![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •9.8 Электрические модели полевых транзисторов статическая модель
- •9.9 Нелинейная динамическая модель Полевого Транзистора с управляющим p-n-переходом
- •9.10 Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •Поэтому на схеме для тока генератора надо было бы записать, что
- •Модуль крутизны
- •9.11 Нелинейная динамическая модель мдп-транзистора
- •9.12 Малосигнальная модель мдп транзистора.
- •Шумы Полевых Транзисторов
- •Шумы пт с управляющим p-n-переходом:
- •2 Шумы мдп-транзисторов
- •10 Приборы с зарядовой связью
- •10.1 Применение пзс
- •11 Полупроводниковые элементы
- •11.1 Особенности интегральных транзисторов и диодов
- •11.2 Интегральный n-p-n-транзистор
- •11.3 Интегральные многоэмиттерные транзисторы
- •11.4 Комплектарные интегральные пары транзисторов
- •11.5 Интегральный транзистор с барьером шотки
- •Эквивалентная схема интегрального транзистора с барьером Шотки представлена на рис. 11.8
- •11.6 Интергральный p-n-p-транзистор
- •11.7 Интегральные диоды
- •11.8 Интегральные полевые транзисторы
- •11.9 Интегральные мдп – транзисторы
- •12.2 Инжекционный лазер
- •12.3 Режим работы лазера, его кпд и особенности
- •12.4 Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов
- •12.5 Генераторы с двойной гетероструктурой
- •Гетеролазеры с распределенной обратной связью
- •12.7 Полупроводниковые лазеры с возбуждением
- •12.8 Лазеры в технике связи и системах обработки информации
- •12.9 Типы лазерных систем связи
- •12.10 Методы детектирования оптических сигналов
- •12.11 Структурная схема оптического
- •12.12 Виды модуляции лазерных сигналов
- •12.13 Структурная схема
- •Виды лазеров, применяемые в лазерных
- •Структурная схема газового лазера
- •Варисторы, вах, параметры
- •Вах варистора
- •14. Термисторы, вах
- •15 Оптоэлектронные приборы
- •15.1 Фотоприемники, излучатели
- •15.2 Фотоэлементы. Принцип действия, вах
- •Лавинные фотодиоды. Структура, принцип действия
- •Полевые фототранзисторы.
- •Фототиристоры. Структура, принцип действия
- •Оптоэлектронные приборы. Индикаторы информации
- •Полупроводниковые датчики температуры.
- •Терморезисторы
- •16.2 Применение полупроводникового диода
- •Определение температурного коэффициента
- •Применение биполярного транзистора для измерения температуры
- •Датчик температуры на двух идентичных
Варисторы, вах, параметры
Нелинейные резистивные элементы подразделяются на двухполюсные, двухполюсные управляемые.
а) К двухполюсным резистивным элементам относятся варистор (компаунд из карбида кремния, железа, фосфора). Нелинейность варистора определяется зависимостью сопротивления от напряженности электрического поля.
Вах варистора
Симметричная
[i(u)=i(-u)],монотонная[
].
ВАХ либо положительная, либо
отрицательная
(рис. 13.1).
Uном= 5 5000 В;
Iном= 0,002 1,5 А.
б
)
К управляемым двухполюсным резистивным
элементам относится термистор. Это
инерционный элемент с отрицательным
температурным коэффициентом сопротивления;
изготавливается из смеси оксидов
металлов. Управляющим параметром
является температура внешней среды.
Управляемые двухполюсные резистивные
элементы задаются в виде семейства
кривых. ВАХ зависит от управляющего
элемента. Каждая ВАХ снимается при
постоянном значении управляющего
параметра. ВАХ имеют падающий участок.
Сопротивление термисторов зависит от
температуры (рис.13.2) (от тока при Т=const).
Постоянная времени для ММТ-1, τ
= 85с
для ММТ-4 τ =
115 с.
14. Термисторы, вах
Нелинейными элементами являются элементы, параметры которых существенно зависят от токов и напряжений. К нелинейным цепям в общем случае неприменим принцип наложения. На рис. 14.1 показаны обозначения и ВАХ термистора.
П
ри синусоидальном входном воздействии выходном воздействии выходной сигнал имеет несинусоидальную форму и может содержать как высшие гармоники, так и субгармоники.
При отсутствии внешнего воздействия возможны автоколебания.
Нелинейные элементы задают нелинейными характеристиками, полученными обычно экспериментально. Стастические характеристики снимают при медленном изменении тока (на низких частотах) или при постоянном токе, динамические характеристики – при быстром изменении переменного тока.
Нелинейные резистивные элементы могут быть инерционными и безынерционными. В инерционных элементах (термисторах) нелинейность ВАХ обусловлена изменением температуры в результате протекания тока через элемент. Если постоянная времени нагрева элемента много больше периода переменного тока, то сопротивления элемента за период практически не меняется (ВАХ для мгновенных значений в течение периода линейна). ВАХ инерционного резистивного элемента нелинейна для действующих значений тока.
15 Оптоэлектронные приборы
15.1 Фотоприемники, излучатели
Оптические волны: Инфракрасные лучи (0,1- 0,76)10-3 мм; Видимые лучи (0,76- 0,4)10-3 мм; Ультрафиолетовые лучи 0,4(10-3-10-5) мм. Для преобразования сигналов используют электромагнитные волны оптического диапазона. К приборам относятся фотоприемники, излучатели, индикаторы.
Фотоприемники. В основном применяются твердотельные фоторезисторы,
ф
отодиоды
и фототранзисторы. Принцип действия
основан на использовании внутреннего
фотоэффекта в твердых телах. Кванты
света, поглощаемые полупроводником,
освобождают носители заряда с атомов
и создают фототок. Основной параметр –
интегральная чувствительность.
, где Iф - фототок,
Ф- световой поток. Применяют для
преобразования светового сигнала в
электрический сигнал.
а) Фоторезистор - полупроводниковый прибор, сопротивление которого зависит от освещения (рис. 15.1).
б) Фотодиод - полупроводниковый прибор р-n-структуры с прозрачным окном в корпусе, через которое освещается переход. Обратный ток фотодиода зависит от светового потока и не зависит от Uобр. Достоинства – высокая фоточувствительность, малая зависимость от температуры, большое быстродействие.
в)
Фототранзистор – аналогичен биполярному
транзистору, в котором переход коллектор
- база является фотодиодом (рис.15.2).
Достоинство - большая фоточувствительность,
полная электрическая и технологическая
совместимость с интегральными схемами.
Недостаток – меньшее быстродействие
и зависимость параметров от температуры.
Эти недостатки устраняются в интегральных
фотоприемниках.
Излучатели:
а) Светодиоды – принцип действия основан на спонтанной электролюминесценции. Цвет свечения зависит от используемых материалов(красный, оранжевый, желтый). Применяют в качестве индикаторов состояния и для преобразования электрического сигнала в световой.
б) Оптроны – совмещается в одном корпусе источник энергии и фотоприемник.
Применяют для гальванической развязки цепи устройств и линий передачи (рис. 15.4).
в) Лазеры – оптический генератор согласованного во времени когерентного излучения. Применяют в качестве источника светового сигнала в оптоэлектронных устройствах, в системах связи.