12. Бт. Схема с общим коллектором.

В эмиттерном повторителе используется схема включения транзистора с общим коллектором (ОК). То есть напряжение питания подаётся на коллектор, а выходной сигнал снимается с эмиттера. В результате чего образуется 100 % отрицательная обратная связь по напряжению, что позволяет значительно уменьшить нелинейные искажения, возникающие при работе. Следует также отметить, что фазы входного и выходного сигнала совпадают. Такая схема включения используется для построения входных усилителей, в случае если выходное сопротивление источника велико, и как буферный усилитель,а также в качестве выходных каскадов усилителей мощности.

Iвых = Iэ

Iвх = Iб

Uвх = Uбк

Uвых = Uкэ

• Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх=Iэ/Iб=Iэ/(Iэ-Iк) = 1/(1-α) = β [β>>1]

• Входное сопротивление: Rвх=Uвх/Iвх=(Uбэ+Uкэ)/Iб

Достоинства:

• Большое входное сопротивление

• Малое выходное сопротивление

Недостатки:

• Коэффициент усиления по напряжению меньше 1.

13. Транзисторный усилитель с отрицательной обратной связью (оос).

Обратной связью называется такая связь между выходом и входом усилителя, при которой часть энергии полезного усиленного сигнала с его выхода подается на вход.

В усилителе с отрицательной обратной связью входное напряжение определяется как разность между напряжением сигнала и напряжением обратной связи: . Это выражение справедливо для постоянного напряжения. Для синусоидального сигнала равенство сохраняется только при условии, что напряжения сигнала и обратной связи находятся в противофазе.

Найдём выражение для коэффициента усиления усилителя, охваченного обратной связью: .

Так как , и , то .

Отсюда . , где K – коэффициент усиления усилителя, не охваченного обратной связью.

При отрицательной обратной связи К_ОС всегда меньше К. При увеличении K увеличивается напряжение обратной связи и входное напряжение падает. При уменьшении К входное напряжение увеличивается.

РИСУНОК 13.

Напряжение отрицательной обратной связи снимается с резистора R₂ делителя напряжения R₁R₂. Если при изменении U_C потенциал базы увеличивается, то потенциал коллектора уменьшается. Это уменьшение потенциала через цепь обратной связи передаётся на базу транзистора и напряжения сигнала и обратной связи оказываются в противофазе.

14. Полевой транзистор.

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Преимуществом полевых транзисторов является большое входное сопротивление приборов (10¹⁰ – 10¹⁵ Ом), большая устойчивость к проникающим излучениям, малый уровень собственных шумов, малое влияние температуры на усилительные свойства.

1 . Транзистор с затвором в виде p-n перехода. Основу прибора составляет слаболегированная полупроводниковая пластина р-типа, к торцам которой приложено напряжение U_C, создающее ток I_C через сопротивление нагрузки R_H. Торец пластины, от которого движутся носители заряда, называется истоком, а к которому движутся носители заряда – стоком. На границе раздела пластин n и p возникают электро-дырочные переходы. Пластины n-типа образуют затвор.

Принцип действия полевого транзистора основан на изменении ширины обедненного слоя при изменении обратного напряжения p-n перехода. С увеличением напряжения на затворе ширина обедненных слоёв увеличивается, а поперечное сечение канала и его проводимость уменьшаются.

Таким образом, изменяя напряжение U_ВХ на затворе, можно менять ток через сопротивление нагрузки R_H и выходное напряжение U_ВЫХ.

2 . Транзистор с изолированным затвором. Основу прибора составляет пластина полупроводника р-типа. Этот вид транзисторов чаще называют транзисторами типа МДП (металл – диэлектрик – полупроводник). При отсутствии напряжения на затворе области n истока и стока разделены непроводящей прослойкой основной пластины. При подаче на затвор положительного напряжения электроны вытягиваются из основной пластины и скапливаются под изолирующей прослойкой. При определенной разности потенциалов концентрация электронов под диэлектриком превысит концентрацию дырок и области n будут соединены проводящим электронным каналом.

Полевые транзисторы могут быть изготовлены и на основе пластин n-типа.