой тетрод и пентод.
В лучевых тетродах динатронный эффект исключается за счет формирования плотных потоков первичных электронов, которые создают объемный заряд в пространстве , достаточный для образования потенциального барьера, препятствующего попаданию вторичных электронов с анода на экранирующую сетку.
В пентоде динатронный эффект устраняется созданием тормозящего поля для вторичных электронов с анода с помощью третьей сетки, вводимой между второй сеткой и анодом. Эта сетка называется антидинатронной или защитной.
Защитная сетка в пентоде является дополнительным экраном с проницаемостью D<<1, что позволяет уменьшить проходную емкость лампы до сотых долей пикофарада. Пентод также обладает большим внутренним сопротивлением и достаточными левыми характеристиками.