- •20. Импульсные диоды
- •21. Диоды с накоплением заряда (днз).
- •22. Диоды с барьером Шотки.
- •23. Туннельные диоды
- •24. Обращенные диоды
- •25. Определение и устройство биполярного транзистора.
- •26. Классификация биполярных транзисторов.
- •27. Система обозначений транзисторов.
- •28. Режимы работы биполярного транзистора.
- •29. Схемы включения биполярного транзистора.
- •30. Принцип работы биполярного транзи стора.
- •31.Токи в биполярном транзисторе.
- •32. Формальная модель транзистора.
- •33.Системы параметров транзистора.
- •34. Статические вах биполярных транзисторов в схеме с об
- •35. Влияние температуры на вах транзистора
- •36. Дифференциальные параметры транзистора.
- •37. Определение h-параметров транзистора по статическим вах.
20. Импульсные диоды
Предназначены для работы в цифровых и других устройствах импульсной техники. Обозначаются так же, как и выпрямительные, имеют малую длительность переходных процессов. Основное назначение: работа в качестве коммутирующих элементов электронных схем, детектирование высокочастотных сигналов и др.
Переходные процессы свзаны с 2 явлениями:
-накопление неосновных носителей заряда в базе при его прямом включении и их рассасывание при уменьшении напряжения
- перезарядка барьерной емкости
При воздействии на диод скачка напряжения при его переключении с прямого направления на обратное появляется относительно большой обратный ток Iобр м создаваемый неосновными носителями в базе, накопленными вблизи p-n перехода при действии прямого напряжения.
Сопротивление p-n перехода мало, обратный ток ограничивается только сопротивлениями базы диода и нагрузки и его значение остается некоторое время практически постоянным.
Когда избыточный заряд приближается к нулю, градиент концентрации неосновных носителей в базе понижается и обратный ток спадает до своего значения для статического режима работы. Интервал времени от момента переключения напряжения с прямого на обратное направление до момента достижения обратным током заданного значения является временем обратного восстановления диода tвос.
С опротивление нагрузки обычно значительно больше прямого сопротивления диода и принято считать, что схемапитается от генератора тока и этот ток не зависит от сопротивления диода и нагрузки. В момент включения импульса прямого тока сопротивление базы диода определяется равновесной концентрацией носителей заряда и на диоде происходит максимальное падение напряжения. По мере увеличения инжектированных носителей в базе, сопротивление базы уменьшается, что приводит к уменьшению падения напряжения на диоде до установившегося значения Uпр уст. Промежуток времени с момента подачи входного импульса до момента, когда напряжение на диоде уменьшится до Uпр уст я влеятся временем установления прямого напряжения. При выключении прямого тока падение напряжения на сопротивление базы становится равным нулю и значение напряжения на диоде скачком уменьшается до значения Uост. Инжектированные носители рекомбинируют и напряжение на диоде уменьшается.
Основные параметры:
-макс импульсн падение напр Uпр макс-максимальное падение напр на диоде в прямом направлении при заданном прямом токе.
-время установления прямого напр-время от момента вкл прямого тока до момента домтижения заданного уровня прямого напряжения на диоде.
-время обратного восстановления диода-время с момента переключения диода с прмого на обратное импульсн напр до достижения обратным током заданного током.
-емкость диода-емкость между выводами диода при заданном обратном напряжении
-постоянный обр ток-ток диода при заданном обр напр.
-постоянное прямое напряжение-падение напр на диоде при заданном прямом токе
-Заряд переключения-избыточный заряд, вытекающий во внешнюю цепь при изменении направления тока с прямого на обратный