- •Содержание
- •3Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •3.1.Введение, основные термины и определения
- •4.1.Зонная структура полупроводников
- •5.1.Структура связей атомов и электронов полупроводника
- •6.1.Концентрация подвижных носителей заряда в собственном полупроводнике
- •7.1.Примесные полупроводники
- •3.7.1Концентрация носителей заряда в примесных полупроводниках
- •8.1.Электропроводность полупроводников
- •10.1.Вольтамперная характеристика p-n перехода
- •11.1.Пробой p-n перехода
- •12.1.Емкость p-n перехода
- •13.1.Свойство переходов металл-полупроводник
- •4Полупроводниковые диоды
- •3.1.Особенности и свойства полупроводниковых диодов, вольтамперная характеристика диода
- •4.1.Разновидности диодов, система параметров
- •4.4.1Универсальные диоды
- •4.4.2Силовые диоды
- •4.4.3Импульсные диоды
- •4.4.4Стабилитроны
- •4.4.5Варикапы
- •5.1.Система обозначений диодов
- •5Биполярные транзисторы
- •3.1.Вольтамперные характеристики транзисторов
- •4.1.Эквивалентная схема транзистора
- •5.1.Система обозначений и классификация транзисторов
- •6.1.Составные транзисторы
- •6Полевые транзисторы
- •3.1.Вольтамперные характеристики полевого транзистора с p-n переходом
- •4.1.Моп (мдп) – транзисторы
- •5.1.Система обозначений полевых транзисторов
- •7Переключающие приборы
- •3.1.Динисторы
- •4.1.Вольтамперная характеристика динистора
- •5.1.Тринисторы (тиристоры)
- •6.1.Вольтамперная характеристика тринистора
- •7.1.Симисторы
- •8.1.Запираемые тиристоры
- •9.1.Параметры и система обозначений тиристоров
- •8Оптоэлектронные приборы
- •3.1.Светодиоды
- •4.1.Характеристики светодиодов
- •5.1.Система обозначений светодиодов
- •6.1.Фоточувствительные приборы
- •7.1.Вольтамперная характеристика фотодиода
- •8.1.Параметры фотодиодов
- •9.1.Фототранзисторы
- •10.1.Фототиристоры
- •11.1.Фоторезисторы
- •12.1.Оптроны
- •9Вопросы для самопроверки
- •10Контрольная работа.
- •3.1.Методические указания к выполнению контрольной работы.
- •4.1.Оформление отчета по контрольной работе.
- •5.1.Задание.
- •11Пример выполнения контрольной работы
- •Ширина запрещенной зоны:
- •Эффективные плотности состояний:
- •Положение уровня Ферми:
- •Подвижности носителей заряда:
- •Удельное электрическое сопротивление:
- •Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току:
- •Концентрация основных и неосновных носителей заряда
- •Положение уровня Ферми:
- •Удельное электрическое сопротивление:
- •Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току:
- •Концентрация основных и неосновных носителей заряда
- •Контактная разность потенциалов
- •Ширина обедненных областей и ширина области пространственного заряда
- •Величина заряда на единицу площади
- •Величина барьерной емкости без внешнего напряжения и при обратном напряжении
- •1Глоссарий
- •Литература.
- •Электроника
8Оптоэлектронные приборы
К оптоэлектронным приборам относятся светоизлучающие диоды (светодиоды) и фоточувствительные приборы – фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры, фоторезисторы и т.п.
3.1.Светодиоды
Светодиодом называется полупроводниковый диод, который при протекании тока излучает свет в видимом, инфракрасном или ультрафиолетовом диапазоне. Его работа основана на выделении энергии в виде электромагнитного излучения в ходе рекомбинации электронов и дырок в области p-n перехода.
