- •Содержание
- •3Физические основы работы полупроводниковых приборов
- •3.1.Введение, основные термины и определения
- •4.1.Зонная структура полупроводников
- •5.1.Структура связей атомов и электронов полупроводника
- •6.1.Концентрация подвижных носителей заряда в собственном полупроводнике
- •7.1.Примесные полупроводники
- •3.7.1Концентрация носителей заряда в примесных полупроводниках
- •8.1.Электропроводность полупроводников
- •10.1.Вольтамперная характеристика p-n перехода
- •11.1.Пробой p-n перехода
- •12.1.Емкость p-n перехода
- •13.1.Свойство переходов металл-полупроводник
- •4Полупроводниковые диоды
- •3.1.Особенности и свойства полупроводниковых диодов, вольтамперная характеристика диода
- •4.1.Разновидности диодов, система параметров
- •4.4.1Универсальные диоды
- •4.4.2Силовые диоды
- •4.4.3Импульсные диоды
- •4.4.4Стабилитроны
- •4.4.5Варикапы
- •5.1.Система обозначений диодов
- •5Биполярные транзисторы
- •3.1.Вольтамперные характеристики транзисторов
- •4.1.Эквивалентная схема транзистора
- •5.1.Система обозначений и классификация транзисторов
- •6.1.Составные транзисторы
- •6Полевые транзисторы
- •3.1.Вольтамперные характеристики полевого транзистора с p-n переходом
- •4.1.Моп (мдп) – транзисторы
- •5.1.Система обозначений полевых транзисторов
- •7Переключающие приборы
- •3.1.Динисторы
- •4.1.Вольтамперная характеристика динистора
- •5.1.Тринисторы (тиристоры)
- •6.1.Вольтамперная характеристика тринистора
- •7.1.Симисторы
- •8.1.Запираемые тиристоры
- •9.1.Параметры и система обозначений тиристоров
- •8Оптоэлектронные приборы
- •3.1.Светодиоды
- •4.1.Характеристики светодиодов
- •5.1.Система обозначений светодиодов
- •6.1.Фоточувствительные приборы
- •7.1.Вольтамперная характеристика фотодиода
- •8.1.Параметры фотодиодов
- •9.1.Фототранзисторы
- •10.1.Фототиристоры
- •11.1.Фоторезисторы
- •12.1.Оптроны
- •9Вопросы для самопроверки
- •10Контрольная работа.
- •3.1.Методические указания к выполнению контрольной работы.
- •4.1.Оформление отчета по контрольной работе.
- •5.1.Задание.
- •11Пример выполнения контрольной работы
- •Ширина запрещенной зоны:
- •Эффективные плотности состояний:
- •Положение уровня Ферми:
- •Подвижности носителей заряда:
- •Удельное электрическое сопротивление:
- •Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току:
- •Концентрация основных и неосновных носителей заряда
- •Положение уровня Ферми:
- •Удельное электрическое сопротивление:
- •Отношение полного тока, протекающего через полупроводник к дырочному току:
- •Концентрация основных и неосновных носителей заряда
- •Контактная разность потенциалов
- •Ширина обедненных областей и ширина области пространственного заряда
- •Величина заряда на единицу площади
- •Величина барьерной емкости без внешнего напряжения и при обратном напряжении
- •1Глоссарий
- •Литература.
- •Электроника
4.1.Разновидности диодов, система параметров
4.4.1Универсальные диоды
Такие приборы обладают совокупностью свойств, обеспечивающих им очень широкую область применения, и характеризуются следующими основными параметрами:
прямое падение напряжения при заданном прямом токе;
максимально допустимый прямой ток. Ограничение на его величину связано с тем, что на диоде выделяется мощность P = Iпр∙Uд, под действием которой кристалл разогревается. При больших прямых токах он может либо расплавиться, либо нагреться до температуры, при которой станет недопустимо большим обратный ток, (так как диод не все время работает при прямом напряжении);
максимально допустимое обратное напряжение, определяемое на уровне 0,8 Uпроб для максимальной рабочей температуры;
обратный ток при максимальном обратном напряжении.
Аналогичная группа параметров применяется для описания свойств диода при импульсных воздействиях. Если импульсы короткие и следуют достаточно редко, то токи через диоды и обратные напряжения на них могут значительно превышать статические значения.
Когда диоды используются для целей выпрямления, то на них подается переменное напряжение. Если при этом через диоды будут протекать большие прямые токи, то важным является учет параметра, который называется частотой без снижения режимов работы.
При протекании обратного тока на диоде будет выделяться некоторая мощность , а с ростом частоты среднее значение обратного тока и, соответственно, мощности будут возрастать, диод начнет сильнее нагреваться.
Наличие эффектов накопления и рассасывания неосновных носителей приводит к тому, что при увеличении прямого тока возрастает и количество накопленных носителей а, следовательно, и величина импульсов обратного тока (рис.2.8). Наиболее ярко эти зависимости проявляются, если на диод подается двуполярное напряжение прямоугольной формы.
Рис.2.8. Влияние эффектов накопления и рассасывания
неосновных носителей на работу диода.
Данное обстоятельство приводит к росту среднего обратного тока при увеличении частоты переключения диода и возрастанию температуры перехода. Действие всех рассмотренных факторов может привести к перегреву диода и выходу его из строя. Поэтому вводится ограничение на частоту выпрямляемого напряжение при заданном прямом токе через диод.
4.4.2Силовые диоды
Силовые диоды применяются в основном в устройствах электропитания и обычно от них требуется обеспечение больших (до десятков и сотен ампер) токов в нагрузке и возможность выдерживать значительные обратные напряжения. Такие токи можно получить только в p-n переходах значительной площади. Поэтому силовые диоды имеют большие габариты и выполняются в массивном корпусе, предназначенном для установки на радиатор. Последнее объясняется тем, что например при токе порядка 100 А на открытом диоде будет выделяться мощность около 80 Вт.
Система параметров силовых диодов аналогична соответствующей системе универсальных, но используется и ряд дополнительных – например тепловое сопротивление переход – корпус или переход – среда. Это число, имеющее размерность град/Вт и показывающее насколько увеличивается температура кристалла при подведении к нему мощности 1 Вт и неизменной температуре корпуса или окружающей среды.