- •Введение
- •Глава 1 Использование нанометодов в научных исследованиях
- •§ 1.1. Нанобиотехнологии
- •§ 1.2. Наноэлектроника
- •§ 1.3. Международный томографический центр. Наномагнетики
- •§ 1.4. Нанобезопасность
- •Глава 2 Наноисследования и нанотехнологии в оптике
- •§ 2.1. Основные задачи нанофотоники
- •§ 2.2. Лампа Накамуры
- •§ 2.3. Лазерный ключ
- •§ 2.4. Волоконные лазеры
- •§ 2.5. Отклонение света назад
- •Глава 3 Методы исследования и анализа наноструктур § 3.1. Электронная микроскопия
- •§ 3.2. Дифракционный анализ
- •§ 3.3. Спектральные методы
- •§ 3.4. Методы определения размеров наночастиц
- •Глава 4 Зондовые нанотехнологии § 4.1. Ближнепольная оптическая микроскопия
- •4.1.1. Зонды бом на основе оптического волокна
- •4.1.2. «Shear-force» метод контроля расстояния зонд-поверхность в ближнепольном оптическом микроскопе
- •4.1.3. Конфигурации бом
- •§ 4.2. Методы сканирующей зондовой микроскопии
- •4.2.1. Сканирующая туннельная микроскопия
- •4.2.2. Атомно-силовая микроскопия
- •4.2.3. Электросиловая микроскопия
- •4.2.4. Магнитно-силовая микроскопия
- •§ 4.3. Военные приложения нт
- •§ 4.4. Электроника, фотоника, магнитные материалы
- •§ 4.5. Компьютеры и коммуникационные устройства
- •§ 4.6. Программное обеспечение и искусственный интеллект
- •§ 4.7. Материалы
- •§ 4.8. Источники и аккумуляторы энергии
- •§ 4.9. Камуфляж и средства маскировки
- •§ 4.10. Распределенные датчики
- •§ 4.11. Обычные виды вооружений
- •Глава 5 применение нанотехнологий § 5.1. Объекты нанометрового масштаба и пониженной размерности
- •§ 5.2. Атомные манипуляции с помощью стм
- •5.2.1. Удаление атомов
- •5.2.2. Осаждение атомов
- •5.2.3. Перемещение атомов вдоль поверхности
- •§ 5.3. Самоорганизация
- •§ 5.4. Оптические свойства наноструктур
- •5.4.1. Наноструктуры для применения в оптоэлектронике
- •5.4.2. Действие мощных нано- и фемтосекундных лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры
- •§ 5.5. Фуллерены и углеродные нанотрубки
- •§ 5.6. Метаматериалы и оптические свойства наноструктур
- •Приложение Перспективы и возможные последствия нанореволюции
- •Три основных типа экономики
- •Вместо послесловия
- •Список литературы
- •Оптические свойства наноматериалов
- •Кристаллы
- •680021, Г. Хабаровск, ул. Серышева, 47.
§ 5.4. Оптические свойства наноструктур
Интерес к исследованию оптических свойств квантовых точек (КТ) обусловлен ярко выраженной практической направленностью и рядом преимуществ таких объектов по сравнению с двумерными квантовыми долинами. Особенностью КТ является, во-первых, возможность управления спектральной полосой фотоотклика путем предварительного заселения дискретных состояний с требуемой энергией переходов; во-вторых, наличие латерального квантования в нуль-мерных системах снимает запрет на оптические переходы, поляризованные в плоскости фотоприемника, а значит, предоставляет возможность осуществить поглощение света при нормальном падении фотонов; в-третьих, в КТ ожидается сильное увеличение времени жизни фотовозбужденных носителей вследствие так называемого эффекта «узкого фононного горла» (phonon bottleneck effect).
Поглощение в инфракрасном диапазоне излучения. Поглощение фотонов инфракрасного (ИК) спектрального диапазона в многослойных гетероструктурах Ge-Si с самоорганизующимися КТ изучалось в работах [43, 44]. Размеры островков в обоих случаях составляли ~40-50 нм в основании и 2-4 нм высотой. Плотность островков ~108 см-2. Авторы [43] использовали подлегирование островков Ge бором с тем, чтобы заселить основное состояние КТ дырками. В спектрах поглощения в области длин волн 5-6 мкм наблюдалась широкая (~100 мэВ) линия, амплитуда которой сильно уменьшалась при переходе к поляризации света, перпендикулярной плоскости слоев, и была объяснена переходами между двумя низшими уровнями поперечного квантования тяжелых дырок в КТ.
В
Рис.
5.22. Спектры фототока кремниевого
pin-диода
с квантовыми точками Ge
при обратном смещении, указанном в
вольтах рядом с кривыми. Пунктирная
линия демонстрирует отсутствие
фотоотклика в этом диапазоне в структуре
со сплошным слоем Ge
(deff
= 6
MC)
Фотопроводимость. Впервые о регистрации фототока, генерированного фотонами с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны кремния, в гетероструктурах Ge/Si с КТ сообщалось в работах [45, 46]. Возможность реализации фотоприемника с КТ, перестраиваемого под ближний и средний ИК диапазоны, была продемонстрирована в работе [47]. Фотоприемник представлял собой кремниевый pin-диод, в базу которого был введен двумерный массив нанокластеров Ge. Средний латеральный размер КТ составлял 15 нм, высота 1,5 нм. Спектры фототока при различном обратном смещении показаны на рис. 5.22.
В образце со сплошной пленкой Ge (6 МС) фотоотклик отсутствовал. В структуре с КТ при энергиях, меньших края собственного поглощения в кремнии (~1.12 эВ), наблюдались два максимума на длинах волн 1.7 и 2.9 мкм. Интенсивность обоих максимумов сильно зависела от величины обратного смещения, причем эти зависимости коррелировали между собой. А именно, при увеличении смещения до величины 1,4 В происходило исчезновение отклика в среднем ИК диапазоне (при 2.9 мкм, линия Т1), и появлялся сигнал в ближней ИК области спектра (при 1.7 мкм, линия Т2). Значение энергии в максимуме Т1 (430 мэВ) соответствует энергии залегания основного состояния дырки в КТ. Поэтому процесс Т1 был идентифицирован как переход дырки из основного состояния, локализованного в КТ, в делокализованные состояния валентной зоны. По мере увеличения обратного смещения дырочные уровни в КТ заполняются электронами. В области напряжений около 1,4 В происходит полная разрядка КТ дырками, и переход Т1 становится «запрещенным». Начиная с этого момента, возникает возможность межзонных переходов электронов из валентной зоны в зону проводимости (процесс Т2). Поскольку исследуемая система относится к гетероструктурам второго рода (дырки локализуются в областях Ge, в то время как для электронов области Ge представляют собой потенциальный барьер), то межзонный оптический переход является непрямым в координатном пространстве и сопровождается перебросом электрона из Ge в Si. Энергия перехода должна определяться разницей между шириной запрещенной зоны Si (1,12 эВ) и энергией дырочного состояния в КТ Ge (0,43 эВ), т.е. равняться 700 мэВ, что согласуется с экспериментальным положением линии Т2 (730 мэВ).
Ф
Рис.
5.23.
Зависимость
энергии максимума фотолюминесценции
от латерального размера островков
германия в кремнии