Каждый акт рекомбинации сопровождается выделением электромагнитного кванта с частотой , где Е – энергия кванта, – постоянная Планка. Такие процессы происходят и при протекании тока в обычных диодах, однако, интенсивность излучения у них очень слабая. Это связано с тем, что одновременно с излучательным механизмом рекомбинации действует и безызлучательный, когда энергия кванта передается кристаллической решётке и происходит нагрев кристалла. В обычных диодах второй механизм преобладает над первым.
Из соотношения , следует, что длина волны излучения обратно пропорциональна энергии, выделяющейся при рекомбинации, которая в свою очередь пропорциональна ширине запрещённой зоны полупроводника. Поэтому диоды, изготовленные из германия, кремния и арсенида галлия, могут излучать лишь в инфракрасной области. Кроме того, у германиевых, кремниевых и обычных арсенид-галлиевых диодов преобладает механизм безызлучательной рекомбинации. Для изготовления светодиодов, работающих в видимом диапазоне, применяются специальные полупроводниковые материалы с большой шириной запрещённой зоны – фосфид галлия, нитрид галлия, карбид кремния и другие, обладающие значительной величиной внутреннего квантового выхода. Так называется коэффициент, равный отношению числа излучённых фотонов к количеству прорекомбинировавших пар носителей.
4.1.Характеристики светодиодов
Зависимость интенсивности излучаемой светодиодом энергии (силы света) от длины волны, называется спектральной характеристикой. Она имеет максимум на некоторой длине волны , которая определяет цвет свечения.
Рис. 6.1. Спектральные характеристики и обозначение
светодиодов на электрических схемах.
Вольтамперная характеристика светодиода (рис. 6.2) похожа на характеристику обычного полупроводникового диода.
Рис. 6.2. Вольтамперные характеристики светодиодов.
Ее особенность состоит в том, что величины прямых напряжений могут достигать нескольких вольт (из-за большой ширины запрещенной зоны полупроводников), а обратные напряжения невелики вследствие малой толщины p-n перехода. При электрическом пробое (на обратной ветви ВАХ) вследствие ударной ионизации в объеме p-n перехода также может возникнуть излучение электромагнитной энергии. Однако, его интенсивность в таком режиме мала.
Яркостная характеристика представляет собой зависимость яркости излучения от величины прямого тока. Яркость определяется отношением силы света к площади светящейся поверхности. Примерный вид такой характеристики приведен на рис. 6.3. Ее загибы на начальном и конечном участках объясняются тем, что при малых и больших токах увеличивается вероятность безызлучательной рекомбинации.
Рис. 6.3. Яркостная характеристика светодиода.
В отличие от ламп накаливания, светодиоды являются очень быстродействующими, безынерционными приборами. Они могут переключаться, излучая и не излучая свет с частотами в миллионы раз в секунду.
Ряд параметров, которыми характеризуются светодиоды, аналогичны параметрам обычных диодов: прямое напряжение при заданном прямом токе, максимально допустимый прямой ток, обратное напряжение и максимальная мощность рассеивания. Кроме этого используется и дополнительные параметры, характеризующие светодиод, как излучательный прибор: длина волны максимума излучения или цвет свечения, яркость или сила света при заданном прямом токе (для инфракрасных диодов используется показатель мощности излучения), диаграмма направленности и т.п.
Основные области применения светодиодов – системы отображения информации и передачи данных. Светодиоды могут выпускаться с самыми различными конфигурациями корпусов в виде кружков, треугольников, полосок, наборов сегментов для отображения цифровой информации и т.п.
В современных светодиодах используются так называемые гетеропереходы, которые возникают при контакте разнородных полупроводников с отличающимися значениями запрещенных зон. Работы в этом направлении проводились лауреатом Нобелевской премии Ж.И. Алферовым и позволили создать супер яркие светодиоды с диапазоном длин волн излучения вплоть до синего и ультрафиолетового.
Такие светодиоды находят применение в системах электронных табло, светофорах и т.п. Светодиоды с белым цветом свечения представляют собой комбинацию в одном корпусе кристаллов, излучающих разные цвета, смешивание которых обеспечивает получение белого.