- •9.8 Электрические модели полевых транзисторов статическая модель
- •9.9 Нелинейная динамическая модель Полевого Транзистора с управляющим p-n-переходом
- •9.10 Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •Поэтому на схеме для тока генератора надо было бы записать, что
- •Модуль крутизны
- •9.11 Нелинейная динамическая модель мдп-транзистора
- •9.12 Малосигнальная модель мдп транзистора.
- •Шумы Полевых Транзисторов
- •Шумы пт с управляющим p-n-переходом:
- •2 Шумы мдп-транзисторов
- •10 Приборы с зарядовой связью
- •10.1 Применение пзс
- •11 Полупроводниковые элементы
- •11.1 Особенности интегральных транзисторов и диодов
- •11.2 Интегральный n-p-n-транзистор
- •11.3 Интегральные многоэмиттерные транзисторы
- •11.4 Комплектарные интегральные пары транзисторов
- •11.5 Интегральный транзистор с барьером шотки
- •Эквивалентная схема интегрального транзистора с барьером Шотки представлена на рис. 11.8
- •11.6 Интергральный p-n-p-транзистор
- •11.7 Интегральные диоды
- •11.8 Интегральные полевые транзисторы
- •11.9 Интегральные мдп – транзисторы
- •12.2 Инжекционный лазер
- •12.3 Режим работы лазера, его кпд и особенности
- •12.4 Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов
- •12.5 Генераторы с двойной гетероструктурой
- •Гетеролазеры с распределенной обратной связью
- •12.7 Полупроводниковые лазеры с возбуждением
- •12.8 Лазеры в технике связи и системах обработки информации
- •12.9 Типы лазерных систем связи
- •12.10 Методы детектирования оптических сигналов
- •12.11 Структурная схема оптического
- •12.12 Виды модуляции лазерных сигналов
- •12.13 Структурная схема
- •Виды лазеров, применяемые в лазерных
- •Структурная схема газового лазера
- •Варисторы, вах, параметры
- •Вах варистора
- •14. Термисторы, вах
- •15 Оптоэлектронные приборы
- •15.1 Фотоприемники, излучатели
- •15.2 Фотоэлементы. Принцип действия, вах
- •Лавинные фотодиоды. Структура, принцип действия
- •Полевые фототранзисторы.
- •Фототиристоры. Структура, принцип действия
- •Оптоэлектронные приборы. Индикаторы информации
- •Полупроводниковые датчики температуры.
- •Терморезисторы
- •16.2 Применение полупроводникового диода
- •Определение температурного коэффициента
- •Применение биполярного транзистора для измерения температуры
- •Датчик температуры на двух идентичных
Датчик температуры на двух идентичных
n-p-n – ТРАНЗИСТОРАХ
На практике широкое распространение получил датчик температуры на двух транзисторах, технологически выполненных на одном кристалле. Этот датчик, хотя и обладает меньшей чувствительностью, чем датчик на одном транзисторе, но отличается от него меньшей нелинейностью преобразования. Зависимость пределов изменения выходного напряжения от пределов изменения температуры для приведенной на рис. 16.4 схемы описывается выражением , где k – постоянная Больцмана; q – заряд электрона.
И з приведенного выражения можно сделать важный практический вывод: выходное напряжение датчика прямо пропорционально изменению температуры и не зависит ни от свойств полупроводникового материала, ни от технологии изготовления транзистора. Данный датчик дает хорошие результаты при измерении температуры от – 25 до + 100 0С.
16.6 ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ НА p-n-p- ТРАНЗИСТОРАХ
Д ля получения высокого коэффициента преобразования в узком диапазоне изменения температуры может быть применен датчик, схема которого приведена на рис.16.5. В данной схеме транзистор VT1 выполняет роль чувствительного элемента. Для этого его эмиттерный переход смещен в обратном направлении. Транзистор VT2 включен по схеме с ОЭ и выполняет роль усилителя. При изменении температуры изменяется падение напряжения на обратносмещенном эмиттером переходе VT1, а, следовательно, изменяется базовый ток транзистора VT2, что приводит к изменению падения напряжения на резисторе R2.