- •1. Радиоэл-ка как обл-ть науки и техники. Осн напр-я соврем радиоэ-ки;
- •4. Активные компоненты радиоэлектроники. Полупроводниковые электронные приборы. Интегральные микросхемы;
- •6. Собственная электропроводность полупроводниковых материалов.
- •7. Типы электрических переходов. Равновесное состояние p-n перехода. Контактная разность потенциалов.
- •8. Прямое смещение p-n перехода.
- •9. Вольтамперная характеристика (вах) p-n перехода. Основные свойства p-n перехода.
- •10Устройство и классификация полупроводниковых диодов. Система условных обозначений диодов;
- •11.Выпрямительные диоды и стабилитроныВыпрямительные диоды
- •12.Варикапы и диоды с барьером Шоттки
- •13.Импульсные диоды и диоды с накоплением заряда (днз) Импульсные диоды этот диод, имеющий малую длительность перех проц-в и предназн для работы в импульсных устройствах.
- •Параметры импульсных диодов
- •Диоды с накоплением заряда
- •14.Туннельные и обращенные диоды
- •15. Определение, устройство и классификация биполярных транзисторов. Система обозначений транзисторов;
- •19. Режимы работы и схемы включения биполярного транзистора
- •20. Принцип действия транзистора
- •Токи в транзисторе ток эмиттера имеет две составляющие: электронную и дырочную
- •21. Формальная модель биполярного транзистора. Система h-параметров биполярного транзистора
- •22. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора. Влияние температуры на вах биполярного транзистора
- •23. Дифференциальные параметры биполярного транзистора. Определение h-параметров транзистора по статическим вах
- •Определение h–параметров по статическим характеристикам
- •24.Моделирование биполярного транзистора в режиме большого сигнала;
- •25.Малосигнальная модель биполярного транзистора;
- •26 Частотные свойства биполярного транзисторов
- •27 Физические параметры биполярного транзистора. Эквивалентные схемы замещения биполярного транзистора.
- •28.Основные параметры биполярного транзистора;
- •29. Классификация сигналов. Гармонический анализ сигналов
- •30. Спектральный анализ периодических сигналов. Комплексная форма ряда Фурье
- •31. Спектральный анализ непериодических сигналов
- •32. Амплитудно-модулированные сигналы
- •33. Частотно-модулированные сигналы
- •34. Фазомодулированные сигналы
- •35. Случайные сигналы
- •36. Моментные функции второго порядка;
- •37)Спектральный анализ случайных сигналов. Помехи
- •38. Характеристики линейных цепей. Комплексный коэффициент передачи;
- •39. Амплитудно-частотная характеристика.
- •40. Переходная характеристика;
- •41. Импульсная характеристика;
- •42. Методы исследования линейных электрических цепей;
- •43. Классификация аналоговых электронных устройств.
- •Классификация аналоговых электронных устройств
- •44. Основные параметры аналоговых электронных устройств;
- •45. Основные характеристики аналоговых электронных устройств;
- •46. Классификация усилительных устройств;
- •47. Понятие рабочей точки;
- •48. Способы задания рабочей точки;
- •49. Способы стабилизации рабочей точки;
- •50. Основные режимы работы усилительных каскадов;
- •51. Обратные связи в усилительных каскадах;
- •52. Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером;
- •Эквивалентная схема усилительного каскада в диапазоне средних частот
- •53. Усилительный каскад по схеме с общей базой;
- •54. Усилительный каскакаскад по схеме с общим коллектором;
- •55.Усилительный каскад с ои
- •56.Усилительный каскад с общим стоком (истоковый повторитель)
- •57. Двухтактный усилительный каскад
- •58. Резонансный усилитель
- •59. Усилители постоянного тока (упт)
- •60.Дифференц усил каскад
- •61. Операционные усилители
- •62. Понятие автоколебат с-мы. Принцип возникновения колебаний.
- •63. Основные теории процессов в автогенераторе;(без линейной теории)
- •64. Основные схемы lc-генераторов;
- •65. Трехточечные схемы генераторов. Кварцевые генераторы;
- •67. Режимы работы автогенератора. Автоген-ры с автоматич смещением.
- •1 .10.1. Однокаскадная схема rc-генератора
- •1.10.2. Двухкаскадная схема -генератора rc
- •69. Модуляция электрических сигналов;
- •70. Амплитудные модуляторы;
- •71. Частотные модуляторы;
- •72. Фазовые модуляторы;
- •73. Детектирование электрических сигналов;
- •74. Амплитудные детекторы
- •Основные хар-ки и параметры амплитуд. Детектора(из инета).
