![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •20. Импульсные диоды
- •21. Диоды с накоплением заряда (днз).
- •22. Диоды с барьером Шотки.
- •23. Туннельные диоды
- •24. Обращенные диоды
- •25. Определение и устройство биполярного транзистора.
- •26. Классификация биполярных транзисторов.
- •27. Система обозначений транзисторов.
- •28. Режимы работы биполярного транзистора.
- •29. Схемы включения биполярного транзистора.
- •30. Принцип работы биполярного транзи стора.
- •31.Токи в биполярном транзисторе.
- •32. Формальная модель транзистора.
- •33.Системы параметров транзистора.
- •34. Статические вах биполярных транзисторов в схеме с об
- •35. Влияние температуры на вах транзистора
- •36. Дифференциальные параметры транзистора.
- •37. Определение h-параметров транзистора по статическим вах.
28. Режимы работы биполярного транзистора.
Одну из крайних областей транзисторной структуры легируют сильнее, ее используют обычно в режиме инжекции и называют эмиттером. Промежуточную область называют базой, а другую крайнюю область – коллектором. Коллекторная область предназначена для экстракции носителей заряда из базовой области. Электронно-дырочный переход между эмиттерной и базовой областями называют эмиттерным, а между коллекторной и базовой – коллекторным.
Различают следующие режимы работы транзистора:
активный режим – напряжение на эмиттерном переходе прямое, на коллекторном обратное (запирающее);
режим отсечки – на обоих переходах обратное напряжение;
режим насыщения – на обоих переходах прямое напряжение;
инверсный режим – коллекторный переход смещен в прямом направлении, эмиттерный – в обратном.
29. Схемы включения биполярного транзистора.
В зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим для входной и выходной цепи, различают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК).
а б в
30. Принцип работы биполярного транзи стора.
,
показывающим, какую долю составляет от
общего тока эмиттера ток инжектированных
в базу носителей. В
результате инжекции дырок из эмиттера
в базу возрастает их концентрация вблизи
эмиттерного перехода. Это приводит к
диффузионному движению дырок через
базу к коллекторному переходу. Поскольку
ширина базы значительно меньше
диффузионной длины дырок, то незначительная
их часть рекомбинирует с собственными
носителями базы – электронами,
создавая рекомбинационную составляющую
тока базы Iб рек.
Процесс переноса неосновных носителей
через базу характеризуется коэффициентом
переноса =
Iкp/Iэp,
где Iкp –
ток дырок, дошедших до коллекторного
перехода в области базы.Дырки,
подошедшие к обратносмещенному
коллекторному переходу, попадают в
ускоряющее поле Uкб
и экстрагируют в коллектор, создавая
управляемую составляющую тока коллектора
Iк упр.
Экстракция дырок может сопровождаться
ударной ионизацией атомов полупроводника
и лавинным умножением носителей заряда
в коллекторном переходе. Этот процесс
оценивается коэффициентом лавинного
умножения М = Iк упр/Iкp.
В лавинных транзисторах M > 1.