- •75. Фазовые детекторы;
- •76. Частотные детекторы
- •77. Электронные ключевые схемы. Электронные ключи на биполярных транзисторах;
- •78. Способы повышения быстродействия ключей на биполярных транзисторах;
- •79. Электронные ключи на полевых транзисторах
- •80. Алгебра логики и ее основные законы(дописать)
- •81. Диодно-транзисторная логика (дтл);
- •82. Транзисторно-транзисторная логика (ттл);
- •83. Эмиттерно-связанная логика (эсл);
- •84. Интегральная инжекционная логика.
- •86. Основные параметры цифровых интегральных схем;
- •87. Система обозначений цифровых интегральных схем;
- •88. Триггеры.
- •Параметры триггеров
81. Диодно-транзисторная логика (дтл);
Диодно–транзисторная логика (ДТЛ) представляет собой сочетание диодных логических ячеек с транзисторным инвертором
Схема «И-НЕ» при положительной логике
Входные диоды VD1…VD3 и резистор R1 образуют входную логическую схему, выполняющую в положительной логике операцию И.
Транзистор VТ1 выполняет логическую операцию НЕ, усиливает и формирует сигналы на выходе до необходимого стандартного уровня.
Смещающие диоды VD4 и VD5 предназначены для увеличения порога запирания и помехоустойчивости схемы в закрытом состоянии, а резистор R2 и обеспечивают оптимальную величину тока этих диодов.
Диоды VD1…VD3 должны обладать минимальным сопротивлением в проводящем состоянии; высоким (максимальным) обратным напряжением; малой емкостью и малым временем восстановления обратного сопротивления.
Рассмотрим принцип работы ДТЛ.
Пусть на один (или на все входы) подается низкий входной сигнал логического нуля . Входной диод (или все диоды) открывается и оказывается замкнутым на общую шину. От источника питания через резистор R1, открытый диод и входную цепь протекает ток, при этом потенциал точки a уменьшается до уровня прямого падения напряжения на диоде , где Uпр – падение напряжения на открытом входном диоде. За счет падения напряжения Uд см на диодах VD4, VD5 потенциал базы транзистора отрицателен , транзистор закрыт и на выходе схемы формируется высокий уровень напряжения логической единицы.
При одновременной подаче на все входы высокого уровня напряжения логической единицы диоды VD1…VD3 запираются. Транзистор VT1 переходит в область насыщения за счет тока, протекающего от источника питания через R1, смещающие диоды VD4, VD5, в базу транзистора. На выходе схемы появляется низкий уровень напряжения, близкий к нулю .
82. Транзисторно-транзисторная логика (ттл);
Схема «И-НЕ» при положительной логике
Эл-ты ТТЛ являются дальнейшим усовершенствованием ДТЛ, которая осущ-ся заменой диодной сборки многоэмиттерным тр-ром. Многоэмиттерный тр-р представляет собой сов-ть нескольких тр-рных струк-р, имеющих общий коллектор и общую базу и непосредственно взаимодейств-их друг с другом только за счет движения основных носителей. Эмиттерные переходы (ЭП) МЭТ выполняют ф-ции входных диодов в схемах ДТЛ, а КП – роль смещающего диода.
Входная часть реализует логическую функцию И с помощью VТ1 и резистора R1.
Выходная цепь реализует функцию НЕ и содержит сложный инвертор на транзисторах VТ2…VТ4. (Сложный инвертор включает в свой состав простой инвертор (VТ2, R2) и эмиттерный повторитель (VТ3) с динамической нагрузкой (VТ4), которая управляется эмиттерным током транзистора VТ2.)
Рассмотрим принцип работы схемы.
Если хотя бы на один из входов подано напряжение логического нуля, то соответств-ий эмиттерный переход многоэмиттерного тр-ра VТ1 открывается. Ток базы ( ) тр-ра VT1 потечет во входную цепь, при этом ток коллектора VТ1 уменьшается, коллекторный переход открывается и транзистор VТ1 насыщается по коллекторной цепи. Напряжение на базе транзистора VТ2 равно сумме входного напряжения и остаточного напряжения на насыщенном транзисторе VТ1: . Поэтому транзистор VТ2 запирается, а транзистор VТ3 и диод VD открываются высоким потенциалом коллектора транзистора VТ2. Транзистор VТ4 – закрыт. Напряжение на выходе имеет высокий уровень и соответствует логической единице "1".
Если на всех логических входах действуют высокие уровни напряжения, то эмиттерные переходы транзистора VТ1 закрываются, VТ1 работает в инверсном активном режиме. Ток от Uип через R1, открытый коллекторный переход транзистора VТ1 поступает в базу транзистора VТ2. Транзисторы VТ2, VТ4 открываются, и на выходе схемы имеется уровень напряжения, соответствующий логическому нулю. Транзистор VТ3 и диод VD закрыты.